‌onsemi NL17SG07 MiniGate™ 开漏缓冲器技术解析与应用指南

安森美NL17SG07 MiniGate™缓冲器是一款先进的高速CMOS缓冲器，具有开漏输出，外形尺寸非常小巧。当施加高达5.5V电压且VCC 大于或等于0.9V时，安森美NL17SG07输入结构可提供保护。无论电源电压如何变化，保护电压均高达4.6V。

数据手册：*附件：onsemi NL17SG07 miniGate™缓冲器数据手册.pdf

特性

• 宽工作电压VCC 范围：0.9V至3.6V
• 高速tPD = 2.5ns（典型值，VCC = 3.0V、CL = 15pF时）
• 低功耗：ICC = 0.5A（最大值，TA = +25°C时）~~
• 3.6V过压容限 (OVT) 输入引脚
• IOFF 支持局部掉电保护
• 采用超小型封装
• 这些器件无铅、无卤

引脚分配和功能表

‌onsemi NL17SG07 MiniGate™ 开漏缓冲器技术解析与应用指南

‌一、产品概述‌

NL17SG07是安森美MiniGate™系列中的‌开漏输出缓冲器‌，采用先进高速CMOS工艺，具有以下核心定位：

• ‌应用领域‌：便携设备、通信模块、工业传感器接口等对尺寸与功耗敏感的场景。
• ‌核心优势‌：超小封装（SOT-953/SC-88A/UDFN6）、宽电压工作范围（0.9 V至3.6 V）及过压耐受能力。

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‌二、关键技术特性解析‌

‌1. 电气性能‌

• ‌工作电压范围‌：0.9 V–3.6 V，兼容电池供电系统。
• ‌传输延迟‌：典型值2.5 ns（@VCC=3.0 V, CL=15 pF），满足高速信号调理需求。
• ‌低静态功耗‌：最大静态电流0.5 mA（@25°C），优化能效。
• ‌ 过压耐受（OVT） ‌：输入引脚支持3.6 V电压，避免电平不匹配损坏。
• ‌ 关断泄漏电流（IOFF） ‌：支持部分断电模式，泄漏电流≤1 μA，增强电源管理灵活性。

‌2. 封装与引脚设计‌

• ‌超小型封装选项‌：
  • ‌SOT-953‌（1.0×1.0 mm）
  • ‌SC-88A‌（2.0×2.1 mm）
  • ‌UDFN6‌（1.45×1.0 mm / 1.0×1.0 mm）
• ‌开漏输出结构‌：输出电平可通过上拉电阻适配不同电压域（如1.8 V至5 V系统）。

‌3. 可靠性指标‌

• ‌ESD防护‌：人体模型（HBM）2 kV，电荷设备模型（CDM）1 kV。
• ‌工作温度范围‌：-55°C至+125°C，覆盖工业与汽车级应用。

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‌三、核心参数详解‌

‌ 1. 直流特性（见表3） ‌

• ‌ 高电平输入电压（VIH） ‌：| VCC范围 | Min（VIH） |
  | ---------------- | ------------ |
  | 0.9 V | – |
  | 1.65 V–1.95 V | 0.65×VCC |
• ‌ 低电平输出电压（VOL） ‌：
  @VCC=3.0 V, IOL=8.0 mA时，最大0.4 V，确保强下拉能力。

‌ 2. 交流特性（见表4） ‌

• ‌ 传播延迟（tPZL/tPLZ） ‌：
  • CL=15 pF时，tPZL典型值3.0 ns（@VCC=3.0 V）。
• ‌ 功耗电容（CPD） ‌：典型值4 pF，用于计算动态功率：
  PD=CPD×VCC×fin+ICC×VCCPD ​ =CPD​**×VCC​×fin​+ICC​×VCC**​

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‌四、典型应用电路设计‌

‌1. 电平转换接口‌

• ‌场景‌：连接1.8 V MCU与3.3 V外设。
• ‌设计要点‌：
  • 输出端接上拉电阻至目标电压（如3.3 V）。
  • 输入直接由低压器件驱动，利用开漏特性实现双向电压适配。

‌2. 总线驱动与信号隔离‌

• ‌I²C/SMBus应用‌：支持多设备并联，避免总线冲突。

‌3. 电源域隔离‌

• 通过‌IOFF功能‌在VCC=0 V时阻断漏电路径，适用于多电源域系统。

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‌五、设计注意事项‌

1. ‌布局优化‌：UDFN封装底部暴露焊盘需接地以提升散热与抗噪性。
2. ‌上拉电阻选型‌：根据目标上升时间与功耗权衡阻值（常用1 kΩ–10 kΩ）。
3. ‌过压保护‌：输入引脚虽耐受3.6 V，但长期超限可能影响可靠性。

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‌六、选型与订购指南‌

器件型号	封装类型	引脚1方向	包装数量
NL17SG07DFT2G	SC-88A	Q4（标准）	3000/卷带
NL17SG07P5T5G	SOT-953	Q2（旋转90°）	8000/卷带
NL17SG07MU1TCG	UDFN6 1.45×1 mm	180°顺时针旋转