NSSine™超高性价比新品：NS800RT113x实时控制MCU，开启“M7平权”新时代

随着行业对算力与实时性的要求不断提升，传统 MCU 平台在运算能力、存储速度与外设性能方面逐渐显现瓶颈。为解决这一挑战，纳芯微推出NS800RT113x 系列 MCU，该系列基于Arm Cortex-M7 内核，集成自研 mMATH 数学加速核、高速 ADC、精细 PWM 及可编程逻辑模块等创新功能，全面满足电机控制、电力电子等对高性能与高实时性要求严苛的应用需求。此次发布标志着 M7 内核 MCU 进入更广泛的应用场景，为客户带来前所未有的性能平衡与价值体验。

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高性能高性价比M7内核

突破算力门槛

NS800RT1135/1137 搭载主频200MHz 的 Cortex-M7 内核，支持 ECC 的 128~256KB Flash 与 80KB TCM（CPU核内0等待内存），均支持ECC功能，显著提升实时计算性能。配合纳芯微自研的 mMATH 数学加速核，可高效处理三角函数、超越函数与浮点运算，全面增强控制类应用的算力支持。

在 MCU 市场中，Cortex-M4 内核是最常见的主流选择，而 NS800RT113x 系列率先将 Cortex-M7 内核引入更广泛应用。相较于M4 内核，M7 内核在 DMIPS/Hz 与 CoreMark/Hz 上分别提升 83% 与 49%，并原生支持核内 TCM，实现CPU 同频 0 等待访问。

当前“算力单价”日益受到行业关注，许多应用创新与成本优化都面临算力瓶颈的制约。NS800RT113x 系列高性价比 MCU的推出，将推动 M7 内核在电机驱动、电力电子及工业控制等场景实现更广泛应用，让客户能够以合理成本获得高性能计算能力，突破算力限制，释放更多创新潜能。

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先进的控制外设

轻松驾驭复杂场景

该系列集成 14 路 PWM，由专用事件管理器控制，并支持多达 8 个比较点的配置，实现高精度 PWM 输出和快速波形响应。其中 2 路高精度 PWM 更可达 80ps 分辨率。高速 ADC 最高采样率达 4.375Msps，支持双模组 21 通道采集，满足复杂信号实时监测需求。片上独创的 2 个 CLB 可编程逻辑模块，可灵活实现复杂时序控制与保护电路，减少外部器件依赖，降低系统成本。

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多样接口与封装

灵活适配设计需求

NS800RT113x 系列配备 3 路 UART、2 路 SPI、2 路 I2C 及 1 路 CAN 2.0 接口，适配多样化系统需求，并提供 LQFP64、LQFP48、QFN48 与 QFN32 多种封装，兼顾高性能与灵活设计。

NS800RT113x系列选型表

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供货和价格信息

NS800RT113x系列现已正式发布并可送样。其中，量产后 NS800RT1135-DQNGY2（封装：QFN32）在1千片采购数量的基础上，含税单价仅需5元人民币起。如需了解更多供货及价格详情，欢迎垂询[e-mail]。

NS800RT113x系列评估板

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