安森美“狂揽”亚洲金选奖三项大奖

近日，亚洲金选奖（EE Awards Asia）正式揭晓！安森美（onsemi）凭借在智能电源和智能感知领域的卓越创新，一举斩获三项重要大奖：

Best Power Semiconductor of the Year「年度最佳功率半导体奖」：授予采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

年度最佳传感器奖（最具潜力产品）「Best Sensor of the Year (Most Promising Product)」：授予Hyperlux ID iToF 先进深度传感器。

5th Anniversary Award「五周年成就奖」: 此奖项旨在表彰安森美在过去五年中累计斩获最高票数的卓越表现，体现了市场与工程师社群安森美产品卓越性能与可靠性的高度认可。

750V SiC Combo JFET，突破AI大功率应用核心痛点

安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU设计中备受青睐，有助于实现下一代20 kW系统，以创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性，解决了AI领域大电流、高功率场景的核心痛点。

UG4SC075005L8S具有多个优势：

超低导通电阻RDS(ON)：得益于先进的SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm，可显著降低导通损耗，提高能效。

更高的峰值电流Idm：该器件具备高峰值电流，这对于要求高稳健性和大电流穿越能力的电路保护应用至关重要，是实现相关保护功能的理想选择。

低热阻RθJC：采用银烧结裸片贴装技术，其界面导热性能比多数焊接材料提高了六倍，即使在更小的裸片尺寸下，也实现了相同甚至更低的结至外壳热阻RθJC。这对于保持较低的结温，进而确保更高的可靠性至关重要。

此外，该产品具备出色的速度可控性，通过调节关断速度有效减少电压过冲，强化短路保护能力，并适用于多路并联应用，在开关损耗与动态电流之间实现良好平衡。其结构简单、寿命长且无参数漂移问题，同时兼容成熟的硅基晶体管驱动器，无需专用驱动电路，大大简化系统设计并加速产品开发进程。

先进深度传感器，最远实现30米深度感知

此次获奖的Hyperlux ID 系列，代表了iToF传感技术的重大飞跃。Hyperlux ID iToF 先进深度传感器Hyperlux ID 系列使用安森美全新专有全局快门像素架构且自带存储，可以捕捉整个场景，同时实时进行深度测量，突破标准 iToF 传感器的局限性，实现最远 30 米的深度感知。

Hyperlux ID 系列包括120 万像素全局快门、3.5µm背照式（BSI）像素传感器。AF0130型号还自带处理功能，令集成更简单并降低系统成本。对于那些希望集成自有深度检测算法的客户，AF0131可以提供这一特性，为客户增加了选择灵活性。

在应用层面，Hyperlux ID广泛适用于面部识别、手势检测和 3D 视频会议等消费应用场景，以及各种工业环境，例如自动化与机器人、制造与质量控制、物流与物料处理、农业与种植、访问控制系统。

传统的iToF传感器由于测距范围有限、在恶劣光线条件下性能不佳以及无法对移动物体计算深度，其应用受到了限制。Hyperlux ID 系列能够对移动物体和高分辨率图像进行精确测量，有助于减少错误和停机时间，优化制造系统的流程，从而降低运营成本。Hyperlux ID深度感知距离是标准 iToF 传感器的四倍，而且外形尺寸更小。 此外，该传感器系列还能同时生成黑白图像和深度信息。 通过结合这两种输出，该传感器系列可以提供全面的环境视图，而无需为视觉和深度数据分别配置传感器。