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什么是二极管结电容和反向恢复时间?(二)

张飞实战电子官方 2026-04-29 11:05 次阅读
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上一篇文章我们详细讨论了二极管的结电容:势垒电容和扩散电容。我们也知道了数据手册中所给出的结电容参数,它的大小和反向恢复时间没有关系。如下表所示:

序号

种类

型号

结电容

反向恢复时间

封装

品牌

1

普通整流二极管

1N4007

15pF

1us

DO-41

固锝

2

快恢复二极管

1N4933G

10pF

150ns

DO-41

杨杰

3

超快恢复二极管

ES1J

8pF

35ns

SMA

安森美

4

肖特基二极管

1N5819W

110pF

10ns

DO-41

固锝

5

开二极关管

1N4148

4PF

4ns

DOS-323

强茂

通过上表可以反推,里面的结电容其实指的是势垒电容。

49a385de-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

我们还是以ES1J数据手册给出的参数为例,可以看出,它测试出来的结电容参数是有条件的:VR=4.0V,f=1.0MHz。那么,这里面的VR指的就是加在二极管两端的反向电压,reverse反向的意思。所以,得出一个结论:二极管的反向恢复时间和扩散电容是有关系的。扩散电容越大,反向恢复时间越长;扩散电容越小,反向恢复时间越短。同时,我们也分析过,正向导通的电流越大,扩散电容也就越大。也就是说,如果正向导通电流越大的话,少数载流子的积累效应就越强。

事实表明,PN结正偏的时候,结电容主要是扩散电容,PN结反偏的时候,结电容主要是势垒电容。

我们再回到最初的疑问:反向恢复时间和结电容(扩散电容)什么关系?

反向恢复时间

49e62646-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

由PN结构成的二极管都会有一个Trr的参数,这个参数就是二极管的反向恢复时间。trr这个参数决定了二极管的最高工作频率。那反向恢复时间到底是怎么来的呢?我们来看下面这个图。

4a2d9bca-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

在开关拨到左边1时,二极管接正向电源,正向电流IF=(Vf-Vpn)/Rf。可以想象,此时PN结处充斥的很多的载流子,也就是存储了很多的电荷。如果我们观察半导体内部,会发现,整个PN结,包括内建电场区,到处都有载流子存在。也就是说,现在整个PN结相当于是良导体,如果电源迅速反向,电流也是可以迅速反向的。

4a6f153c-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

我们看上面这幅图。在开关拨到右边0时,二极管接反向电源,但是此时PN结正偏的特性不会马上改变。为什么PN结的正偏特性不会改变呢?

可以这么看,PN结反偏时内建电场区是基本没有电荷的,很明显,现在存了很多电荷,不把这些电荷搞掉,正偏特性不会变化的。也可以理解为是结电容导致电压不能突变,电荷没放完,结两端的电压就不会变反向。

与此同时,因为存储了大量电荷,此时PN结可以看成良导体,电流立马反向,反向电流IR=(Vr+Vpn)/Rr。不过需要注意,这时电流的成因是少数载流子反向运动的结果,随着时间推移,少数载流子数量是越来越少的。

4aade17c-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

看上面这幅图,刚才说到,随着时间的推移从t0时刻到ts时刻,少数载流子数量越来越少,当t>ts之后,中间被阻断,那是不是整体电流就立马下降到0呢?其实不是的,电流还是存在的,这是暂态电流。因为P区和N区各自剩余的少数载流子并没有达到热平衡,最终会复合消失,这个复合会产生电流。

这个可能不好理解,中间都断了,不允许电荷穿过,怎么还能有电流呢?我们知道,只有形成闭合回路,才能产生电流,这个电流指的是恒定的电流,也就是说串联电路中的电流处处相等。实际上不形成回路也能有电流,那么电流是怎么产生的呢?电荷流动,就是电流。没有回路,也能有电流,那叫暂态电流。就好比一根水管,堵住一端,水也能流进,直到水管满为止。

所以,尽管中间阻断了,也还是有电流的,只有当重新达到热平衡,复合电流才会为0。整个过程,电源电压,二极管两端电压,反向电流的波形图如下所示,图中的trr就是反向恢复时间。

4af843ac-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png4b3411de-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

有时也会看到上面这样的图,二极管反向电流最大值的地方并不是平的,并且二极管两端电压会出现反向尖峰。那到底哪个图是对的呢?其实,这个差异,仅仅只是电路的不同。如果看明白前面说的二极管反向恢复电流的形成过程,这个图也就能理解了。

前面画的波形,我们的电路中串联有电阻,当没有这个电阻的时候,或者说电阻很小的时候。反向电流会非常大,而从正向电流变为反向电流,这需要时间,这会导致di/dt非常大。此时,电路中的电感就不能忽略了,因为有电感的存在,导致二极管两端会存在比电源还大的电压,也就是反向电压尖峰。

4b683252-4378-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

整个过程如下:

1、在t0之前,电感有正向的电流IF。

2、在t0时刻,电源突然反向,因为二极管内部充满电荷,此时相当于导体,所以压降很小,这导致反向电压全都落在了电感上面,因此电流以斜率为di/dt=(Vr+Vpn)/L下降。

3、在ts时刻,二极管开始恢复阻断能力,此时电流达到最大,随后反向电流会下降。

4、在ts之后,二极管的电流为复合电流,随着载流子越来越少,电流也越来越小。此时电感会阻碍电流变小,因此会产生反向感应电压,这会导致在二极管两侧的反向电压比电源电压还大,也就是会出现反向电压尖峰Vrm。随着时间越来越长,复合电流基本为0了,电感电压也就基本为0了,此时二极管两端电压也就等于电源电压Vr。

总的来说,反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。因此,就很容易明白下面这些:

1、反向电源电压越小,反向恢复电流越小,电荷耗尽越慢,反向恢复时间越长。

2、正向电流越大,存储的电荷越多,耗尽时间越长,反向恢复时间越长。

3、半导体材料的载流子复合效率越低,寿命越长,电荷耗尽时间越长,反向恢复时间越长。

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