三星电子成功开发5G基站RFIC

2月22日韩联社报导， 三星电子今天表示，它已成功开发出第五代（5G）基站的射频集成电路（RFIC）。

三星电子表示，毫米波（mmWave）频段的覆盖范围已从800MHz扩展到1.4GHz，大大提高了数据传输速度。芯片尺寸小型化约36％。

据三星称，该芯片降低了相位噪声，使其能够处理更清晰的无线电信号。

使用28GHz或39GHz mmWave频谱频段的国家，如美国和韩国，是RFIC部署的主要目标市场。

这张由三星电子提供的照片显示了第五代RFIC。（韩联社）

该公司表示，三星将在今年第二季度开始商业化生产新的5G芯片，并在今年内开发出24GHz和47GHz频谱的芯片。

此外，该公司还宣布开发数字/模拟前端（DAFE）ASIC，这是5G芯片组的另一个核心组件。DAFE是模拟和数字之间转换的关键，可将尺寸，重量和功耗降低约25％。

“三星正凭借其创新解决方案（包括低功耗RFIC和DAFE ASIC）建立其5G领先地位，开创了数字化转型的新时代，”三星网络业务研发主管Jeon Jae-ho说。“我们很高兴地宣布我们完成了对这些新芯片组的开发，这些芯片组将在推动技术进步的同时发挥重要作用。”