解析 onsemi FGHL60T120RWD IGBT:性能、参数与应用优势
在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为功率半导体器件,在众多应用场景中发挥着关键作用。今天,我们就来深入剖析 onsemi 推出的 FGHL60T120RWD IGBT,看看它有哪些独特之处。
文件下载:onsemi FGHL60T120RWD 1200V 60A分立式IGBT.pdf
产品概述
FGHL60T120RWD 采用了新颖的第 7 代场截止 IGBT 技术以及 Gen7 二极管,并封装于 TO - 247 3 引脚封装中。这种组合使得该器件在各种应用中表现出色,能够实现低传导损耗和良好的开关可控性,从而达成高效运行。其典型应用场景包括电机控制、UPS(不间断电源)、数据中心以及高功率开关等领域。

关键特性
低传导损耗与优化开关性能
该 IGBT 具备低传导损耗的特点,这意味着在导通状态下,它能够减少能量的损耗,提高系统的效率。同时,其优化的开关性能可以确保在开关过程中快速、稳定地切换状态,降低开关损耗。
高结温承受能力
最大结温 $T_{J}$ 可达 $175^{\circ}C$,这使得器件能够在高温环境下稳定工作,适应一些对散热要求较高或者工作环境较为恶劣的应用场景。
正温度系数与易于并联操作
正温度系数的特性使得多个 FGHL60T120RWD IGBT 可以方便地进行并联操作,以满足更高功率的需求。在并联使用时,各个器件能够自动平衡电流,避免出现热失控等问题。
高电流能力与动态测试
具备高电流能力,并且所有器件都经过 100% 的动态测试,这保证了产品的一致性和可靠性。同时,它还具有短路额定能力,能够在短路情况下保护自身和整个系统。
环保合规
符合 RoHS 标准,这表明该产品在生产过程中遵循了环保要求,减少了对环境的影响。
主要参数
最大额定值
| 参数 | 符号 | 条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压 | $V_{CES}$ | - | 1200 | V |
| 栅极 - 发射极电压 | $V_{GES}$ | - | +20 | V |
| 瞬态栅极 - 发射极电压 | - | - | ±30 | V |
| 集电极电流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{c}$ | 注 1 | 120 | A |
| 集电极电流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{c}$ | - | 60 | A |
| 功率耗散($T_{c}=25^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 833 | W |
| 功率耗散($T_{c}=100^{\circ}C$) | $P_{D}$ | - | 416 | W |
| 脉冲集电极电流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{CM}$ | 注 2 | 180 | A |
| 二极管正向电流($T_{c}=25^{\circ}C$) | $I_{F}$ | 注 1 | 120 | A |
| 二极管正向电流($T_{c}=100^{\circ}C$) | $I_{F}$ | - | 60 | A |
| 脉冲二极管最大正向电流($T{c}=25^{\circ}C$,$t{p}=10\ \mu s$) | $I_{FM}$ | - | 180 | A |
| 工作结温和存储温度范围 | $T{J}$,$T{stg}$ | - | -55 至 +175 | $^{\circ}C$ |
| 焊接用引脚温度 | $T_{L}$ | - | 260 | $^{\circ}C$ |
热特性
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| IGBT 结 - 壳热阻 | $R_{\theta JC}$ | 0.18 | $^{\circ}C/W$ |
| 二极管结 - 壳热阻 | $R_{\theta JCD}$ | 0.33 | $^{\circ}C/W$ |
| 结 - 环境热阻 | $R_{\theta JA}$ | 40 | $^{\circ}C/W$ |
电气特性
包括关断特性、导通特性、动态特性和开关特性等多个方面,这些特性详细描述了 IGBT 在不同工作状态下的性能表现。例如,在关断特性中,集电极 - 发射极击穿电压 $B{VCE S}$ 在 $V{GE}=0V$,$I{c}=5mA$ 时为 1200V;在导通特性中,栅极阈值电压 $V{GE(th)}$ 在特定条件下为 5.94 - 6.7V 等。
典型特性曲线
文档中提供了一系列典型特性曲线,如输出特性、转移特性、饱和特性、电容特性、栅极电荷特性等。这些曲线直观地展示了 IGBT 在不同工作条件下的性能变化,对于工程师进行电路设计和性能评估非常有帮助。例如,通过输出特性曲线可以了解集电极电流与集电极 - 发射极电压之间的关系,从而确定器件的工作区域。
封装尺寸
该器件采用 TO - 247 - 3LD CASE 340CX 封装,文档详细给出了封装的尺寸信息,包括各个维度的最小、标称和最大值。这对于 PCB 设计和散热设计至关重要,工程师可以根据这些尺寸信息合理布局电路板,确保器件的安装和散热效果。
应用建议
在使用 FGHL60T120RWD IGBT 时,需要注意以下几点:
- 散热设计:由于其最大结温较高,但在实际应用中仍需要良好的散热措施来保证器件的性能和可靠性。可以根据热特性参数选择合适的散热片或散热方式。
- 并联使用:虽然该器件具有正温度系数,易于并联操作,但在并联时仍需要注意均流问题,确保各个器件的电流分配均匀。
- 工作条件:要严格按照最大额定值和电气特性参数来使用器件,避免超过其极限条件,否则可能会导致器件损坏或性能下降。
FGHL60T120RWD IGBT 凭借其先进的技术、优异的性能和丰富的特性,为电子工程师在电机控制、UPS 等领域的设计提供了一个可靠的选择。在实际应用中,工程师需要充分了解其参数和特性,合理进行电路设计和散热设计,以发挥其最大优势。你在使用 IGBT 过程中遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验。
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