基于SiC材料的MOSFET的性能及SiC MOSFET的驱动设计要求
概述了碳化硅（SiC）材料的特点以及基于SiC材料的MOSFET的卓越性能，描叙了一些SiC MOSFET的应用领域包括太阳能和电动汽车。 详细讨论了SiC MOSFET的驱动设计要求，以及简单介绍了几款TI SiC MOSFET驱动产品。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
9411浏览量
229541 -
ti
+关注
关注
114文章
8054浏览量
218137 -
SiC
+关注
关注
32文章
3503浏览量
68097
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
SiC MOSFET计算损耗的方法
本文将介绍如何根据开关波形计算使用了SiC MOSFET的开关电路中的SiC MOSFET的损耗。这是一种在线性近似的有效范围内对开关波形进行分割，并使用近似公式计算功率损耗的方法。
SiC MOSFET模块并联应用中的动态均流问题
在电力电子领域，当多个SiC MOSFET模块并联时，受器件参数、寄生参数等因素影响，会出现动态电流不均的问题，制约系统性能。本章节带你探究SiC
SiC MOSFET并联运行实现静态均流的基本要求和注意事项
通过并联SiC MOSFET功率器件，可以获得更高输出电流，满足更大功率系统的要求。本章节主要介绍了SiC MOSFET并联运行实现静态均流
SiC MOSFET驱动电路设计的关键点
栅极驱动器是确保SiC MOSFET安全运行的关键，设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等，本章节带你了解栅极驱动电压的
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驱动板：解锁SiC碳化硅功率模块的极限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驱动板：解锁SiC碳化硅功率模块的极限性能 2CD0210T12x0
SiC MOSFET驱动电路设计注意事项
栅极驱动器是保证SiC MOSFET安全运行的关键，设计栅极驱动电路的关键点包括栅极电阻、栅极电压和布线方式等，本章节带你了解SiC
SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
0 引言SiC-MOSFET 开关模块（简称“SiC 模块”）由于其高开关速度、高耐压、低损耗的特点特别适合于高频、大功率的应用场合。相比 Si-IGBT, SiC-MOSFET 开关速度更快
发表于 04-23 11:25
麦科信光隔离探头在碳化硅（SiC）MOSFET动态测试中的应用
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于宽禁带半导体材料碳化硅（SiC）制造的金属氧化物半导体场效应晶体管，相较于传统硅（Si）MOSFET，具
发表于 04-08 16:00
沟槽型SiC MOSFET的结构和应用
碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其出色的宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等特性，在新能源、智能电网以及电动汽车等多个领域展现出广阔的应用前景。其中，沟槽型SiC
SiC MOSFET的参数特性
碳化硅（SiC）MOSFET作为宽禁带半导体材料（WBG）的一种，具有许多优异的参数特性，这些特性使其在高压、高速、高温等应用中表现出色。本文将详细探讨SiC
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅
发表于 01-22 10:43
国产SiC MOSFET，正在崛起
来源：电子工程世界 SiC（碳化硅），已经成为车企的一大卖点。而在此前，有车企因是否全域采用SiC MOSFET，发生激烈舆论战。可见，SiC这一市场在汽车领域颇有潜力。 不过，近几年
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
发表于 01-04 12:37
工商网监
评论