英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-08-01 17:05

  英飞凌推出采用Q-DPAK 封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2，将工业应用功率密度提升至新高度

  

  【2025年8月1日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiCMOSFET1200VG2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电

  MOSFET 工业 英飞凌

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• 发布了文章 2025-07-31 17:04

  新品 | 针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V和硅基模块

  

  新品针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACKCoolSiC1200V和硅基模块英飞凌推出针对车载充电和电动汽车应用的EasyPACK2B模块，采用六单元配置，通过AQG324认证。一个模块采用CoolSiCMOSFET技术1200V、17mΩ，配备NTC和PressFIT压接技术。另一个模块基于TRENCHSTOPIGBT7技术1200V、100A，配备

  SiC 电动汽车 车载充电器

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• 发布了文章 2025-07-30 17:30

  1700V EconoDUAL™ 3 IGBT7助力690V变频器扩容提频

  

  随着国家“双碳”政策的推进，大力推广节能减排技术已经在各行业逐步深化。在高能耗的工业应用中，通过变频器控制电机调速可以节能大约15-40%，有着巨大的经济效益，因此一直是节能减排的重要措施。作为通用变频器重要的细分产品，690V变频器主要应用于冶金、石油、造纸、港口大型起重设备和船舶等领域。英飞凌上一代的1700VEconoDUAL3IGBT4模块已经在69

  变频器 芯片

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• 发布了文章 2025-07-28 17:06

  新品 | 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工业级与车规级碳化硅功率器件

  

  新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工业级与车规级碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET凭借成熟的栅极氧化层技术，在抗寄生导通方面展现出业界领先的可靠性。该器件在图腾柱、有源中性点钳位（ANPC）、维也纳整流器和飞跨电容（FCC）等硬开关拓扑中表现卓越。更值得注意的是，第二代产品显著降低了输出电容（Coss），使其在循环变流器、

  MOSFET SiC 功率器件

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• 发布了文章 2025-07-26 09:14

  电解电容真的不可靠吗？

  

  电容的高故障率是电力电子系统可靠性问题的一大来源，其中电解电容短寿命的特点尤为突出。然而，追求可靠性的本质是追求产品全寿命周期成本的最优，从这一角度出发，可靠性不高的电解电容也许在某些应用中更加“可靠”。不同类型的电容特性差距甚远，如何根据需求取舍、权衡其中的利弊关系，体现了工程学科的精

  电子系统 电解电容

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• 发布了文章 2025-07-23 17:03

  新品 | 面向低功率储能应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向低功率储能系统应用的产品扩展●采用最新1200VTRENCHSTOPIGBT7和EC7快速二极管技术的三电平NPC1拓扑的EasyPACK3B模块；●采用1200VCoolSiCMOSFET和L7EC7技术的有源中性点钳位（ANPC）拓扑的EasyPACK3B模块；●采用2000VCoolSiCMOSFET的EasyPACK3B半桥模块；所有模块均配

  easy 储能系统

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• 发布了文章 2025-07-21 17:26

  新品 | 面向光伏应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向光伏应用的Easy模块产品扩展采用增强型第一代CoolSiCMOSFET的EasyPACK1B半桥升压拓扑，集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚，为太阳能逆变器系统设计提供理想的一体化解决方案。产品型号：■DF17MR12W1M1HF_B86产品特点Easy系列模块高度12mm配备增强型第一代沟槽技术的12kVCoolSiCMOSFET极低

  传感器 光伏

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• 发布了文章 2025-07-19 08:34

  AI的尽头是能源？(2)

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学的诸葛英健投稿。2AI还是个耗水狂魔根据兰道尔原理，处理信息是有能量成本的。但这一部分只是AI耗电中的一小部分，更多的能量消耗来自焦耳定律。当芯片在进行信息处理时，其中的晶体管会在开关状态中进行切换，而这就产生了电流。又由于电路中电阻的存在，这些能量不可避免地转化成热能。目前台积电等芯片巨头已经在积

  AI 能源

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• 发布了文章 2025-07-15 17:08

  新品 | 面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展

  

  新品面向电动汽车充电应用的Easy模块产品扩展EasyPACK3B系列2000V/6mΩ、2000V/10mΩ和1200V/11mΩ四单元模块，采用增强型第一代CoolSiCMOSFET技术，集成NTC温度传感器并配备PressFIT针脚。产品型号：■F4-6MR20W3M1H_B11■F4-10MR20W3M1H_B11■F4-11MR12W3M1H_B1

  easy 充电 电动汽车

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• 发布了文章 2025-07-14 18:18

  SiC MOSFET在三相四桥臂变换器中的应用优势

  

  由于第四桥臂的引入，对比三相三桥臂变换器，负载相电压的电平数从五个(±2Udc/3,±1Udc/3,0)降低到三个(±Udc,0)，因此自然的，相同电路参数下，输出电流的谐波畸变度将会更大，下图所示为相同开关频率，相同滤波器参数以及输出相同电流有效值情况下，两种拓扑的负载电压电流波形与电流THD对比，三相四桥臂变换器输出电流谐波含量明显更高。（参考链接：三相

  SiC MOSFET 变换器 电流

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