SK海力士斥巨资建设新的半导体生产线M16

SK海力士在京畿道利川投资15万亿韩元（约916亿人民币），建设新的半导体生产线M16。

19日，SK海力士在利川工厂举行了M16奠基仪式。

在本次活动中，SK集团会长崔泰源，SK集团首席副会长崔再源，SK Supex追求协议会议长Jo Daesik，全球成长委员长Park Jeungho, SK集团ICT委员长Park Seungwook, SK海力士代表理事Lee Seokhee等首脑部门领导都出席了活动。显示出在最近半导体市场的高点争议和市况悲观论扩散的情况下，SK计划通过进攻性投资取得正面突破的意图。

SK集团崔泰源称：“SK海力士已经写出了一部克服艰难时期，在挫折中也坚持希望并取得成功的成长故事”，并称“M16不仅要依靠尖端的硬件技术，也倾注我们的汗水和努力，去创造新的成长神话。”再次表明了对半导体事业投资和培育的强烈的决心。

M16是引领SK海力士未来的最尖端的半导体工厂。具备为了新一代微细工程的极紫外光刻（EUV）设备等，并将生产10几纳米的DRAM等尖端产品。并计划于2020年下半年稼动。

M16工厂的建设是崔会长在2015年M14产线竣工仪式上提出的共计46万亿韩元规模的“未来愿景投资计划”中的一环。总投资规模包含设备采购金额，约15万亿韩元。

M16完工后，继目前利川的M10（DRAM）·M14（DRAM·Nand Flash）和忠清北道清州的M11·M12·M15（Nand Flash），中国无锡C2（DRAM）等之后，记忆芯片产品产能将大幅扩大。

SK海力士在继10月初完成忠清北道清州的Nand Flash专用产线M15竣工后，便积极进行对C2产线的扩张施工等设备投资。

与此同时，计划通过中国无锡合资法人在当地建设芯片代工厂，正式构建DRAM、Nand Flash和代工厂等“半导体三角成长轴”。

尤其是SK海力士正在与韩国政府共同促进大规模“半导体特色产业园区”构建方案。计划不仅有半导体生产线，零部件、材料、设备企业也将入住园区，发挥协同作用。韩国政府最近正从恢复经济活力层面向SK发出邀请，SK海力士也在进行详细研究。

SK海力士社长Lee Seokhee称“若说10几年没有建新工厂的SK海力士，在M14和M15建设上实现了许久以来的愿望，那么M16工厂则是SK海力士实现另一个跳跃的起跑线”，并称“将通过与全球最先进尖端的基础设施相匹配的创新与技术创造新的未来。”