Vishay IHLD2525GG-A1 双电感集成模块的技术解析与应用

Vishay/Dale IHLD2525GG-A1 SMD功率电感器是大电流、汽车级双电感器，具有线性饱和功能，可降低信号失真。这些电感器具有高瞬态电流尖峰（无饱和）、低耦合（可最大限度地减少电感器之间串扰）以及因复合结构而产生的超低蜂鸣噪声。 IHLD2525GG-A1电感器改进了磁芯材料的线性磁化，减少了总谐波失真（THD）的形成。这些功率电感器采用磁屏蔽复合结构，与间隙铁氧体电感器相比，可最大限度地减少磁通泄漏。

数据手册：*附件：Vishay ， Dale IHLD2525GG-A1 SMD 功率电感器数据手册.pdf

IHLD2525GG-A1电感器的优化设计可提供高品质声音和低信号失真。这些功率电感器符合RoHS指令，采用二合一封装，尺寸为7.80mmx7.26mmx7.39mm。典型应用包括D类音频放大器和多相转换器。

特性

• 符合汽车类AEC-Q200标准
• 在单一封装中集成了两个电感器，可节省电路板空间和组装时间
• 改进的磁芯材料线性磁化减少了总谐波失真（THD）的形成
• 电感器可串联、并联或独立工作
• 磁屏蔽复合结构最大限度地减少了间隙铁氧体电感器的磁通泄漏
• 经过优化的设计实现了高音质和低信号失真
• 低耦合设计最大程度地减少了两个电感器之间的串扰
• 能处理高瞬态电流脉冲，而不出现饱和现象
• 因复合结构，故蜂鸣噪声超低
• 尺寸：7.80 mm x 7.26 mm x 7.39 mm
• 符合RoHS标准

尺寸图

原理图

Vishay IHLD2525GG-A1 双电感集成模块的技术解析与应用

‌一、核心特性与结构优势‌

1. ‌紧凑型集成封装‌
   • 尺寸仅为 ‌7.80 mm × 7.26 mm × 7.39 mm‌，在同一封装内集成两个独立电感，显著节省 PCB 面积与组装工时。
   • 磁屏蔽复合结构有效抑制漏磁，对比传统带间隙铁氧体电感具有更低电磁干扰。
2. ‌电气性能突破‌
   • 采用线性饱和磁芯材料，大幅降低总谐波失真（THD），尤其适用于高保真音频系统。
   • 超低蜂鸣噪声（Ultra-low buzz noise）与低耦合设计，确保双电感间串扰最小化。
   • 支持 ‌**-55 °C 至 +125 °C**‌ 宽温工作，并通过 AEC-Q200 车规认证。

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‌二、电气参数详解‌

‌标准型号电气规格表‌

型号	电感值 (μH)	DCR典型值 (mΩ)	饱和电流 (A)	热额定电流 (A)
IHLD2525GGER3R3MA1	3.3 ±20%	25	14.0 (20% Drop)	6.5
IHLD2525GGER4R7MA1	4.7 ±20%	37	10.0 (20% Drop)	5.5
IHLD2525GGER5R6MA1	5.6 ±20%	47	9.2 (20% Drop)	5.0
IHLD2525GGER100MA1	10 ±20%	86	7.5 (20% Drop)	3.7
IHLD2525GGER150MA1	15 ±20%	117	6.4 (20% Drop)	3.0

‌关键参数说明‌

• ‌测试条件‌：所有数据基于 25°C 环境温度，100 kHz 频率及 0.25 V 电压。
• ‌连接方式灵活性‌：
  • ‌串联‌：电感值与 DCR 翻倍（例如 3.3 μH → 6.6 μH）
  • ‌并联‌：电感值与 DCR 减半（例如 3.3 μH → 1.65 μH）
• ‌电流耐受能力‌：支持高瞬态电流冲击（如 IHLD2525GGER3R3MA1 饱和电流达 17.7 A）。

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‌三、典型应用场景‌

1. ‌D 类音频功放‌
   线性饱和特性有效抑制开关噪声引起的谐波失真，配合 31 MHz（3.3 μH 型号）的高自谐振频率，保障全频段信号完整性。
2. ‌多相变换器‌
   双电感独立控制能力支持多相并联供电架构，通过并联连接实现大电流输出（如 5.6 μH 型号并联后 DCR 降至 23.5 mΩ）。

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‌四、设计实践指南‌

• ‌散热管理‌：热额定电流以温升 ΔT=40°C 为基准，需通过 PCB 铜厚、布局优化及风冷措施控制器件温度。
• ‌布局建议‌：参考数据手册焊盘设计（间距 1.55 mm，焊盘宽度 2.03 mm），避免因焊接应力导致磁芯性能劣化。
• ‌可靠性验证‌：在实际应用中需测试极端工况下的部件温度，确保不超过 125°C 极限值。

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‌五、性能曲线解读‌

数据手册提供的电感-电流曲线与频率特性曲线揭示了以下规律：

• ‌电感衰减趋势‌：所有型号在接近饱和电流时电感值下降平缓，例如 4.7 μH 型号在 10 A 电流下仍保持约 60% 初始电感。
• ‌Q 值峰化‌：Q 值在 1-10 MHz 区间达到峰值（如 10 μH 型号 Q>80），适用于高频能量存储场景。