MSPM0L1106微控制器数据手册总结-电子发烧友网

MSPM0L110x 微控制器（MCU）是 MSP 高度集成、超低功耗、32 位 MSPM0 MCU 系列的一部分，基于增强型 Arm Cortex-M0+ 核心平台，工作频率高达 32MHz。这些成本优化的 MCU 提供高性能模拟外设集成，支持 -40°C 至 105°C 的扩展温度范围，并可在 1.62 V 至 3.6 V 的电源电压下工作。
*附件：mspm0l1106.pdf

MSPM0L110x 器件提供高达 64KB 的嵌入式闪存和 4KB SRAM。这些 MCU 集成了一个高速片上振荡器，精度高达 ±1.2%，无需外部晶体。其他功能包括一个 3 通道 DMA、16 位和 32 位 CRC 加速器，以及各种高性能模拟外设，例如一个具有可配置内部基准电压源的 12 位 1.68 Msps ADC、一个通用放大器和一个片内温度传感器。这些器件还提供智能数字外设，例如四个 16 位通用定时器、一个窗口看门狗定时器以及各种通信外设，包括两个 UART、一个 SPI 和一个 I2C。这些通信外设提供对 LIN、IrDA、DALI、Manchester、Smart Card、SMBus 和 PMBus 的协议支持。

TI MSPM0 系列低功耗 MCU 由具有不同程度模拟和数字集成的器件组成，让客户能够找到满足其项目需求的 MCU。该架构与广泛的低功耗模式相结合，经过优化，可在便携式测量应用中实现更长的电池寿命。

特性

核心
- Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU，频率高达 32 MHz
作特性
- 扩展温度：–40°C 至 105°C
- 宽电源电压范围：1.62 V 至 3.6 V
记忆
- 高达 64KB 的闪存
- 4KB 的 SRAM
高性能模拟外设
- 一个 12 位 1.68 Msps 模数转换器（ADC），总共多达 10 个外部通道
- 可配置的1.4V或2.5V内部ADC基准电压源（VREF）
- 一个通用放大器（GPAMP）
- 集成温度传感器
优化的低功耗模式
- 运行：71 μA/MHz （CoreMark）
- STOP：4 MHz 时为 151 μA，32 kHz 时为 44 μA
- 待机：1.0 μA，运行 32 kHz 16 位定时器，完全保留 SRAM/寄存器，32MHz 时钟唤醒，时间为 3.2μs
- 关断：61 nA，具有IO唤醒功能
智能数字外设
- 3 通道 DMA 控制器
- 3 通道事件结构信令系统
- 四个 16 位通用定时器，每个定时器有两个捕获/比较寄存器，支持在待机模式下进行低功耗作，总共支持 8 个 PWM 通道
- 窗口看门狗定时器
增强的通信接口
- 两个UART接口;一个支持 LIN、IrDA、DALI、智能卡、曼彻斯特，两者都支持待机低功耗作
- 一个 I2C 接口，支持 FM+ （1Mbit/s）、SMBus、PMBus 和 STOP 唤醒
- 一个 SPI 支持高达 16 Mbit/s
时钟系统
内部 4 至 32 MHz 振荡器，精度为 ±1.2% （SYSOSC）
内部 32kHz 低频振荡器，精度为 ±3% （LFOSC）
数据完整性
- 循环冗余检查器（CRC-16 或 CRC-32）
灵活的 I/O 功能
- 多达 28 个 GPIO
- 两个 5V 容差漏极开路 IO
开发支持
- 2引脚串行线调试（SWD）
选择方案
- 32 引脚 VQFN （RHB）
- 28 引脚 VSSOP （DGS）
- 24 引脚 VQFN （RGE）
- 20 引脚 VSSOP （DGS）
- 16 引脚 SOT （DYY）、WQFN （RTR）

参数

方框图

‌1. 核心特性‌

‌CPU架构‌：Arm® Cortex®-M0+ 32位内核，主频高达32 MHz，支持-40°C至105°C宽温范围。
‌电源管理‌：工作电压1.62V至3.6V，集成多种低功耗模式（RUN/SLEEP/STOP/STANDBY/SHUTDOWN），最低功耗达61 nA（SHUTDOWN模式）。
‌存储配置‌：Flash容量32KB~64KB（L1105/L1106），SRAM 4KB，支持10万次擦写（低32KB区域）。

‌2. 关键外设‌

‌模拟模块‌：
- 12位ADC（1.68 Msps，10通道），可配置1.4V/2.5V内部参考电压。
- 通用放大器（GPAMP），集成温度传感器。
‌数字接口‌：
- 通信接口：2×UART（支持LIN/IrDA/DALI）、I2C（FM+ 1Mbps）、SPI（16Mbps）。
- 定时器：4×16位通用定时器（TIMGx），支持PWM/编码器接口。
- 3通道DMA控制器，事件驱动架构。