深度分析全球存储器产业链

存储设备分为磁盘和存储芯片（Memory）。磁盘，是指利用磁能方式存储信息，存储过程中需要磁性盘片的机械运动，日常生活中非常常见的电脑硬盘、移动硬盘就属于此类；存储芯片（Memory）则是以半导体为材料的存储介质，我们平日常用的U 盘、PC内存、SSD(固态硬盘)等是Memory 的范围。

在分类上，以断电后存储数据是否丢失为标准，存储芯片（Memory）可分2类：一类是非易失性存储器（Non-Volatile Memory），这一类Memory 断电后数据能够存储，主要以NAND Flash为代表，常见于U 盘和SSD（固态硬盘)；另一类是易失性存储器（VolatileMemory），这一类Memory 断电后数据不能储存，主要以DRAM为代表， 常用于电脑、手机内存。

除了NAND Flash 和DRAM，Memory 还包含其他门类，例如Nor Flash、SRAM等。但从产值构成来分析，NAND Flash 和DRAM 是构成Memory 产业的核心构成，分别占据Memory 产值的37%和57%。

存储芯片（Memory ）的上下游，其实就是整个大IC（集成电路）的产业链条：设计、制造、封测。因此，对应的也有两种生产模式：IDM模式、fabless模式。

DRAM巨头海力士、美光等是IDM模式，设计和制造全自家包办；

兆易创新是fabless模式；

主要涉及存储芯片的公司包括：兆易创新、太极实业、北方华创、长川科技等。

存储芯片设备厂商北方华创：

（1）北方华创是由七星电子和北方微电子战略重组而成，是半导体设备龙头。公司主营业务包括半导体装备、真空装备、新能源锂电装备及精密元器件四大业务；

（2）中国大陆地区是全球第三大半导体设备市场，但国内半导体设备自给率不足15%，进口替代空间巨大；

（3）公司于2018年1月完成收购美国Akrion公司，形成涵盖应用于集成电路、先进封装、功率器件、微机电系统和半导体照明等泛半导体领域的8-12英寸批式和单片清洗机产品线；

（4）公司的真空装备、锂电装备以及精密元器件业务齐头并进，稳定发展。

存储芯片设备厂商长川科技：

（1）长川科技作为国产测试设备龙头企业，一直致力于测试机和分选机的研发。2013年以来，公司承担了国家科技重大02专项中两项课题的研发工作，并获国家产业基金入股7.5%，充分展现其核心技术优势。

（2）公司集成电路测试机和分选机产品已获得长电科技、华天科技、通富微电、士兰微、华润微电子、日月光等多个一流集成电路企业的使用和认可。

（3）从产品质量上看，公司测试机、分选机产品的主要性能指标已达国内领先、接近国外先进技术水平；从盈利能力上看，长川科技的毛利率和净利率均高于国外设备巨头。

半导体存储器是一个高度垄断的市场，其三大主流产品DRAM，NAND Flash，NOR Flash更是如此，尤其是前两者，全球市场基本被前三大公司占据，且近年来垄断程度逐步加剧。

1、DRAM市场由韩国三星、海力士和美国美光科技三家占据；

DRAM全球高端垄断、国产DRAM是空白！在2017年的DRAM市场：

三星电子以44.5%的市场份额稳居市场第一；

SK海力士则以27.9%的市场份额紧追其后；

美光科技（22.9%）；

南亚科技（2.2%）；

华邦电子（0.8%）分列其后。

这几家几乎囊括了全球所有的DRAM供应。

关于DRAM

存储特征：断电后数据不能存储。

应用领域：主要是PC、手机、服务器的内存，分别占比30%、35%、15%。物联网领域的DRAM的应用也在渗透，占15%左右。

量价特征：目前主要是供给和需求决定DRAM的价格走势，而非技术升级。DRAM技术更新不明显，DDR3作为主流技术已经存续超过5年，技术提升带来的成本下降，没有NAND Flash那么明显。

市场空间与技术趋势：

1）2015年全球市场约410亿美元；

2）Trend Force预计2015年中国市场消耗DRAM高达120亿美元，占全球比重23.2%，预计到2018年，中国DRAM市场容量将达到210美元规模，占全球比重达到29%；

