NAND供大于求 价格将会进一步下降

据调研机构IC Insights 周二(10 日) 最新研报指出，预计全球主要NAND 供应商将大幅扩大资本支出，来拉高产能，估计今年的NAND 记忆体价格将进一步走跌。

近年NAND 资本支出比较(图: IC insight)

如上图所示，美光认为，NAND记忆体产业为了维持出货成长，每年都将增加40%资本支出扩增产能，2015年资本支出为90亿美元，到2018年已增加2倍达220亿美元，之所以有这么庞大的资金成长，是各厂都积极往3D NAND方向布局，由于3D NAND需要更多的晶圆厂设备与无尘室，造成资本支出金额成长。

全球五大NAND 记忆体供应商也都声称，相信未来几年内，NAND 出货量每年的成长率平均约为40%。而如上图所示，去年美光为要支持NAND 记忆体40% 的出货量增长，事实上实际资本支是出比所需之资本支出还要超出27%，而今年预计将会有超过41%的额外资本支出，资本支出预算一路扩大。

记忆市场的历史先驱表明，过多资本支出通常会导致产能过剩，以及价格疲软；三星)、海力士、美光、英特尔、东芝、Western Digital和武汉新芯都计划未来几年内大幅提升3D NAND记忆体产出数量，其他新的中国厂商也可能会持续进入这个市场。IC Insights认为，产业各厂高估3D NAND市场需求，风险持续不断升温。

旺季需求动能不如预期研调，价格进一步下跌

展望下半年NAND Flash 市场，据集邦科技旗下记忆体储存研究（DRAMeXchange）调查显示，受到需求动能相对平淡，加上供应商64/72 层3D NAND 良率与产出继续提升影响，市场将由原先预期的供给紧缩，转为趋近供需平衡状态，预期各产品合约价将续跌。

上半年NAND Flash 市况受到传统淡季冲击与64/72 层3D NAND 产能稳定扩张影响，DRAMeXchange 指出，各类产品合约价已连续2 季下跌，各供应商也藉由提供高容量产品价格诱因，以吸引客户，刺激旺季需求进一步成长，并放缓今年的扩产计画，试图力挽价格走跌态势延续至下半年。

然而，从需求面来看，DRAMeXchange 表示，第3 季虽属传统旺季，但来自智能型手机、笔记型电脑与平板电脑的需求，分别呈现0-1%、0-1% 及9-10%的季成长，动能相对平淡，供应商又试图降价刺激需求，导致价格跌幅大于先前预期。

展望第4 季，DRAMeXchang 指出，供给面新增产能不多，但供应商的64/72 层产品良率预期将趋近或超过80% 水准，达成熟状态，另一方面，供应商也准备新增或转移产能至96 层制程，带动位元产出持续成长。

至于需求面，在笔记型电脑成长疲软、智能型手机硬体规格缺乏亮点，及换机动能不足下，需求不如预期，价格恐持续走跌，预期跌幅将比第3 季更明显，但若苹果新机销售状况稳健，可望微幅减缓第4 季价格跌幅。