0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

同样都是NAND,为什么有些要写驱动、有些SDNAND不用?

AMY 来源:jf_10547009 作者:jf_10547009 2026-05-20 17:46 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

嵌入式开发工程师应该都遇到过这种事:项目里要用一颗NAND Flash,结果翻开数据手册一看,不仅要写SPI驱动,还得自己搞定坏块管理、ECC纠错、磨损均衡……一套搞下来,少说两周,多则两三个月。

但有的项目就不一样。直接拿主控芯片自带的SD卡驱动,两天就跑通了。

都是NAND闪存,差别怎么这么大?

wKgZPGoNgreAWjQnAADCHHDLaDw538.png

问题出在“谁来做管理”

NAND闪存这东西有个特点——它会坏。出厂时就可能有坏块,用着用着还会产生新的。写入的时候电子会跑偏,读出来的数据可能有错。有些区域被反复擦写,老得快;有些长期不用,相对年轻。

这些问题都得有人来处理。谁来处理?有两种思路。

第一种是芯片自己管。坏块管理、ECC纠错、磨损均衡这些复杂工作,全部交给芯片内部的控制器。主控只需要发简单的读写命令,剩下的不用操心。

wKgZO2oNgreACqZiAAB6ly7qZa0506.png

第二种是主控来管。芯片只提供最基本的读写接口,所有管理逻辑都由主控MCU的软件来实现。主控得记住哪个块是好的、哪个块坏了,得自己算ECC,自己均衡擦写次数。

SD NAND和SPI NAND的区别,说白了就是这里。

SD NAND:芯片自带“管家”

SD NAND内部集成了一个完整的控制器。你可以把它理解成芯片自带的“管家”。

这个管家管的事情不少:

坏块管理:出厂时的坏块、使用中产生的新坏块,管家自己标记、自己绕过去,主控完全不用知道。

ECC纠错:数据写入时自动生成校验码,读取时自动检查纠错,主控只管发命令。

磨损均衡:自动把写入操作分散到各个存储块,让所有块用得差不多久。

地址映射:主控用逻辑地址访问,管家把它转成物理地址。

对外提供的是标准SD接口,主控芯片本来就带SD卡驱动。所以拿到SD NAND,直接调现成的驱动就能用,跟操作TF卡一样简单。

米客方德的客户里,用STM32GD32NXP这些主控的,直接用HAL库的SDIO驱动,配一下引脚和时钟,挂上FATFS文件系统,两天就搞定了。不用写任何NAND底层代码。

SPI NAND:芯片给的是“工具箱”

SPI NAND走的是另一条路。它内部也有控制器,但功能相对基础——主要负责把SPI协议转成NAND操作指令,同时提供硬件级的ECC加速。坏块管理、磨损均衡这些更上层的逻辑,留给主控自己决定怎么实现。

这种设计也有它的道理。对于跑Linux系统的设备,内核里已经有成熟的MTD(Memory Technology Device)子系统,专门用来管理NAND闪存。坏块管理、磨损均衡这些功能,MTD层都帮你做好了。工程师只需要把底层的SPI驱动调通,上层用UBIFS这类文件系统就行。

所以SPI NAND更适合那些主控性能强、跑Linux/RTOS、开发团队有存储经验的项目。这类团队往往希望把存储管理的控制权掌握在自己手里,可以根据具体应用场景灵活调整算法参数。

从成本角度看,SPI NAND的芯片单价确实更低。对于那些年产量大、对BOM成本敏感的产品,这笔差价会很明显。

两种方案怎么选?

回到开头的问题:都是NAND,为什么有的要写驱动、有的不用?

答案已经清楚了。SD NAND把复杂的管理工作封装在芯片内部,用硬件替你做了。SPI NAND把部分管理工作留给主控,让有经验的团队自己把控。

两种方案各有各的适用场景:

SD NAND更适合这些情况:

MCU资源有限(单片机、Cortex-M系列)

项目周期紧,不想在存储驱动上花太多时间

团队没有专门的存储工程师

希望像用TF卡一样简单省心

米客方德的客户里,很多是做工业HMI、车载T-BOX、智能穿戴的,他们选SD NAND的原因很简单:不想在存储这件事上折腾,把精力留给产品本身。

SPI NAND更适合这些情况:

系统跑Linux/RTOS,有成熟的NAND管理框架

团队有存储底层开发经验

对BOM成本非常敏感,愿意用软件工作量换硬件成本

需要灵活控制存储管理策略

两种方案没有绝对的好坏,关键看项目情况。SD NAND省心省力,SPI NAND灵活可控。选哪个,取决于你的团队、项目周期和成本结构。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1773

    浏览量

    141394
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    小小的夜灯为啥要用 SD NAND 芯片?内行才懂的升级门道

    方案 []() 本方案基于ESP32-S3主控芯片与CSNP1GCR01-AOW存储芯片(SDNAND)实现智能小夜灯功能。SDNAND采用高速SPI接口,实测连续读取速度达1MB/s左右,支持并行多页
    发表于 05-26 14:40

    PCB无需改版、驱动无需重写!SD NAND极简替代传统eMMC

    其实有一条路被低估了:用米客方德SD NAND替代eMMC。而且好消息是,很多情况下PCB不用改,驱动不用重写。
    的头像 发表于 05-25 16:30 733次阅读
    PCB无需改版、<b class='flag-5'>驱动</b>无需重写!SD <b class='flag-5'>NAND</b>极简替代传统eMMC

