临时键合在晶圆减薄工艺中将愈发成为可能

新型键合材料对于在高级半导体制造工艺中保持超薄晶圆的完整性至关重要。有了新型材料的配合，临时键合在晶圆减薄工艺中愈发成为可能。

随着半导体晶圆制程对缩小特征尺寸和引入全尺寸3D集成需求高涨，晶圆越来越薄。虽然现在已经有了将晶圆减薄至低于100微米的工艺，但获得更薄晶圆（<50 μm）的代价却是令它们变得极度脆弱，因为深度的减薄工艺和后端的金属化工艺会给超薄晶圆施加额外应力，从而导致翘曲或断裂。

晶圆减薄工艺包括用聚合物键合材料，将器件晶圆暂时接合到承载晶圆上，并通过苛刻的后端稳定晶圆工艺来支撑超薄的器件衬底。至于剥离技术，三种主流的剥离晶片衬底的方法有：热滑动剥离、机械剥离和激光剥离，其中发展最迅速的为后两种剥离技术。

下表整理了三种剥离方法的主要特性：

热滑动剥离、机械剥离和激光剥离法正成为下一代超薄半导体晶圆的关键推动力。三种方法各有优势，技术工艺也在不断取得进步，为先进封装应用领域带来创新推动力。下一代超薄晶圆制造业中，临时键合正在飞速发展，这些剥离方法也将在半导体行业得到更多的应用。