安森美 (onsemi) NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET采用紧凑型SOT-723封装，内置ESD保护功能。SOT-723封装占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%。漏极-源极电压 (V DSS ) 额定值为-20V，连续漏极电流 (I D ) 额定值为-780mA（TA =+25°C时）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低阈值电平，在VGS =1.5V、ID =-100mA条件下，其典型导通电阻R DS(on )为0.95Ω。该安森美 (onsemi) 器件可在低逻辑电平栅极驱动下工作。典型应用包括负载/功率开关、接口（逻辑开关）以及超小型便携式电子设备的电池管理。

数据手册：*附件：onsemi NTK3139P P沟道单通道功率MOSFET数据手册.pdf

特性

• 低RDS(on) P沟道开关
• 占位面积比SC-89小44%，厚度比SC-89薄38%
• 低阈值电平，使RDS(on) 在1.5V时达到额定值
• 可在低逻辑电平栅极驱动下运行
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

电路图

onsemi NTK3139P P沟道功率MOSFET深度解析与技术应用指南

器件概述

‌NTK3139P‌是安森美半导体推出的一款P沟道单通道功率MOSFET，集成了ESD保护功能，专门为超小型便携式电子设备的电源管理而设计。该器件具有-20V的额定漏源电压和-780mA的连续漏极电流能力，采用先进的SOT-723封装，比传统SC-89封装‌ 尺寸缩小44% ‌，‌ 厚度减少38% ‌，在空间受限的应用中展现出显著优势。

关键特性详解

极限参数（绝对最大额定值）

• ‌ 漏源电压(VDSS) ‌：-20V
• ‌ 栅源电压(VGS) ‌：±6V
• ‌ 连续漏极电流(ID) ‌：
  • 稳态条件：-780mA（TA=25°C），-570mA（TA=85°C）
  • 脉冲条件：-1.2A（tp=10ms）
• ‌ 功率耗散(PD) ‌：
  • 稳态：450mW（TA=25°C）
  • 5秒脉冲：550mW
• ‌工作结温范围‌：-55°C至150°C

电气特性亮点

‌ 导通电阻(RDS(on)) ‌在不同栅极电压下的表现：

• ‌**-4.5V**‌：0.38Ω（典型值），0.48Ω（最大值）
• ‌**-2.5V**‌：0.52Ω（典型值），0.67Ω（最大值）
• ‌**-1.8V**‌：0.70Ω（典型值），0.95Ω（最大值）
• ‌**-1.5V**‌：0.95Ω（典型值），2.20Ω（最大值）

低阈值电压优势

该器件具有‌低阈值电平特性‌，允许在1.5V的低逻辑电平栅极驱动下工作，这使得它特别适合与低电压处理器和微控制器直接接口。

热性能参数

‌热阻评级‌：

• 结到环境热阻（稳态）：280°C/W（标准焊盘）
• 结到环境热阻（5秒脉冲）：228°C/W
• 结到环境热阻（最小焊盘）：400°C/W

封装与引脚配置

‌SOT-723封装‌（3引脚）引脚定义：

• ‌引脚1‌：栅极(Gate)
• ‌引脚2‌：源极(Source)
• ‌引脚3‌：漏极(Drain)

该封装采用‌底部散热焊盘设计‌，通过优化PCB布局可显著改善散热性能。

应用领域

负载/电源开关

NTK3139P特别适合于‌便携设备的电源路径管理‌，可用于：

• 电池供电系统的电源开关
• 模块化电源管理
• 低功耗待机电路控制

接口与逻辑电平转换

凭借其低阈值特性，该器件能够：

• 实现1.5V至3.3V系统的无缝接口
• 提供高效的逻辑电平转换解决方案
• 支持低电压数字系统的功率控制

超小型便携电子设备电池管理

在‌空间受限的应用‌中表现出色：

• 智能手机辅助电源管理
• 可穿戴设备功率控制
• IoT设备的电源切换

设计考虑因素

栅极驱动要求

为确保最佳性能：

• ‌推荐栅极驱动电压‌：-2.5V至-4.5V
• 避免超过±6V的栅源电压
• 建议使用适当的栅极驱动电路

PCB布局建议

• ‌使用足够的铜面积‌：1平方英寸焊盘可显著降低热阻
• ‌最小焊盘尺寸‌会增大热阻至400°C/W
• ‌热管理‌对于持续大电流应用至关重要

性能曲线分析

从数据手册的典型特性曲线可以看出：

1. ‌导通区域特性‌显示在不同栅极电压下的线性工作区
2. ‌转移特性‌表明器件具有良好的跨导特性
3. ‌温度对导通电阻的影响‌符合典型MOSFET特性