半导体工艺上,近年来几大巨头都纷纷出杀招。Intel终于进入了10nm的工艺时代,同时宣布在后年转入7nm,而台积电和三星则是早早完成了7nm工艺的布局,并同时奔向5nm和3nm。现在,台积电官宣,正式启动2nm工艺的研发,工厂设置在位于***新竹的南方科技园,预计2024年投入生产。
台积电并没有透露2nm工艺所需要的技术和材料,通过晶体管的结构能够看到目前并没有明显变化,进一步压榨硅半导体技术。按照台积电的指示,2nm将会是一个重要借点,Metal Track(金属单元高度)和3nm一样维持在5x,同时Gate Pitch(晶体管栅极间距)缩小到30nm,Metal Pitch(金属间距)缩小到20nm,相比于3nm都小了23%。
当然,2nm只是研发的阶段,台积电还要经历7nm+、6nm、5nm、3nm等多个工艺节点。当中7nm+首次引入EUV极紫外光刻技术,而6nm只是一个小升级版本,明年第一季度试产。5nm开始风险性试产,明年年底前量产,据说苹果A14有望采用。
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原文标题:台积电官宣开始2nm工艺研发,预计2024年投产
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