    NAND缺货潮必选!创世SD NAND(工业级TF卡),6×8mm小尺寸,稳定供货不拖期

    当前NAND缺货潮持续至2027年,4GB-32GBeMMC交期拉长至52周,价格季度涨幅突破70%,工业自动化、物联网终端面临存储供应难、成本高、稳定性差的三重困境✅创世SDNAND(又称工业级
    的头像 发表于 05-22 16:49 593次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b>缺货潮必选!创世SD <b class='flag-5'>NAND</b>(工业级TF卡),6×8mm小尺寸,稳定供货不拖期

    NAND科普:MK米客方德 SD NAND 和 SPI NAND的区别和应用

    SD NAND和SPI NAND都有NAND FLASH 和 FLASH Controller。 【注意】FLASH Controller就像人的“大脑”,而NAND FLASH就像一
    的头像 发表于 05-19 15:47 635次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b>科普:MK米客方德 SD <b class='flag-5'>NAND</b> 和 SPI <b class='flag-5'>NAND</b>的区别和应用

    工业级板载存储新选择:创世 SD NAND 实测

    驱动器件。 ** 二、核心参数与技术优势** 2.1、核心规格 2.2自研控制器与Flash管理算法 雷龙SDNAND的核心竞争力在于自研控制器+四大Flash管理算法 2.2.1、自研控制器
    发表于 03-17 18:14

    ESP32 驱动瀚海微SD NAND 完整方案 + FAT/FAT32 驱动核心区别

    ESP32 驱动 SD NAND 的核心是基于SDIO 接口(SD NAND 主流通信方式,兼容 SPI 但速率更高),借助乐鑫官方esp-idf框架的SDMMC 驱动库实现,无需额外
    的头像 发表于 02-02 11:38 1014次阅读
    ESP32 <b class='flag-5'>驱动</b>瀚海微SD <b class='flag-5'>NAND</b> 完整方案 + FAT/FAT32 <b class='flag-5'>驱动</b>核心区别

    今年的CES展,到底有些啥?(更新第二批照片)

    前两天我们分享了一些CES展会的精彩瞬间(今年的CES展,到底有些啥?),不少小伙伴表示还没看过瘾。为了让大家更深入了解这场科技盛会,我们再次精选了300张高清美图。精华不容错过,速来查收!具身智能
    的头像 发表于 01-14 16:28 4260次阅读
    今年的CES展,到底<b class='flag-5'>有些</b>啥?(更新第二批照片)

    创世品牌 SD NAND与eMMC优劣势对比

    NAND
    雷龙Lucca
    发布于 :2025年12月09日 17:32:32

    定华雷达仪表学堂:雷达液位计有些什么好处?

    造成干扰,而雷达液位计却能有效应对。此外,工业环境中常见的粉尘问题,通常也会对测量造成阻碍,但雷达液位计几乎不受这类因素影响。这一点充分说明,该设备能够适应较为恶劣的工作条件。有些产品在常规环境中表现良好,
    的头像 发表于 11-21 15:08 640次阅读

    SD NAND写保护问题的分析

    说起SD NAND /SD卡写保护的问题,我们先分析一下出现写保护的一些原因 首先,我们先除去SD大卡的物理开关的问题,目前TF卡和SD NAND都是通过软件进行写保护的开关。 读写中意外断电、未
    的头像 发表于 10-21 10:28 899次阅读
    SD <b class='flag-5'>NAND</b>写保护问题的分析

    基于ZYNQ的创世SD NAND卡读写TXT文本实验

    在之前的介绍中,我们介绍了雷龙SDNAND卡的焊接以及用途。由于SDNAND卡具有容量大,操作简单,可插拔等的特点,经常作为大容量的存储介质用来保存数据。本实验我们来使用FPGA对雷龙SDNAND
    的头像 发表于 09-22 14:30 785次阅读
    基于ZYNQ的创世SD <b class='flag-5'>NAND</b>卡读写TXT文本实验

    边缘计算网关有些品牌?有哪些推荐

    华为:5G+边缘计算的全能标杆 作为全球通信技术领军者,华为的边缘计算网关深度融合5G与边缘计算技术,支持5G/4G/WiFi6多模通信,具备毫秒级时延和全栈自研能力。其产品可实现百万级设备统一管理,依托华为云IoT平台无缝对接100+工业协议,构建“端-边-管-云”闭环生态。典型案例中,华为网关在煤矿项目中通过远程操控和4K视频回传,将事故率降低60%,成为智能矿山、汽车制造等场景的首选。推荐型号如EC-IoT系列,适合全栈智能化升级需求,尤其注
    的头像 发表于 07-11 14:31 1319次阅读

    为何有些充电桩箱变不用补偿?来看分享

    在充电桩行业,“是否需要无功补偿”常被运营商讨论——有的箱变装了大容量补偿装置,有的却“裸奔”运行。难道是厂家偷工减料?还是技术进步的“新玩法”?今天就从技术原理、实际场景和成本逻辑出发,拆解这个问题。 一、负载特性:功率因数高,根本不需要额外补偿 无功补偿的核心是解决“感性无功过剩”问题——传统快充桩的整流模块会将交流电转直流电,过程中会产生大量感性无功(功率因数仅0.6-0.7)。但如果充电桩的负载本身功率
    的头像 发表于 07-08 09:11 2490次阅读
    为何<b class='flag-5'>有些</b>充电桩箱变<b class='flag-5'>不用</b>补偿?来看分享

    什么是Flash闪存以及STM32使用NAND Flash

    ,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。 在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件
    发表于 07-03 14:33