英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2025-07-12 08:32

  AI的尽头是能源？(1)

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自上海科技大学的诸葛英健投稿。据《华尔街日报》7月1日报道，亚马逊云服务正与美国最大的核电厂运营商ConstellationEnergy接近达成一项直接供电协议。而早在今年3月，亚马逊以6.5亿美元收购了位于宾夕法尼亚州的TalenEnergy旗下的Cumulus数据中心园区

  AI 供电 能源

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• 发布了文章 2025-07-11 17:08

  IGBT的电流是如何定义的

  

  IGBT的电流是器件基本参数之一，显而易见FS450R12KE4就是450A1200VIGBT模块。这样的理解对于日常工作交流来说是足够了，但对于一位设计工程师是远远不够的，而且业内充满着误解和流言。流言一：450AIGBT模块最大输出电流能力是450A，系统设计中需要留足够的余量450A是FS450R12KE4的标称电流。那么什么是标称电流？为了搞清楚这一

  IGBT 电流 芯片

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• 发布了文章 2025-07-08 17:08

  新品 | 采用ThinTOLL 8x8封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET新增26mΩ，33mΩ产品

  

  新品采用ThinTOLL8x8封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET新增26mΩ，33mΩ产品第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件产品线现扩充ThinTOLL8x8封装的26mΩ和33mΩ型号，将导通电阻(RDS(on))的覆盖范围扩展至20mΩ到60mΩ，提供更精细的选型梯度。ThinTOLL封装是标准8x8尺寸下发挥CoolS

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2025-07-07 18:47

  三相四线变换器拓扑与原理简介

  

  三相四线制配电具有稳定性高、适用范围广等优点，多应用于工商业、民用等低压配电场景，在传统的APF、UPS等应用里，三相四线变换器已被大量采用，近年来，工商业侧储能正以其经济性、电网友好性等特点蓬勃发展，其中离网应用场景下，不平衡负载的带载能力、谐波畸变度等都是其PCS的重要指标。SiCMOSFET结合三相四桥臂变换器在此应用场景具有明显的应用优势，本文上篇将

  PCS 三相四线 变压器 变换器

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• 发布了文章 2025-07-05 08:32

  多相电机的奇妙世界(3)：多相电机的应用场景

  

  简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自华中科技大学刘自程、王光宇、朱荣培、蒋栋、罗翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。3多相电机的应用场景经过前面的介绍，相信大家已经对多相电机的优点有了进一步的认识。然而你可能会疑惑为什么多相电机有这么多优点但实际生活中却很少见到呢？这是因为多相电机往往应用于功率需求较大或高可靠性的场合，且与之配套的变频器往往需要独立

  变频器 多相电机 电力电子

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• 发布了文章 2025-07-04 17:09

  新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

  

  新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术，为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V电压裕量，有助于满足数据中心和电信应用中交流输入电压提升至277V的要求。此外，它还能为电动汽车充电和固态断路器（SSCB）应用提供额外的浪涌保护。我们的650V

  MOS MOSFET

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• 发布了文章 2025-07-02 17:06

  揭秘SiC肖特基二极管的关断电容效应

  

  /引言/碳化硅（SiC）器件凭借其出色的电气和热性能，正在逐步取代传统硅（Si）器件，成为高效能电子系统中的新宠。那么，SiC到底有何独特之处？特别是在反向恢复特性方面，它们又是如何改变游戏规则的呢？让我们一探究竟！1什么是反向恢复？在传统硅功率器件中，反向恢复现象主要与它们内部的寄生二极管有关，指二极管从导通状态（正向偏置）切换到反向阻断状态（反向偏置）时

  SiC 电容效应 肖特基二极管

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• 发布了文章 2025-07-01 17:03

  新品 | 采用D2PAK-7封装的CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET

  

  新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS(on)）范围扩展至7mΩ至75mΩ等10款产品可选，为用户提供更精准的选择。基于第一代技术，第二代CoolSiCMOSFET650VG2采用D2PAK-7封装，

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2025-06-28 08:33

  多相电机的奇妙世界(2)：三相电机vs多相电机

  

  本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自华中科技大学刘自程、王光宇、朱荣培、蒋栋、罗翔宇、包木建、朱梓豪等投稿。上期回顾多相电机的奇妙世界(1)：从三相到多相的跨越本期文章将继续带您探索多相电机的奇妙世界。2三相电机vs多相电机：不仅仅是数字的堆砌2.2共模电压抑制——电磁干扰克星如果说容错能力是多相电机的“硬实力”，那么共模电压抑制则是其“软实力”

  三相电机 多相电机 电力电子

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• 发布了文章 2025-06-26 17:07

  TOLL和DFN封装CoolGaN™ 650V G5第五代氮化镓功率晶体管

  

  新品TOLL和DFN封装CoolGaN650VG5第五代氮化镓功率晶体管第五代CoolGaN650VG5氮化镓功率晶体管可在高频工况下显著提升能效，符合业界最高质量标准，助力打造兼具超高效率与卓越可靠性的设计方案。该系列产品现已新增采用底部冷却技术的TOLL和DFN封装，其创新设计可降低各类工业及消费电子应用中的功率损耗。产品型号：■IGT65R025D2A

  DFN 功率晶体管 氮化镓

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