Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管数据手册

Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1双向ESD保护二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态。ESD851/ESD851-Q1的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和气隙放电），超过了IEC 61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。对于浪涌，根据IEC 61000-4-5标准，该器件可以钳制峰值电流高达6.5A的8/20µs浪涌。

数据手册：

*附件：ESD851数据手册.pdf

*附件：ESD851-Q1数据手册.pdf

该器件还具有4.3pF（典型值）IO电容，能够保护数据线。其低动态电阻和低钳位电压可为瞬态事件提供系统级保护。Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1采用行业通用的引线式SOD-323封装，便于焊接操作。ESD851-Q1器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

特性

• IEC 61000-4-2 ESD保护
  • ±30kV接触放电
  • ±30kV气隙放电
• IEC 61000-4-5浪涌保护
  • 6.5 A (8/20µs)
  • 在6.5A (8/20µs) 的钳位电压：71V
• IO电容：4.3pF（典型值）
• 直流击穿电压：37.8V（最小值）
• 超低漏电流：10nA（最大值）
• 在16A TLP的ESD钳位电压：56V
• 工业温度范围：-55°C至+150°C
• 行业标准SOD-323引线式封装 (2.5mm × 1.2mm)

应用

• I/O保护
• 医疗和保健
• 电器
• 照明
• 测试与测量

功能框图