0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

决战南昌 国际第三代半导体专业赛东南赛区20强重磅出炉

电子工程师 来源:网络整理 2018-11-02 08:58 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近日,第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛(以下简称“大赛”)东南赛区复赛正式完成,东南赛区20强在层层选拔中,重磅出炉,成功晋级总决赛。本届大赛在东南赛区的赛事以中国创新创业大赛组委会办公室为指导单位,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、江西省科技厅和南昌市人民政府主办,南昌市科技局、南昌高新区管委会承办。

层层筛选 20强项目脱颖而出

大赛东南赛区自8月21日宣布启动以来,经过2个月全国各地的项目征集,并重点在福建的厦门、泉州,广东的广州等城市通过实地路演的方式甄别海选报名项目。通过初赛,共50个优秀项目入围复赛,复赛评审团由10位一线投资人及机构合伙人、半导体行业专家组成,针对项目提交的资料,多维度考量每一个参赛项目的情况,从商业模式、创业团队、产品概念和创新性、核心技术及竞争力、市场规模、运营数据及财务数据等各方面表现线上系统评分,最终复赛项目全部出炉,成功晋级东南赛区总决赛。本次入围项目均在大赛要求的领域范围内,包含第三代半导体相关消费类电子及机器人、智慧照明及显示技术、新能源并网与能源互联网、5G通信、新能源汽车与轨道交通、军民融合等。从整体评分情况看,光电子、电力电子微波射频等领域的项目更受欢迎,同时应用领域如传感器、LIFI技术、OLED显示等项目也受到青睐。

决战南昌 总决赛再掀热潮

接下来,复赛优胜项目将于11月8日在南昌绿地铂骊酒店进行总决赛路演,现场将分为企业组与团队组分别进行比赛,比赛方式则为现场路演+评委问答的方式进行评选。总决赛项目的评选将更多会考虑项目的技术领域的创新性和市场前景和可行性,最终成绩由高到低进行排名,企业组和团队组每组评选出前3名晋级全国总决赛。总决赛的现场更看重企业的“真正实力”,不仅对项目质量要求高,同时竞争也更为激烈。

11月9日上午,第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛东南赛区将进行大企业对接会,挖掘南昌以及东南地区第三代半导体产业领域内上市企业、行业龙头企业和骨干企业的技术难点和行业关键共性技术难题,根据征集的需求命题,安排创新企业与相关企业进行现场接洽和对接,不断促进企业创新和产业升级,巩固命题发布企业在行业中的优势地位。

当天下午,活动主办方还将针对东南赛区举行隆重的颁奖典礼,所有晋级决赛的项目均将上台接受颁奖,同时企业组和团队组的前三名还将获得荣誉奖杯及奖金。与此同时,秉着产业发展与双创深度融合,促进大企业、高校和科研院所开放创新资源,实现大中小企业融通对接的宗旨,活动主办方特别在颁奖典礼同期举办“中国照明与显示技术创新峰会”,充分调动政、产、学、研、用、金等各方优势资源,达到促进科技成果转化、人才建设并释放产业示范订单,引导优质项目落地的目标。

产业创新高速期,打造创新型创业平台

目前,我国第三代半导体产业正进入高速发展阶段。从战略上讲,重视第三代半导体材料是整个国家的需要,也是我国发展的新机会。第三代半导体材料作为新材料产业的重要组成部分,是全球战略竞争新的制高点。作为国家级双创赛事“中国创新创业大赛”专业赛事之一,第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛有效整合了国内外第三代半导体优秀资源,并通过赛事平台集聚了众多国际优秀项目、技术和人才对接中国第三代半导体产业,助力中国第三代半导体产业发展提质增效,最终实现中国第三代半导体在世界舞台的迅速崛起。

附:第七届中国创新创业大赛国际第三代半导体专业赛·东南赛区决赛名单

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31274

    浏览量

    266677
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 VS 氮化镓:第三代半导体的“双雄对决”

    以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率,逐步取代传统硅器件,成为电源系统的“新引擎”。然而,两者虽同属宽禁带半导体,却在材料特性
    的头像 发表于 04-28 14:44 320次阅读
    碳化硅 VS 氮化镓:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的“双雄对决”

    博世第三代碳化硅芯片:性能跃升20%,重构电动汽车效率新标杆

    2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“综合性能提升20%”为核心突破,通过全球产能布局与技术革新,为电动汽车电驱系统注入高效能量控制新动能,标志着碳化硅半导体在电动出行领域的技术与产业双重突破。
    的头像 发表于 04-28 11:34 853次阅读

    高频交直流电流探头在第三代半导体功率模块动态测试中的精准测量

    高频交直流电流探头克服磁饱和问题,实现超宽频带响应,适用于第三代半导体动态测试,提升电流测量精度与效率。
    的头像 发表于 03-13 11:56 208次阅读

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在半导体行业高速发
    发表于 01-31 08:46

    龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台

    今天,龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代(G3) 超结 MOSFET技术平台。
    的头像 发表于 01-22 14:44 1097次阅读
    龙腾<b class='flag-5'>半导体</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术平台

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基
    的头像 发表于 01-16 11:41 553次阅读

    高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用

    高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
    的头像 发表于 01-15 09:16 391次阅读

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    :Neway定位中高端市场,通过技术差异化(如高频化、高可靠性)获取溢价,部分抵消成本压力。例如,其第三代模块价格较同规格国际品牌低40%,但仍高于普通硅基方案。成本传导机制:在原材料价格上涨时,Neway
    发表于 12-25 09:12

    芯干线斩获2025行家极光奖年度第三代半导体市场开拓领航奖

    2025年12月4日,深圳高光时刻!由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕,数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂,共襄产业盛事。
    的头像 发表于 12-13 10:56 1143次阅读
    芯干线斩获2025行家极光奖年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>市场开拓领航奖

    光莆股份亮相2025中国国际半导体照明论坛

    2025年11月11-14日,第十一届国际第三代半导体论坛&第二十二届中国国际半导体照明论坛(IFWS&SSLCHINA 2025)在厦门盛
    的头像 发表于 11-14 17:53 2694次阅读

    CINNO出席第三代半导体产业合作大会

    10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
    的头像 发表于 10-27 18:05 1571次阅读

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
    的头像 发表于 10-08 13:12 1057次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>B3M平台深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    电镜技术在第三代半导体中的关键应用

    第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
    的头像 发表于 06-19 14:21 917次阅读
    电镜技术在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>中的关键应用

    第三代半导体的优势和应用领域

    随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体材料应运而生。
    的头像 发表于 05-22 15:04 2878次阅读

    瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)

    随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的第三代超结MOSFET,能全面满足高效能需求。
    的头像 发表于 05-22 13:58 1077次阅读
    瑞能<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术解析(1)