耐高温、长寿命、高集成!村田硅电容正成为AI与高速通信领域的关键器件
电子发烧友网报道(文/黄山明)随着社会逐渐步入AI时代,也促使着AI系统对电源完整性、封装密度、信号稳定性提出更高要求。有市场研究机构预测,受AI集群建设推动,2025-2026年全球光模块市场年增长率将达到30-35%。
而硅电容在耐高温、寿命上相比传统电容更有优势,同时在封装集成、电源管理、系统可靠性等方面扮演更加关键的角色。在第26届中国国际光电博览会上,电子发烧友网采访到了村田制作所(Murata)的相关专家,对硅电容在当前的应用与发展有了更深入的了解。
电子发烧友网报道(文/黄山明)随着社会逐渐步入AI时代,也促使着AI系统对电源完整性、封装密度、信号稳定性提出更高要求。有市场研究机构预测,受AI集群建设推动,2025-2026年全球光模块市场年增长率将达到30-35%。
而硅电容在耐高温、寿命上相比传统电容更有优势,同时在封装集成、电源管理、系统可靠性等方面扮演更加关键的角色。在第26届中国国际光电博览会上,电子发烧友网采访到了村田制作所(Murata)的相关专家,对硅电容在当前的应用与发展有了更深入的了解。

所谓硅电容,是一种利用半导体工艺在硅片上制造出的高性能、高可靠性、极其稳定的电容器。它并非旨在全面取代传统MLCC,而是在MLCC性能无法满足要求的高端领域扮演着关键角色,是推动5G通信、自动驾驶、AI和航空航天等技术发展的幕后功臣之一。
此次村田也带来了超宽频硅电容产品矩阵,产品包括适用于信号线交流耦合的表贴电容,最高带宽可支持到220GHz,也有可用于TOSA/ROSA偏置线的直流去耦打线电容及集成RC的定制硅基板。
据村田高级产品线经理Oliver Gaborieau透露,目前村田硅电容的工厂及研发所在地均位于法国,并已经有了两条硅电容的生产线,一条是6英寸,另一条为8英寸。
同时,村田的硅电容应用3D电容的封装形式,内部采用三棱柱及更先进得纳米孔状结构等设计,让产品电容密度可以做到2.5μF/mm²,厚度也可以做到40μm以下,这种超薄特性有利于在高度集成的电路中使用,节省空间,助力电子设备向小型化、轻薄化发展。
此外,村田的3D硅电容可以在-250℃-250℃的宽温度范围内具有高稳定性,这意味着它能在极端冷热的环境下正常工作,不仅能够适用于AI场景,还适用于航空航天、汽车等对温度要求苛刻的领域。

并且可以在频率高达220 GHz的应用中仍能保持信号稳定,也可应用于电压高达1200V的场景,使用寿命至少10年,长期使用过程中性能衰减缓慢,可靠性高,减少了频繁更换的成本与麻烦。
据Oliver介绍,目前村田的硅基产品主要分为四大产品系列,C系列为表面贴片,适用于高频场景下的表面贴装需求,比如高速通信、射频等领域;W系列为打线类型,侧重垂直方向的集成与引线键合连接,能在更薄的结构下实现电路连接,助力设备小型化;E系列主要为埋入型产品,结合了水平嵌入的布局优势与引线键合的连接灵活性。
此外还有Custom,即定制系列,可以提供定制宽带硅中介层、电容阵列、元件阵列等,满足客户个性化、复杂的应用需求,比如特定带宽、特殊阵列结构的场景。
同时,村田在宽带硅解决方案上,凭借在性能、可靠性、易用性上的突出优势,能很好地满足高速电信等领域对电子元件的高要求。
而在供应链全球化的大背景下,地缘政治带来的贸易摩擦影响在所难免,如何避免地缘政治带来的风险,成为各家企业所面临的难题。
对此,村田Computing市场事业群总经理黄友信表示,村田通过在全球多个地区布局工厂,并且不同的工厂可以支持同一产品的生产,不仅规避了地缘政治上的风险,并且更靠近当地客户,做到更好的服务。
例如在中国市场,村田1973年便已经进入到这一市场中,如今在中国拥有18个销售点,7个工厂以及3个研发中心,通过完善的服务体系来为中国的客户提供服务。未来也将在材料研发与制程等技术领域深耕,为客户带来更好的产品。
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