0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

jf_78421104 来源:jf_78421104 作者:jf_78421104 2025-10-23 11:25 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。

wKgZO2j5oAiAHGjGAAFAYKL1kCw808.png

与以往封装产品相比,新产品的体积更小更薄,器件面积削减了约26%,厚度减半,仅为2.3mm。另外,很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此,即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻,从而有助于降低开关损耗。

产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品,并已于2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,从Ameya360和Sekorm等电商平台均可购买。另外,ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型,助力客户快速推进电路设计

<开发背景>

AI服务器和小型光伏逆变器等应用中,功率呈日益提高的趋势,同时,与之相矛盾的小型化需求也与日俱增,这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求,ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。

<产品阵容>

wKgZO2j5oBKAST3MAAQDY38eYq8229.png

<应用示例>

・工业设备:AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)

消费电子:一般电源

<电商销售信息>

电商平台 Ameya360、Sekorm

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

(开始销售时间:2025年9月起逐步发售)

<术语解说>

*1) 图腾柱型PFC电路

一种高效率的功率因数校正电路方式,通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET,可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。

<关于“EcoSiC™”品牌>

EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。

审核编辑 黄宇

・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

(完)

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 封装
    +关注

    关注

    128

    文章

    9154

    浏览量

    147968
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3538

    浏览量

    68329
  • Rohm
    +关注

    关注

    8

    文章

    400

    浏览量

    67665
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    三菱电机SiC MOSFET在工业电源中的应用

    SiC器件具有低开关损耗,可以使用更小的散热器,同时可以在更高开关频率下运行,减小磁性元件体积。采用SiC器件的工业电源,可以实现高效率和高功率
    的头像 发表于 12-02 11:28 3152次阅读
    三菱电机<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在工业电源中的应用

    MOT8576T N 沟道 MOSFET 技术解析:大功率场景的性能标杆

    大功率系统设计提供技术参考。一、产品定位与封装设计MOT8576T是一款N沟道增强型MOSFET,采用表面贴装封装,集成先进沟槽单元(Supertrench)与to
    的头像 发表于 10-23 11:23 314次阅读
    MOT8576T N 沟道 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 技术解析:<b class='flag-5'>大功率</b>场景的性能标杆

    5 GHz 大功率 WLAN 前端模块 skyworksinc

    电子发烧友网为你提供()5 GHz 大功率 WLAN 前端模块相关产品参数、数据手册,更有5 GHz 大功率 WLAN 前端模块的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,5 GHz 大功
    发表于 10-15 18:30
    5 GHz <b class='flag-5'>大功率</b> WLAN 前端模块 skyworksinc

    倾佳电子技术报告:大功率矿机算力电源的拓扑架构、SiC MOSFET应用及其发展趋势

    倾佳电子技术报告:大功率矿机算力电源的拓扑架构、SiC MOSFET应用及其发展趋势 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中
    的头像 发表于 09-28 09:43 508次阅读
    倾佳电子技术报告:<b class='flag-5'>大功率</b>矿机算力电源的拓扑架构、<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>应用及其发展趋势

    倾佳电子交错并联技术:原理、优势及其在SiC碳化硅MOSFET大功率应用中的协同增效分析

    倾佳电子交错并联(Interleaved Parallel)技术:原理、优势及其在SiC碳化硅MOSFET大功率应用中的协同增效分析 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率
    的头像 发表于 09-08 14:10 650次阅读
    倾佳电子交错并联技术:原理、优势及其在<b class='flag-5'>SiC</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>大功率</b>应用中的协同增效分析

    东芝推出三款最新650V SiC MOSFET

    ]第3代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装,适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日
    的头像 发表于 09-01 16:33 1977次阅读
    东芝推出三款最新650V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    仁懋TOLT封装MOS——专为大功率而生

    当工业电源、储能设备、新能源交通等领域对功率密度的需求突破极限,传统MOSFET封装技术正面临前所未有的挑战。广东仁懋电子推出的TOLT顶部散热封装MOS,以颠覆性的散热设计与
    的头像 发表于 06-18 13:27 1561次阅读
    仁懋TOLT<b class='flag-5'>封装</b>MOS——专为<b class='flag-5'>大功率</b>而生

    SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项

    通过并联SiC MOSFET功率器件,可以获得更高输出电流,满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC
    的头像 发表于 05-23 10:52 1410次阅读
    <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项

    SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

    0  引言SiC-MOSFET 开关模块(简称“SiC 模块”)由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET
    发表于 04-23 11:25

    CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE

    的应用,CAB450M12XM3的体积和重量仅为传统62mm模块的一半,完美适配空间受限的安装环境。 低电感架构:其6.7nH的低电感设计优化了功率总线布局,显著降低了开关过程中的能量损耗。 高温稳定运行:支持连续工作结温高达
    发表于 03-17 09:59

    瑞丰光电推出金刚石基超大功率密度封装

    针对传统高功率封装产品在应用中的诸多痛点,瑞丰光电凭借创新技术和卓越工艺,成功推出了行业突破性的大功率封装新品——金刚石基超大功率密度
    的头像 发表于 02-19 14:44 1035次阅读

    ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT

    标志着ROHM在高性能功率半导体领域取得了又一重大突破。 TOLL封装以其紧凑的体积、卓越的散热性能以及出色的电流容量和开关特性而备受瞩目。
    的头像 发表于 02-18 10:03 1137次阅读

    AMEYA360代理:罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

    性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。此次,ROHM封装工序外包给了作为半导体后道工序供应商(OSAT)拥有
    的头像 发表于 02-17 15:42 632次阅读
    AMEYA360代理:罗姆650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热<b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封装</b>

    650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装

    “GNP2070TD-Z”投入量产TOLL封装不仅体积小,散热性能出色,还具有优异的电流容量和开关特性,因此在工业设备、车载设备以及需要支持
    的头像 发表于 02-13 14:29 749次阅读
    650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热<b class='flag-5'>TOLL</b><b class='flag-5'>封装</b>

    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中压大功率转换领域

    近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,专为中压大功率转换应用设计
    的头像 发表于 01-22 11:03 1158次阅读
    SemiQ推出1700 V <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列,助力中压<b class='flag-5'>大功率</b>转换领域