onsemi碳化硅MOSFET NVH4L012N065M3S技术解析
在电子工程领域,功率器件的性能对于整个系统的效率和可靠性起着至关重要的作用。今天我们来深入探讨一下onsemi公司推出的碳化硅(SiC)MOSFET——NVH4L012N065M3S,看看它有哪些独特的特性和应用场景。
产品特性
低导通电阻
这款MOSFET的典型导通电阻 (R{DS(on)}) 在 (V{GS}=18V) 时为 (12mOmega),低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗更小,能够有效提高系统的效率,减少发热。这对于需要处理大电流的应用来说尤为重要,比如汽车充电器和DC - DC转换器。
低电容和低栅极电荷
它具有低有效的输出电容和超低的栅极电荷。低电容可以减少开关过程中的能量损耗,而低栅极电荷则有助于降低驱动电路的功耗,提高开关速度,从而提升整个系统的性能。
可靠的测试和认证
该器件经过了100%的UIS(非钳位感性开关)测试,确保了在感性负载下的可靠性。同时,它还符合AECQ101标准,这是汽车级电子元件的可靠性认证,说明它能够在汽车等恶劣环境下稳定工作。
环保特性
NVH4L012N065M3S是无卤的,并且符合RoHS标准(豁免7a),在二级互连(2LI)上是无铅的,体现了环保理念。
应用场景
汽车充电器
无论是车载充电器还是非车载充电器,都需要高效、可靠的功率器件。NVH4L012N065M3S的低导通电阻和快速开关特性,能够满足充电器对高功率转换效率和快速充电的需求。
电动汽车和混合动力汽车的DC - DC转换器
在电动汽车和混合动力汽车中,DC - DC转换器用于将高压电池的电压转换为适合车载电子设备使用的低压。这款MOSFET的高性能可以确保转换器的高效运行,延长电池续航里程。
电气参数
最大额定值
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | (V_{DSS}) | 650 | V |
| 动态栅源电压 | (V_{GS}) | -10/22.6 | V |
| 连续漏极电流((T_C = 25^{circ}C)) | (I_D) | 102 | A |
| 功率耗散((T_C = 25^{circ}C)) | (P_D) | 375 | W |
| 连续漏极电流((T_C = 100^{circ}C)) | (I_D) | 81 | A |
| 功率耗散((T_C = 100^{circ}C)) | (P_D) | 187 | W |
| 脉冲漏极电流((T_C = 25^{circ}C),(t_p = 100mu s)) | (I_{DM}) | 330 | A |
| 连续源漏电流(体二极管,(TC = 25^{circ}C),(V{GS} = -3V)) | (I_S) | 62 | A |
| 连续源漏电流(体二极管,(TC = 100^{circ}C),(V{GS} = -3V)) | (I_S) | 35 | A |
| 脉冲源漏电流(体二极管,(TC = 25^{circ}C),(V{GS} = -3V),(t_p = 100mu s)) | (I_{SM}) | 250 | A |
| 单脉冲雪崩能量((I_{LPK} = 72A),(L = 0.1mH)) | (E_{AS}) | 259 | mJ |
| 工作结温和存储温度范围 | (TJ),(T{stg}) | -55 到 +175 | (^{circ}C) |
| 焊接用引脚温度(距外壳1/8″,10秒) | (T_L) | 270 | (^{circ}C) |
推荐工作条件
推荐的栅源电压 (V_{GSop}) 范围为 -3V 到 +18V。超出这个范围可能会影响器件的可靠性。
电气特性
- 导通特性:在 (V_{GS}=18V),(I_D = 40A),(T_J = 25^{circ}C) 时,导通电阻为 (12mOmega)。随着温度升高到 (175^{circ}C),导通电阻会有所增加。
- 开关特性:在 (V_{GS} = -3/18V),(ID = 40A),(V{DD} = 400V),(R_G = 4.7Omega),(TJ = 25^{circ}C) 的条件下,开启延迟时间 (t{d(ON)}) 为 5ns,关断延迟时间 (t_{d(OFF)}) 为 49ns,上升时间 (t_r) 为 23ns,下降时间 (tf) 为 12ns。开启开关损耗 (E{ON}) 为 143(mu J),关断开关损耗 (E{OFF}) 为 145(mu J),总开关损耗 (E{TOT}) 为 288(mu J)。
热特性
热阻会受到整个应用环境的影响,不是一个常数,仅在特定条件下有效。在设计散热系统时,需要考虑实际的应用场景和环境因素。
封装信息
NVH4L012N065M3S采用TO - 247 - 4L封装,这种封装具有良好的散热性能和机械稳定性。具体的封装尺寸在数据手册中有详细说明,设计时需要根据实际情况进行布局。
总结
onsemi的NVH4L012N065M3S碳化硅MOSFET凭借其低导通电阻、低电容、低栅极电荷等特性,以及可靠的测试和认证,在汽车充电器和DC - DC转换器等应用中具有很大的优势。电子工程师在设计相关电路时,可以充分利用这些特性,提高系统的性能和可靠性。不过,在实际应用中,还需要根据具体的需求和条件,对器件的参数进行验证和优化。你在使用类似的功率器件时,有没有遇到过什么挑战呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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