安森美 (onsemi) MC74VHCT125A缓冲器是一款高速CMOS四路总线缓冲器,采用硅栅极CMOS技术制造。这些器件的高速运行与双极型肖特基TTL类似,在VCC = 5V时,典型传播延迟(t PD )为3.8ns。MC74VHCT125A缓冲器具有三态控制输入 (OE),当OE为高电平时,输出进入高阻态,这在总线应用中非常实用。这些缓冲器具有良好的抗噪性能,工作电压范围为2V至5.5V。MC74VHCT125A缓冲器无铅并且符合RoHS标准。这些设备适用于通用逻辑、电平缓冲、信号调理、掉电保护、汽车,以及工业应用。
数据手册;*附件:onsemi MC74VHCT125A缓冲器数据手册.pdf
特性
- 高速性能:t
PD= 3.8ns(典型值,VCC= 5V时) - 低功耗:I
CC= 4A(最大值,TA= 25°C时) - 高抗噪:V
NIH= VNIL= 28% VCC - 输入端提供掉电保护
- 平衡传播延迟
- 设计工作范围:2V至5.5V
- 低噪声:V
OLP= 0.8V(最大) - 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
- 锁存性能超过100mA
- 人体放电模型ESD防护能力 >2000V
- 72个FET或18个等效栅极的芯片复杂度
- 带Q后缀的用于汽车和其他要进行现场和控制变更的应用
- 符合AEC-Q100标准并具有PPAP功能
- 无铅,符合RoHS标准
带功能表的逻辑图

MC74VHCT125A三态总线缓冲器技术深度解析与应用指南
一、产品概述与技术定位
MC74VHCT125A是安森美半导体推出的一款高速CMOS四总线缓冲器,采用硅栅CMOS工艺制造。该器件在实现与等效双极肖特基TTL相似的高速操作的同时,保持了CMOS的低功耗特性。
核心技术特点:
- 三态控制输入(OE)需设置为高电平才能使输出进入高阻抗状态
- 输入兼容TTL电平,支持3.3V至5.0V系统接口
- 完整的5.0V CMOS电平输出摆幅
- 输入结构可耐受高达5.5V电压,允许5V系统与3V系统接口
二、关键电气特性与性能参数
2.1 工作电压范围
- 推荐工作电压:2.0V至5.5V
- 最大额定电压:-0.5V至+6.5V
2.2 速度性能
- 典型传输延迟:3.8ns(在VCC=5V条件下)
- 工作温度范围:-55℃至+125℃
2.3 功耗特性
- 最大静态电流:4mA(在TA=25℃条件下)
- 低噪声特性:最大输出低电平峰值噪声0.8V
三、功能架构与逻辑设计
3.1 内部电路结构
器件内部电路由三级构成,包括提供高噪声免疫力和稳定输出的缓冲输出级。
3.2 真值表功能
根据功能表定义:
- 当OE=L(低电平)时:
- A=H → Y=H
- A=L → Y=L
- 当OE=H(高电平)时:
- 无论A状态如何,输出Y=Z(高阻抗)
3.3 引脚配置
14引脚封装(SOIC-14、TSSOP-14):
- 引脚1:OE1(输出使能1)
- 引脚2:A1(输入1)
- 引脚3:Y1(输出1)
- 引脚7:GND(地)
- 引脚14:VCC(电源)
四、保护机制与可靠性设计
4.1 电源关断保护
- 当VCC=0V时,输出结构提供保护
- 防止因电源电压-I/O电压不匹配、电池备份、热插拔等原因导致的器件损坏
4.2 ESD保护性能
- 人体模型:>2000V
- 闩锁性能:超过100mA
五、应用场景与设计考虑
5.1 电平转换应用
凭借其TTL兼容输入和完整CMOS输出摆幅,MC74VHCT125A是理想的3.3V至5.0V电平转换器。
5.2 总线接口设计
三态输出使其特别适合多主总线系统,允许多个器件共享同一总线而不会产生冲突。
5.3 噪声敏感环境
高噪声免疫力(VNIH = VNIL = 28% VCC)使其在工业控制等恶劣环境下表现优异。
六、封装选项与订购信息
6.1 可用封装
- SOIC-14(D后缀)
- TSSOP-14(DT后缀)
6.2 汽车级选项
-Q后缀型号满足AEC-Q100认证,适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用。
七、设计注意事项
7.1 布局建议
- 在高速应用中,需要注意信号完整性
- 建议在电源引脚附近放置去耦电容
7.2 未使用引脚处理
- 未使用的输入必须连接到适当的逻辑电平(GND或VCC)
- 未使用的输出必须保持开路
八、典型性能曲线分析
8.1 传播延迟vs负载电容
- VCC=3.3V时,CL=15pF:5.6-8.0ns
- VCC=5.0V时,CL=50pF:5.3-7.5ns
8.2 功耗特性
动态功耗可通过CPD参数计算:PD = CPD × VCC² × fin + ICC × VCC
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