ASML放弃EUV光罩防尘薄膜研发并技转日本三井化学

ASML将中断EUV Pellicle（光罩防尘薄膜）技术的研发，并将该技术转让与日本。而韩国国内Blank光罩厂商SNS Tech也正在进行此技术开发，预计后续将会有日韩主导权之争。

6月3日根据业界资讯，日本三井化学与荷兰曝光机厂商ASML签订EUV Pellicle技术转让协议。三井化学计划明年第二季度前在日本竣工EUV Pellicle工厂，并从2021年二季度开始稼动产线。此次的技转并非是100%转让，而是按序转让出开发数年的EUV Pellicle技术，并在三井化学量产后开始收取专利费。

三井化学半导体制程光罩防尘薄膜（Pellicle） （图片来源：etnews）

半导体曝光制程是将绘制Pattern（图案）的光罩进行曝光，在晶圆上反复进行绘制的过程。将缩小并绘制在光罩的图案复制到晶圆上，过程中光罩受到污染时不良率会急剧上升。

Pellicle就是在光罩上起保护作用的薄膜，既可防止光罩受到污染，减少不良Pattern并可以提升光罩使用时间。而随着新的半导体细微EUV制程的开发，Pellicle也需要随之改良。原有曝光技术基本是采用光源穿透方式，但EUV制程的光源易被吸收，所以才用的是反射式，Pellicle也需要对应的新技术。但截止目前市场上暂无可以满足量产条件的EUV Pellicle。

三星电子的部分AP芯片采用EUV制程，但只有光罩，并无Pellicle。而EUV光罩费用高达5亿韩币（约合290万人民币），更换光罩的负担非常大。

业界人士表示：无Pellicle的光罩虽生产速度有所提升，但不良发生比率会上升。采用Pellicle时制程速度的确会受影响，但可以大大减少不良比率。所以EUV Pellicle技术难度虽高，但却是必不可少的。

EUV曝光机龙头企业ASML联手加拿大Teledyne耗费数年时间研发EUV Pellicle。但业界推测开发出满足90%以上穿透率的EUV技术难度较高，再加上ASML更倾向于专注EUV设备开发，所以才会决定将技术转让给三井化学。

韩国企业SNS Tech也是联手汉阳大学研发EUV Pellicle技术。目标采用单晶硅和氮化硅等新材料制作出可满足88%以上穿透率的EUV Pellicle。而三井化学目标采用多晶硅材料方式早日实现量产以抢占市场先机。

专家认为两家企业的良率均在30%左右，技术尚未成熟。汉阳大学Ann Jinho教授表示就算考虑后续的降价趋势，EUV Pellicle价格为1亿韩币（约合58万人民币）左右，假设一星期更换一次就是每年500亿韩币（约合2.9亿人民币）规模的市场。