实现快速充电？TI带你领略智能手机的黑科技！-电子发烧友网

想了解当下快速充电技术面临哪些挑战？想知道TI的快速充电产品技术有哪些优势？想获得专业的讲解为你的作品提供设计思路？

在2018AETF亚太消费电子技术论坛峰会上，来自TI的BMS中国市场和应用经理——文司华（Simon Wen）进行了主题为“TI 新生代高效充电芯片”的演讲，为大家分析了快速充电为系统设计带来的挑战，并且讲解了TI电源管理解决方案和产品如何助力手机的设计与开发。

快速充电设计面临挑战

随着智能手机性能需求不断提高，TI也在推陈出“芯“和优化产品，以提供更小的方案尺寸和更优质的用户体验。在TI，你将了解到全新酷炫的消费电子技术，以及它们如何助力设计和产品开发。

文司华表示：“想要实现快速充电所要面临的挑战是很多的，如何突破传统适配器输入功率限制？在许可的终端设备的外壳温度下，如何最大化充电电流？如何让充电芯片提升功率转化效率，降低损耗？如何在快充情况下，保证电池安全及寿命？这些都是我们需要思考并解决的问题”。

效率提升为什么是关键？

从TI的芯片数据来看，早一代芯片产品是黄色线条，新产品是蓝色线条。可以看到，效率差，损耗会更高，如果效率提高2.5%，在同等的热损要求下，电流提升可以达到27%。即基本上1%的效率提升能够允许10%的电流提升。提高效率，能较大幅度的提升许可充电电流上限，从而带来更大的充电设计自由度！

两代芯片性能对比图

功率损耗和充电IC

从手机系统设计的层面看，高效率的DCDC降压芯片（亦即目前充电芯片的主流构架）通常要求采用更大的电感以实现更小的损耗，但是在手机设计中，容许的空间是有限的，所以有时不得不牺牲效率并限制最大电流来减少电感体积。另外，许可的充电热损取决于手机的具体设计目标，一般选择在0.7~0.9W之间。在此前提下，依据效率和电流要求筛选充电芯片，而且往往是先有一个基本充电电流的目标，再选取合适的充电芯片。单颗芯片功率不够的情况下，可能会考虑双充电芯片并行的构架。