AS2621 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

1、方案名称：AS2621 700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

2、品牌：紫源微（Zymicro）

3、描述：AS2621是一款高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动芯片，具有两个独立地传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。

4、方案特色：

• 宽VIN范围：5.5V至40V

• 自举工作的浮动通道

• 最高工作电压为700V

• 兼容3.3V，5V和15V输入逻辑

• dV/dt耐受能力可达±50V/nsec

• VS负压耐受能力达-9V

• 栅极驱动电压：10V到20V

• 高、低侧欠压锁定电路：欠压锁定正向阈值8.9V，欠压锁定负向阈值8.2V

• 芯片开通/关断传输延时：Ton/Toff=130ns/130ns

• 防止直通保护：死区时间250ns

• 高低侧延时匹配

• 驱动电流能力：拉电流/灌电流=4.0A/4.0A

• 符合RoSH标准

• 采用SOP-8封装

5、应用领域：

• 电机控制

• 空调/洗衣机

• 微型逆变器驱动程序

6、应用原理图：

审核编辑 黄宇