创“芯”前行！度亘核芯蝉联2025年度“中国激光星锐奖·最佳半导体激光器技术创新奖”

2025年11月28日，“2025第四届中国激光星锐企业峰会”及“第四届中国激光星锐颁奖典礼”在武汉光谷隆重召开。度亘核芯自主研发的“915/976nm 50W 高亮度半导体激光芯片”经行业权威评审委员会严格评审、网络投票等多维度综合评选，从一众申报技术中脱颖而出，荣膺“2025中国激光星锐奖·最佳半导体激光器技术创新奖”！

获奖产品

915/976 nm 50W高亮度半导体激光芯片

度亘核芯研发的“915/976nm 50W高亮度半导体激光芯片”实现了半导体激光器核心技术的突破性进展。凭借50W高功率稳定输出与优异的光束质量双核心优势，为工业加工、科研探索等领域提供更高效、更可靠的核心光源解决方案，赋能下游装备升级与产业创新发展！

核心技术创新

高功率、高效率

依托高自由度外延设计 + 精细化能带调控，精准优化内量子效率，实现低阈值电流与高斜率效率的平衡；搭配高精度掺杂控制技术，大幅降低串联电阻、提升载流子输运效率，使320μm条宽单管器件在50W输出时电光转换效率（PCE）达63%。以硬核技术实现 “高功率输出 + 低能耗运行”，为下游设备带来显著的使用成本优化。

高亮度光束质量

创新采用长腔长设计，通过扩展腔长降低腔内功率密度，抑制高阶模激发，提升光束质量；同时，采用多元化模式控制并结合新型扩展波导专利技术，显著降低慢轴发散角，在50W输出时实现95%能量内慢轴发散角≤9.2°，侧向亮度达3.9W/(mm·mrad)，让激光能量更集中、作用更精准，为高端激光加工、精密装备等场景提供超高品质光束支撑。

高可靠性设计

以全流程精细化工艺打造低缺陷外延材料：通过优化调节气流配比、反应室压力、生长温度等核心参数，实现低杂质、低光学吸收的优质材料生长；应力补偿设计和精细化晶圆应力调控技术，有效控制了芯片翘曲度，确保芯片封装的一致性和可靠性；更凭借非吸收窗口设计与独特的腔面钝化和镀膜技术，大幅提升腔面损伤阈值——在55A条件下，通过2000小时老化无失效，满足工业级严苛需求。

创“芯”不止，载誉前行！此次蝉联2025“中国激光星锐奖·最佳半导体激光器技术创新奖”，是度亘核芯技术实力与行业影响力的双重印证。作为高端半导体激光芯片及模块领域的领军企业，公司始终以“核心技术自主可控”为发展根基，以高端激光芯片设计与制造为核心竞争力，专注于高性能激光芯片的设计与制造。通过核心技术突破与产业化落地，度亘核芯持续为工业加工、光通信、科学研究、医疗健康等多领域提供高效、稳定、可靠的光电解决方案，推动激光技术在多领域的创新应用，为中国乃至全球激光产业的高质量发展注入强劲“芯”动能！