3）存储芯片（尤其是DRAM）持续紧缺，随着PC操作系统由32位转向64位，对于内存的需求大大增加，往往要从4GB升级至8GB乃至16GB，此外手机需求也是最大利好。

竞争格局：

1）3家垄断：三星、SK海力士、美光，合计占据全球95%以上份额，三家市占率约4：3：2。

2）巨头技术水平：三星已经大规模采用20nm制程，毛利率也达到40%；SK海力士采用25nm制程，毛利率也达到了40%；美光制程水平较靠后，以30nm为主，毛利率为25%左右。

3）国内企业在DRAM领域的市占率几乎为0。

国内企业：

1）太极实业：A股最纯正的Memory封测标的，2009年与DRAM巨头海力士合资成立海太半导体，专门承接DRAM芯片封测。

2）深科技：2015年收购金士顿（KINSTON）核心封测厂商沛顿科技100%股权；2016年4月导入DDR4项目，截至今年6月底，出货量已经突破150万条。

3）晶方科技：2015年2月收购智端达科技，后者是原DRAM巨头奇梦达科技位于苏州工业园的封装测试和模组工厂。

4）紫光国芯：2015年8月收购西安华芯51%股权，该公司申请DRAM专利为国内之最，但目前无实质产能。

2、NAND Flash市场几乎全部被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔等六家瓜分。其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

关于NAND Flash

存储特征：断电后数据能够存储，可大容量存储。

应用领域：闪存卡、U盘、SSD（固态硬盘）。

量价特征：除供需外，3D NAND技术采用更为先进制程和架构设计，单位材料可以存储更多信息，也可有效减少成本，导致NAND Flash价格走低。

市场空间与技术趋势：

1）2015年全球市场约300亿美元；

2）SSD（固态硬盘）替代传统机械硬盘（HHD）的趋势不可阻挡，尤其是3D NAND闪存技术将提振SSD（固态硬盘）需求，在PC端、企业服务器领域渗透率提高将导致SSD出货量大增。NAND Flash已经取代手机基带/AP 和CPU，成为半导体产业创新驱动和产值的最大领域。

竞争格局：

1）4分天下：三星市占率连续保持在35%上下；东芝与闪迪（SanDisk）合占30%左右；再就是美光、海力士。以上四家市占率达到令人咋舌的99%。

2）中金公司预计，紫光国芯在NAND市场份额将占中国总需求的50%左右，即300亿人民币。

国内企业：

1）紫光国芯：大股东紫光集团2015年控股西部数据，而西部数据又以约190亿美元收购闪迪（SanDisk）；大额定增中，600亿元拟投入存储芯片工厂，预计可新增12万片/月产能，将贡献营业收入354亿元，年均利润为87.2亿元，满产时间在4年后。

2）武汉新芯（长江存储）：主要产品为3D NAND，拟投入1600亿元，存储厂预计于2018年完工，2019年量产，首批产能为4万片，预计到2020年形成月产能30万片，到2030年每月产能100万片。

3）华天科技：2015年与武汉新芯签订战略合作协议，将部分承接后者的Memory封测订单。

3、市场规模较小的NOR Flash，格局稍显分散，美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家占据了90%以上份额。其中，兆易创新(603986)目前国内稀缺，全球市占率在10%左右。

关于NOR Flash

存储特征：断电后数据能够存储，主要用于存储代码。属于小容量型。

应用领域：手机、USB KEY、机顶盒等的代码闪存应用。

量价特征：下游需求。

市场空间：2015年全球市场约30亿美元。

竞争格局：

1）空间小、格局分散，巨头逐步退出小容量、毛利较低的NOR Flash市场；

2）美光（占比25%）、Cypress（收购了飞梭半导体）、旺宏、三星、华邦、兆易创新、宜扬科技等7家瓜分份额。

国内企业：

1）兆易创新：①国内稀缺的NOR Flash绝对龙头，目前全球市占率10%左右；②2017年8-9月，大股东增持，国家集成电路大（更多半导体相关个股的深度研究报告，请关注“澄泓财经”wei 信号，回复关键字“半导体”，即可查看详情。）基金入股11%；③入股晶圆制造龙头中芯国际，进一步夯实战略联盟；④2018年3月收购思立微，打造存储-微处理-传感交互一体式解决方案；⑤兆易创新和合肥长鑫DRAM合作非常顺利！2017年10月，兆易创新宣布，与合肥长鑫进行19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目合作。目标在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。此次合肥长鑫的重要突破，也利好兆易创新的DRAM战略！

