探索 onsemi 2SA2013 和 2SC5566 双极晶体管：特性、参数与应用

在电子设计领域，双极晶体管是不可或缺的基础元件。今天，我们来深入了解 onsemi 推出的 2SA2013 和 2SC5566 双极晶体管，看看它们有哪些独特之处，以及如何在实际设计中发挥作用。

文件下载：2SA2013-D.PDF

特性亮点

先进工艺

这两款晶体管采用了 FBET 和 MBIT 工艺，这种先进的工艺为晶体管带来了诸多优势。它有助于降低集电极 - 发射极饱和电压（VCE(sat)），使得晶体管在导通状态下的功耗更低，从而提高整个电路的效率。

小型化设计

采用超小型封装（SOT - 89 / PCP - 1 CASE 419AU），这对于追求小型化的终端产品来说是一个巨大的优势。在如今电子产品不断追求轻薄小巧的趋势下，这种小型封装能够为设计节省宝贵的空间，方便实现产品的小型化和集成化。

高功率与大电流能力

具备高允许功率耗散和大电流容量。高允许功率耗散意味着晶体管能够承受较大的功率，不易因过热而损坏；大电流容量则使得它可以处理较大的电流，适用于需要驱动大负载的应用场景。

高速开关特性

拥有高速开关能力，能够快速地在导通和截止状态之间切换。这在需要快速响应的电路中非常重要，例如开关电源、脉冲电路等。

应用场景

2SA2013 和 2SC5566 适用于多种应用场景，包括但不限于：

• 继电器驱动：能够为继电器提供足够的驱动电流，确保继电器可靠动作。
• 灯驱动：可以精确控制灯光的亮度和开关，实现不同的照明效果。
• 电机驱动：为电机提供稳定的电流和电压，实现电机的高效运行。
• 闪光灯：满足闪光灯快速充电和放电的需求，实现高亮度的闪光效果。

规格参数

绝对最大额定值

在 (T_{A}=25^{circ}C) 的条件下，2SA2013 的绝对最大额定值如下：	参数	符号	条件	额定值	单位
集电极 - 基极电压	(V_{CBO})		(-50) 100	V
集电极 - 发射极电压	(V_{CES})		(-50) 100	V
集电极 - 发射极电压	(V_{CEO})		(-)50	V
发射极 - 基极电压	(V_{EBO})		(-)6	V
集电极电流	(I_{C})		(-)4	A
集电极电流（脉冲）	(I_{CP})		(-)7	A
基极电流	(I_{B})		(-)600	mA
集电极耗散功率	(P_{C})	安装在陶瓷基板（(250mm^2×0.8mm)）上	1.3	W
		(T_{c}=25^{circ}C)	3.5	W
结温	(T_{j})		150	(^{circ}C)
储存温度	(T_{stg})		-55 至 +150	(^{circ}C)

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

电气特性

同样在 (T_{A}=25^{circ}C) 的条件下，2SA2013 的电气特性如下：	参数	符号	条件	最小值	典型值	最大值	单位
集电极截止电流	(I_{CBO})	(V{CB}=(-)40V, I{E}=0A)			(-)1	μA
发射极截止电流	(I_{EBO})	(V{EB}=(-)4V, I{C}=0A)			(-)1	μA
直流电流增益	(h_{FE})	(V{CE}=(-)2V, I{C}=(-)500mA)	200		560
增益 - 带宽积	(f_{T})	(V{CE}=(-)10V, I{C}=(-)500mA)		(360) 400		MHz
输出电容	(C_{ob})	(V_{CB}=(-)10V, f = 1MHz)		(24) 15		pF
集电极 - 发射极饱和电压	(V_{CE(sat)1})	(I{C}=(-)1A, I{B}=(-)50mA)		(-105) 85	(-180) 130	mV
(V_{CE(sat)2})	(I{C}=(-)2A, I{B}=(-)100mA)		(-200) 150	(-340) 225	mV
基极 - 发射极饱和电压	(V_{BE(sat)})	(I{C}=(-)2A, I{B}=(-)100mA)		(-) 0.89	(-)1.2	V
集电极 - 基极击穿电压	(V_{(BR)CBO})	(I{C}=(-)10μA, I{E}=0A)	(-50) 100			V
集电极 - 发射极击穿电压	(V_{(BR)CES})	(I{C}=(-)100μA, R{BE}=0Ω)	(-50) 100			V
集电极 - 发射极击穿电压	(V_{(BR)CEO})	(I{C}=(-)1mA, R{BE}=infty)	(-)50			V
发射极 - 基极击穿电压	(V_{(BR)EBO})	(I{E}=(-)10μA, I{C}=0A)	(-)6			V
导通时间	(t_{on})	见指定测试电路		(30) 35		ns
存储时间	(t_{stg})		(230) 300		ns
下降时间	(t_{f})		(15)20		ns

产品的参数性能是在所列测试条件下给出的，如果在不同条件下运行，产品性能可能会有所不同。

封装与订购信息

封装尺寸

采用 SOT - 89 封装，具体尺寸如下：	尺寸	最小值	标称值	最大值
A	1.40	1.50	1.60
			0.48
		0.50	0.55
	0.37	0.40
	4.40	4.50	4.60
(D_2)		1.60	1.80
E	2.40	2.50	2.60
e	1.50 BSC
H	3.80	4.00	4.20
	0.80	1.00	1.20

订购信息

器件	封装类型（JEITA, JEDEC）	运输方式
2SA2013 - TD - E	PCP（无铅）	1000 / 卷带
2SC5566 - TD - E

总结

onsemi 的 2SA2013 和 2SC5566 双极晶体管凭借其先进的工艺、小型化封装、高功率和大电流能力以及高速开关特性，在多种应用场景中具有很大的优势。在实际设计中，我们需要根据具体的应用需求，合理选择这些晶体管，并注意其绝对最大额定值和电气特性，以确保电路的稳定运行。你在使用双极晶体管时遇到过哪些问题呢？欢迎在评论区分享你的经验和见解。