Onsemi双PNP偏置电阻晶体管MUN5134DW1与NSBA124XDXV6详解

在电子电路设计中，晶体管的合理选择与应用至关重要。Onsemi推出的双PNP偏置电阻晶体管MUN5134DW1和NSBA124XDXV6，为电路设计带来了诸多便利。下面就为大家详细介绍这两款晶体管。

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产品概述

这两款数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管（BRT）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻（R1 = 22kΩ）和一个基极 - 发射极电阻（R2 = 47kΩ）。通过将这些单独的组件集成到一个器件中，BRT不仅降低了系统成本，还节省了电路板空间。

产品特性

应用广泛

具有S和NSV前缀，适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。

设计简化

简化了电路设计，减少了电路板空间和组件数量。

环保合规

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。

最大额定值

符号	额定值	最大值	单位
VCBO	集电极 - 基极电压	50	Vdc
VCEO	集电极 - 发射极电压	50	Vdc
IC	集电极电流 - 连续	100	mAdc
VIN(fwd)	输入正向电压	40	Vdc
VIN(rev)	输入反向电压	7	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

MUN5134DW1（SOT - 363）

• 一个结加热：总器件耗散功率TA = 25°C时为187mW，高于25°C时的降额为1.5mW/°C，结到环境的热阻为670°C/W。
• 两个结加热：总器件耗散功率TA = 25°C时为250mW，高于25°C时的降额为2.0mW/°C，结到环境的热阻为493°C/W，结到引脚的热阻为188°C/W。

NSBA124XDXV6（SOT - 563）

• 一个结加热：总器件耗散功率TA = 25°C时为357mW，结到环境的热阻为350°C/W。
• 两个结加热：总器件耗散功率TA = 25°C时为500mW，高于25°C时的降额为4.0mW/°C，结到环境的热阻为250°C/W。

两款器件的结和存储温度范围均为 - 55°C到 + 150°C。

电气特性

关断特性

符号	特性	最小值	典型值	最大值	单位
ICBO	集电极 - 基极截止电流（VCB = 50V，IE = 0）	-	-	100	nAdc
CEO	集电极 - 发射极截止电流（VCE = 50V，IB = 0）	-	-	500	nAdc
IBO	发射极 - 基极截止电流（VEB = 6.0V，IC = 0）	-	-	0.13	mAdc
V(BR)CBO	集电极 - 基极击穿电压（IC = 10μA，IE = 0）	50	-	-	Vdc
V(BR)CEO	集电极 - 发射极击穿电压（脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤ 2%）（IC = 2.0mA，IB = 0）	50	-	-	Vdc

导通特性

符号	特性	最小值	典型值	最大值	单位
hFE	直流电流增益（IC = 5.0mA，VCE = 10V）	80	130	-	-
VCE(sat)	集电极 - 发射极饱和电压（脉冲条件：脉冲宽度 = 300msec，占空比 ≤ 2%）（IC = 10mA，IB = 1.0mA）	-	-	0.25	Vdc
Vi(off)	输入电压（关断）（VCE = 5.0V，IC = 100μA）	-	0.9	-	Vdc
Vi(on)	输入电压（导通）（VCE = 0.2V，IC = 3.0mA）	-	1.3	-	Vdc
VOL	输出电压（导通）（VCC = 5.0V，VB = 2.5V，RL = 1.0kΩ）	-	-	0.2	Vdc
VOH	输出电压（关断）（VCC = 5.0V，VB = 0.5V，RL = 1.0kΩ）	4.9	-	-	Vdc
R1	输入电阻	15.4	22	28.6	kΩ
R1/R2	电阻比	0.38	0.47	0.56	-

封装与引脚信息

封装类型

MUN5134DW1采用SOT - 363封装，NSBA124XDXV6采用SOT - 563封装。

引脚连接与标记图

文档中提供了详细的引脚连接和标记图，不同封装对应不同的引脚功能，设计时需要仔细参考。

订购信息

器件	封装	包装数量
MUN5134DW1T1G	SOT - 363	3,000/卷带和卷盘
NSBA124XDXV6T1G	SOT - 563	4,000/卷带和卷盘

机械尺寸

文档中给出了SC - 88（MUN5134DW1对应封装）和SOT - 563 - 6（NSBA124XDXV6对应封装）的机械尺寸图及详细尺寸参数，包括长度、宽度、高度、引脚间距等，这些参数对于电路板布局和焊接非常重要。

总结

Onsemi的MUN5134DW1和NSBA124XDXV6双PNP偏置电阻晶体管凭借其集成化设计、广泛的应用特性、良好的电气和热性能，为电子工程师在电路设计中提供了优秀的选择。在实际应用中，工程师需要根据具体的电路需求，结合器件的各项参数进行合理设计，以确保电路的性能和可靠性。大家在使用过程中有没有遇到过类似器件的特殊应用场景呢？欢迎在评论区分享。