7月1日起,闪存产品价格或将出现10-15％涨幅!

近日，有消息称，2019年6月15日日本四日市停电13分钟(从18:25到18:38)。值得注意的是，由于全球第二大存储型闪存（NAND Flash）制造商东芝半导体（TMC）在该市拥有多个工厂，因此此次四日市停电对于东芝半导体的影响如何备受关注。

事故发生后，关于NAND Flash价格上涨的消息开始甚嚣尘上。

最新消息，WD（Western Digital Corp，西部数据，以下简称“西数”）于近日发布以下通知：

图片来源：聚讯门

内容大致翻译如下：

“6月15日星期六，在日本四日市发生意外停电，这场事故影响了我们在四日市的产品生产进程。我们当前无法预估停电带来的全部影响，包括对设备和工具的任何损坏。

基于我们的综合预估，自2019年7月1日起，闪存产品的价格将出现10-15％的涨幅。

你们的成功是西数一直关注的焦点，当事件明晰之后我们的销售部门会为您提供更多的信息。

我们将继续评估情况，感谢您的耐心和理解。”

据了解，四日市工厂是东芝半导体生产NAND快闪存储器的主力工厂，产线使用12寸（300mm）晶圆，主要产品为3D-NAND快闪存储。该工厂是2017年开始建设的，去年才正式投产，由东芝、西数合作运营，是双方NAND闪存的主力工厂，占到全球40%的产能。

因此，西数的邮件在一定程度上也等于官宣，预示着东芝半导体/西数的NAND闪存产品将在7月份上调价格。

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NAND Flash一路走跌

存储器是计算机系统中的记忆设备，用来存放程序和数据。计算机中的全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中，它根据控制器指定的位置存入和输出信息。

2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元，其中储存芯片存储器市场规模达1580亿美元，2018年全球存储器市场增速依旧领跑，达到27.4%增幅。

存储器性能与成本的平衡特性决定了主流市场和利基市场的划分，存储器的性能与成本是矛盾的，性能越高的存储器一般来说单位价格会更贵。目前比较公认的划分是DRAM 和 NAND 是主流存储器，其性能和成本达到平衡，占据市场份额的90%以上，而 DDR3 DRAM，NOR Flash，SRAM，SLC NAND 等是利基型存储器。

本次新闻的重点NAND Flash 即属于主流的存储器之列，其采用多位串联的方式节省空间，大大增加了存储密度，成本低。

2018年NAND Flash之所以大降价，一个关键原因就是64层堆栈的3D NAND闪存大规模量产，实现了从32层／48层堆栈到64层堆栈的飞跃，使得NAND闪存每GB成本降至8美分，相比之前2DNAND闪存的成本高达每GB21美分，成本的降低让NAND降价成为可能。

从上图可以看出，在供过于求的压力下，NAND Flash自2014年开始下滑，2014年年中出现小幅上涨之后继续下滑，2017年再度风生水起、涨势不断，然而好景象并没有如期延续。

2018年上半年Flash原厂三星、东芝/西数、美光/英特尔、SK海力士，以及中国企业在投资、建厂、扩产等方面展开竞赛，下半年原厂又在96层和QLC创新技术上竞争激烈，使得2018全年NAND Flash供应大幅度增加40%，消费类NAND Flash市场价格更是大跌65%，2018年市场价格大跌出乎预料。

