作为下一代高能量密度技术的代表,全固态电池(SSBs)备受瞩目。其中,硅(Si)负极凭借其接近金属锂的超高理论比容量(3579 mAh g⁻¹)和适中的工作电位(约0.1-0.5 V vs. Li⁺/Li),成为取代锂金属负极的理想选择。更重要的是,相比锂铟(Li-In)合金,硅负极表现出更高的临界电流密度,且本质上对锂枝晶形成具有抵抗力。然而,硅基全固态电池目前面临着严重的电化学可逆性差和库伦效率(CE)低下的问题,尤其是首次库伦效率(ICE),这极大地限制了其实际容量利用率和能量密度。
目前,采用硫化物固态电解质(如Li₆PS₅Cl,LPSC)的硅基半电池 ICE 通常仅为 78-90%,而在与 NCM 正极匹配的全电池中,ICE 甚至低于 85%。研究表明,初始充放电循环中的不可逆锂损失主要源于两方面:一是用于形成固体电解质中间相(SEI)的锂消耗(C-Li,约占12%),这归因于硅与 LPSC 界面较差的(电)化学兼容性;二是动力学受限的锂(K-Li,约占11%),源于体相和界面离子/电子传输动力学缓慢,导致绝缘死锂硅合金的形成。
尽管已有预锂化、锂硅合金负极及新型固态电解质(如 LBHI)等策略尝试解决上述问题,但仍存在安全隐患、界面副反应加剧或高温运行受限等挑战。针对这一瓶颈,本文提出了一种基于卤化物化学的表面卤化工程策略。利用AlCl₃与 SiO₂的热力学反应活性,将硅颗粒表面的惰性无定形SiO₂钝化层转化为功能性的Al(Si)OCl复合层。这一人工界面层不仅解决了界面不兼容问题,还构建了快速的离子/电子传输通道,有效抑制了不可逆锂损失。
表面卤化改性机制
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研究团队选择 AlCl₃作为卤化剂,是因为其沸点适中且能与 SiO₂自发反应。通过简单的混合加热工艺(180°C),实现了硅颗粒表面的改性(命名为Si@AlCl₃)。

卤化反应的验证实验及 Si@AlCl₃的结构/元素表征
如图所示,XRD、拉曼光谱和 XPS 分析证实,AlCl₃作为路易斯酸催化剂,将硅表面的原生 a-SiO₂层转化为结晶的AlOCl和残留的 AlCl₃(统称为 SA 层),同时完全消除了 SiO₂。HRTEM 图像清晰显示,改性后硅颗粒表面的 5-10 nm 非晶层消失,取而代之的是具有晶格条纹的卤化层。
抑制不可逆锂损失与提升 ICE
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电化学测试表明,Si@AlCl₃负极展现出卓越的可逆性。在 25°C 下,半电池 ICE 达到94.3%,显著高于纯硅负极的 88.4%。硅活性材料的比充电容量也从 2924 mAh g⁻¹提升至3324.6 mAh g⁻¹。更重要的是,利用中子深度剖析(NDP)技术结合气相色谱(GC)分析,研究人员量化了不可逆锂损失的分布。

不可逆锂损失的研究
结果显示,Si@AlCl₃负极界面处的锂浓度大幅降低,表明用于 SEI 形成的 C-Li 减少(从 9.9% 降至 7.5%);同时体相中的锂含量也急剧下降(从 1.5% 降至 0.1%),意味着动力学受限的 K-Li 得到有效缓解。XPS 分析进一步揭示,循环过程中生成的LiCl和AlOCl组分在电化学上保持相对稳定,构成了坚固的 SEI,持续保障了后续循环的可逆性。
化学/电化学兼容性与动力学增强
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XPS 和 EIS 分析证实,纯硅负极与 LPSC 电解质之间存在严重的化学副反应,生成大量氧化态的磷硫化合物,导致界面阻抗随时间不断增加。相比之下,Si@AlCl₃与 LPSC 表现出优异的化学兼容性,界面阻抗低且稳定。
在电化学稳定性方面,循环后的 Si 负极界面出现大量孔洞和氯元素聚集,表明界面失效严重。而 Si@AlCl₃负极即使在多次循环后仍保持界面清晰完整。这种稳定的界面极大提升了电荷转移动力学。GITT测试表明,Si@AlCl₃负极在放电过程中呈现直接的单相转变(Si 到 Li₃.₇₅Si),绕过了纯硅负极初始的固溶反应阶段,且平均扩散系数更高(2.96×10⁻¹⁰cm²s⁻¹),证明了更快的离子传输和反应动力学。
全电池性能与普适性验证
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得益于上述优势,Si@AlCl₃负极在长循环中表现出色。在 10.5 A g⁻¹的高倍率下循环 400 次后,容量保持在约 700 mAh g⁻¹,平均 CE 高达99.998%。

采用卤化物盐驱动改性策略的硅基全固态电池的电化学性能
特别是在无导电碳、无粘结剂的高载量(>10 mAh cm⁻²)条件下,Si@AlCl₃负极在 5.1 mA cm⁻²电流密度下循环 500 次后仍保持 72% 的容量,远超迅速失效的纯硅负极。与商业NCM811正极组装的全电池在 200 次循环后容量保持率为 80%,平均 CE 超过 99.95%。若结合预锂化技术,全电池 ICE 可进一步提升至86.6%。
最后,该研究验证了卤化物改性策略的普适性,包括 TaCl₅、BiCl₃等其他金属氯化物也展现出类似的增强效果。这一发现为开发高可逆性、高能量密度的硅基全固态电池提供了一条极具前景的通用路径。
原文参考:Surface halogenation engineering for reversible silicon-based solid-state batteries
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