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面向下一代GPU VPD架构的供电系统超低压大电流测试方案 —— 费思N系列电子负载技术解析与应用实践

刘娟 来源:jf_31286713 作者:jf_31286713 2026-03-13 17:26 次阅读
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一、引言:AI算力演进下的供电测试挑战

随着AI训练模型的复杂度持续提升,GPU的峰值电流需求将达到2000A-5000A甚至更高水平,而核心电压则维持在 0.8****V甚至更低 。传统LPD(横向供电)架构电流路径长、寄生参数大、动态响应慢等原因,已无法满足下一代GPU的供电需求。

电源需求趋势.jpg

今年CES上,英伟达NVIDIA确定Rubin会用 VPD(垂直供电) 方案。根据英伟达NVIDIA的说法,Rubin架构将搭载更宽、更多的HBM4显存,HBM因为已经占据了GPU封装周围所有空间,物理位置已经没有给LPD(横向供电),因此VPD是确定性方案。英特尔、谷歌也都已开始尝试VPD方案,华为也在关注这项技术,华为有一项关于“芯片垂直供电系统”的发明专利。(信息来源:电子工程专辑)
LPD与VPD的对比图.jpg

(图片来源:Vicor官网)

然而,VPD架构的引入也对供电系统的测试验证提出了前所未有的挑战:如何在极低电压下精确模拟数千安培的动态负载,如何 验证PMIC电源管理芯片)在纳秒级瞬态响应中的稳定性 ,成为摆在所有上游供应商面前的生死线。

二、技术挑战:VPD架构下的测试难点及应对

挑战维度具体表现
超低电压带载能力核心电压低至0.8V以下,要求测试设备具备极低的起始工作电压(<0.5V)
超高电流模拟峰值电流达5000A,需设备具备大电流扩展能力与高稳定性
动态响应测试瞬态电流响应变化率需达5A/us,以模拟AI任务的突发负载
PMIC/VRM稳定性验证需捕捉电压跌落(Droop)与过冲(Overshoot)等微秒级瞬态
GaN/SiC器件适配高频开关器件对测试设备的高精度与低干扰提出更高要求

面对这些挑战,传统电子负载已难以胜任。费思(Faith)凭借其深厚的技术积累和卓越的产品性能,其 N系列超低电压大电流电子负载 ,专为GPU/CPU超低电压测试场景设计,具备0.2V起始的超低压带载能力,能够完美覆盖下一代GPU核心电压的测试范围。在电流吞吐方面,费思N系列电子负载不仅能够稳定实现2000A的大电流测试,更具备扩展至5000A极限测试的能力,精准复现GPU在AI训练峰值时的满载工况。
曲线特性3.png

费思N系列电子负载超低压特性能力曲线图

尤为关键的是,费思N系列低压大电流电子负载具备高达20A/μs的动态电流斜率,远超行业普遍标准。这意味着它能够逼真模拟GPU在执行复杂矩阵运算时毫秒级的电流骤变,协助工程师捕捉PMIC(电源管理芯片)在极端动态下的微小电压跌落(Droop)与过冲(Overshoot),从而优化环路响应速度,确保供电系统的绝对稳健。正是凭借这一卓越性能,费思(Faith)已获得英伟达NVIDIA及其核心PMIC、GaN供应商的高度认可,成为其研发实验室重要的测试设备。
b7b4244b-ccbf-4c78-96d3-85dfa2b369b6.png

微妙级动态响应下的电流变化图

在英伟达NVIDIA的生态体系中,高效的供电不仅依赖于架构创新,更离不开功率半导体材料的迭代。为了配合VPD架构对高开关频率与低损耗的严苛要求,以GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)为代表的宽禁带器件已成为主流。费思(Faith)的测试方案深度融入了这一趋势,其高精度负载能够 有效验证GaN器件在高频下的开关特性与热稳定性 ,帮助合作伙伴优化图腾柱PFC及LLC谐振变换器的拓扑设计,从而在有限的空间内实现更高的功率密度与转换效率。

三、解决方案:费思N系列超低电压大电流电子负载

费思(Faith)深耕低压大电流测试领域多年,其技术积累源于新能源领域最严苛的测试需求,并针对英伟达NVIDIA VPD架构AI算力场景进行了深度优化,专为CPU/GPU供电测试设计的费思N系列电子负载系列具备以下核心技术优势:

1. 超低电压带载能力

N系列:支持 0.2V满电流带载,最高达5000A@0.2V,完美匹配下一代GPU VPD架构的核心电压;

最小内阻<0.2mΩ,确保低压工况下的高电流拉载能力,极大降低测试功耗。

2. 超高电流扩展能力

单机支持2000A@0.2V(FT68206N-20-2000);

可扩展至5000A@0.2V(FT68215N-20-5000),覆盖AI训练峰值负载需求。

3.极速动态响应速度

20A/us的瞬态电流响应变化,瞬态测试频率可达20kHz,可精准模拟GPU在矩阵运算中的微秒级电流骤变,帮助工程师捕捉PMIC(电源管理芯片)瞬态响应。

4. 高精度瞬态捕捉

支持电压跌落(Droop) 与 过冲(Overshoot) 实时监测;

电压测量精度高达0.025%+0.025%F.S.,电流测量精度 0.05%+0.05%F.S.,确保测试数据可靠。

5. 多种测试模式

支持恒电流、恒电压、恒电阻、恒功率四种模式;

提供序列测试功能,可编辑复杂负载时序,模拟实际工况,适用于PMIC(电源管理芯片)动态特性验证。

6.通信与控制

N系列产品图.jpg

支持RS232RS485、LAN、USBCAN(选配);

支持SCPI与ModBus协议,便于系统集成与自动化测试,可快速融入现有测试平台。

四、产品系列与选型指南

以下为费思N系列电子负载中适用于GPU VPD研发测试的主力型号,用户可根据电流需求选择:

型号表.png

五、应用场景:从实验室到产线的全链路支持

应用阶段测试目标推荐型号费思N系列电子负载价值体现
PMIC/VRM研发验证验证VPD架构下的动态响应FT68203N-20-1000高动态负载模拟+ 瞬态捕捉
GPU系统集成测试模拟AI训练峰值负载FT68215N-20-50005000A扩展能力 + 0.2V低压带载
GaN / SiC模块测试高频开关特性验证FT68206N-20-2000高精度负载+ 低干扰设计
CPU Vcore测试处理器核心供电验证FT68203N-20-1000超低压满电流+ 高精度测量
产线批量测试稳定性与一致性检测FT68203N-20-1000超低压满电流+ 高精度测量

、结语:为算力时代筑牢电源测试基石

费思N系列超低电压大电流电子负载,不仅是测试设备性能的突破,更是对AI算力产业链的一次关键赋能。它解决了VPD架构转型过程中的核心测试难题,为英伟达NVIDIA下一代GPU的性能释放扫清了验证障碍。随着AI工厂对能效与密度的要求愈发严苛,费思(Faith)将继续以领先的测试技术,携手全球顶尖的PMIC(电源管理芯片)与功率器件厂商,共同筑牢算力时代的能源基石,见证每一次算力奇迹的诞生。

审核编辑 黄宇

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