一路走跌的趋势可以从全球第一的机械硬盘企业西数的财报中出一些变化趋势。

截至2018年9月28日，西数2019财年第一季度营收29.91亿美元，同比增长14%；

截至2018年12月28日，西数2019年第二财季营收42.33亿美元，同比下滑21%；

截止2019年3月29日，西数2019财年第三季度收入36.74亿美元，同比下滑27％

NAND闪存的降价同样也会影响美光、SK海力士、三星、东芝等公司的财报数据。

2019Q1各储存大厂营收一片惨淡：

三星第一季度销售额为52万亿韩元，同比下降14.13%、环比下降9.9%；营业利润为6.2万亿韩元，同比下降60.36%、环比下降38.5%。

美光第二季度（截至2019年3月20日）营收58.4亿美元，同比下降20.6%，营业利润21.1亿，同比下降41.9%；净利润19.7亿，同比下降43.6%。

SK海力士第一季度营收6.77万亿韩元，同比下降32%；营业利润1.37万亿韩元，同比下降69%。

原厂不得不改变策略，西数2019年减少Wafer产出量，并减缓下一步96层3D NAND扩产计划，三星则缩减平泽工厂二楼的生产规模，美光将2019年投资预算从之前预估的105亿美元下修至90亿美元。

02

内存价格反弹有可能吗？

内存价格上涨的预测并不是空穴来风。

2010年，东芝停电事故导致NAND闪存芯片价格上涨；2013年，韩国第二大芯片厂商海力士位于无锡的晶圆厂发生爆炸后，全球存储芯片价格瞬间就跳涨了25％；2015年，***高雄地震，台积电中科、南科厂停产，导致全球逻辑芯片价格上涨10％～20％。

或许你会纳闷，不就是停了十几分钟么，能造成这么大的损失？

绝对能！半导体制造工厂有其特殊性，是24小时运转的，一旦遇到事故停机，并不是说来电之后就能恢复生产的，要检查设备受损情况，更重要的是确保生存线上的晶圆是否受到影响，因为晶圆受损的话会影响芯片质量，严重情况下会有大量晶圆报废。

台积电年初出现的晶圆污染事件就报废了10万片，相当于该工厂一个月的产能了，直接损失高达5.5亿美元。2010年东芝的断电事件仅历时0.07秒，却导致东芝晶圆厂全线停产，产量下降10%-20%，从而导致全球芯片价格上涨。

东芝半导体今年第2季全球NAND Flash 市占约32%，居全球第二，仅次于三星，其五座工厂生产受影响，牵动整体市场供应状况。日系券商预估，假设当时有五成晶片因停电受损，另有15%到20%的晶圆必须再重制，将影响全球NAND晶片供应量达2%到3%，如果恢复正常时间生产再延后，影响将可能加大。这将促使报价连跌逾八季的NAND Flash价格止跌，下半年出现反弹契机。

但也有不少行业人士持悲观态度，认为2019年Q3内存预计暴跌10%。集邦咨询半导体研究中心调查指出，2019年智能手机及服务器的需求量将低于原先预期。此外，上半年CPU缺货对笔记本电脑出货仍略有影响，因此，eMMC/UFS、SSD等产品第三季旺季出货量恐不如预期，合约价跌势难止。2019年上半年，OEM着重各类产品去化库存，备货动能疲弱，NAND Flash合约均价已连续两季下跌近20%，并未如市场预期因价格弹性而浮现反弹力道。

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内存市场的变数

2019上半年，存储市场延续2018年需求和价格下滑的跌势，这主要是因为全球经济疲软，贸易关系紧张等因素影响，市场需求增长速度放缓，再加上原厂和品牌厂都面临着很大的库存和出货压力，NAND Flash和DRAM供过于求的情况加剧。

为了平衡市场供需，西数、美光、SK海力士、英特尔等纷纷宣布减少Wafer产出，以缓解市场供货过剩的情况，以及减缓NAND Flash和DRAM跌价的速度。就目前情况而言，由于市场需求未见起色，减产效应对于NAND Flash市场而言还未奏效，仅部分产品价格止跌，部分市场持续跌势。

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，2019年以来NAND Flash价格跌幅已快逼近30%了。其中，行业SSD市场，由于NAND Flash持续跌势，使得SSD价格持续下滑，部分商家为了抢占更多的市占，不惜领头杀价。不过，5月份行业市场SSD价格已明显止跌。

7月1日起，闪存产品价格会不会出现10-15％涨幅？就让我们拭目以待吧！