最后总结一下，存储器业究竟难在那里？可能有如下几个主要方面：

1、未见有“新进者”

自上世纪90年代之后，全球存储器制造厂商未见有一家“新进者”，其间奇梦达倒闭，及美光兼并了尔必达，导致在DRAM领域全球仅存三家，包括三星、海力士与美光（中国***地区的多家加起来占5%，可以忽略不计）以及NAND闪存仅存四个联合体，包括三星、东芝与西数、海力士及美光与英特尔，其中三星居垄断地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

2、周期起伏

存储器业基本上的“规律”是盈利一年，亏损两年，而三星是个例外，它独霸天下，善于作逆向投资。如依Gartner数据，2017年全球存储器增长64.3%，达约1200亿美元，而2018年增长13.7%，及2019年下降12.9%，2020年再下降10.2%。

3、投资大，拼的是产能与成本

由于存储器产品的特殊性，它的设计相对简单，因此产品的线宽、产能、成品率与折旧，成为成本的最大项目。任何新进者，由于产能爬坡，折旧等因素几乎无法与三星等相匹敌，所以即便舍得投入巨资，恐怕也难以取胜，其中还有专利等问题。

中国半导体业面临艰难的抉择，现实的方案是可能在处理器(CPU)与存储器两者之中选一，众所周知，处理器己经投入近20年，龙芯的结果是有成绩，但是难予推广应用。所以只能选择存储器是众望所归，仅是感觉难度太大，多数人在开始时表示犹豫而己。如今“木己成舟”，只能齐心协力，努力拼搏向前。

从存储器产品中的DRAM产业来看，中国在发展策略上已有逐步收敛之势，并非杂乱无章。以技术布局的角度观察，中国DRAM领域中除了绘图用内存未有厂商布局，其他都有厂商按照计划发展中。

中国DRAM产业目前已有福建晋华、合肥长鑫两大阵营。福建晋华专注利基型内存的开发，主攻消费型电子市场，有望凭借着中国本有的庞大内需市场壮大自身产能，甚至在补贴政策下，预估最快2018年底可能将影响国际大厂在中国市场的销售策略，并且有机会取得技术IP走向国际市场。

相较于福建晋华避开国际大厂的主力产品，合肥长鑫直捣国际大厂最核心的行动式内存产品。行动式内存已是内存类别中占比最高的产品，其省电技术要求极高，开发难度相当高。然而，中国品牌手机出货已占全球逾四成，倘若LPDDR4能顺利量产并配合补贴政策，中国政府进口取代的策略即可完成部分阶段性任务。

观察中国在NAND Flash领域的发展，以紫光集团旗下的长江存储为中国最快成军的开发厂商，初期也将以中国内需市场的布局为主。由于长江存储开发早期技术力不足，难以与一线大厂相抗衡，预估其初期产品会以卡碟类为大宗。随着长江存储技术发展来到64/96层才有机会进军SSD市场，但此市场技术竞争相当激烈，没有中国政府的支持，短期会难以在成本上取得优势，利用中国内需市场壮大自己将是紫光集团未来可行的策略。

而武汉新芯随着长江存储的成立后，将专注于NOR Flash的开发，虽然长江存储的NAND Flash试产线暂放在武汉新芯，但随着长江存储于武汉未来城基地建构完成后，未来也将各自独立。

以目前现况来看，中国发展存储器的策略能否成功，未来的3~5年将是极其重要的关键期，特别是强化IP的布局，中国政府以及厂商未来必须凭借内需市场、优秀的开发能力，以及具国际水平的产能，取得与国际厂商最有利的谈判筹码，才有机会立足全球并占有一席之地。