LPDDR5X更轻薄了！明年旗舰机型或将采用

电子发烧友网综合报道，近日美光（Micron）宣布，正在交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品。该产品采用第六代10nm级别1γ（1-gamma）DRAM，速率达到10.7Gbps，可节省20%的电量，旨在加速旗舰智能手机上包括人工智能（AI）应用在内的执行数据密集型工作负载，带来更快、更流畅的移动体验和更长的电池续航时间。

1γ工艺的LPDDR5X是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案，可获得业界领先的容量密度。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术，提升晶体管性能，实现更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸，为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。

该LPDDR5X提供业界最薄的0.61mm封装，相比竞争对手的产品薄了6%，高度比上一代产品降低14%。更为小巧的LPDDR5X为智能手机制造商设计超薄或可折叠智能手机提供更多可能性。

美光正在向选定的合作伙伴提供基于1γ工艺的16GB LPDDR5X内存样品，可选容量8GB至32GB，或将于2026年的旗舰智能手机采用。

去年，三星电子推出12纳米级别LPDDR5X DRAM芯片，专为低功耗RAM市场设计，主要面向具备设备端AI能力的智能手机。

三星高管在谈到该款LPDDR5X的研发设计时表示，LPDDR5X是一种针对智能手机、平板电脑和笔记本电脑等需要高性能的端侧AI优化的内存解决方案。考虑到便携设备使用电池的特性，在低功耗运行的同时实现最高速度非常重要。从设备厚度、发热量等方面考虑，让芯片本身变得更薄也是一项重要任务。

三星LPDDR5X通过从策划到设计、工艺、PKG技术等与各开发部门的合作，实现了业界最快的10.7Gbps速度和当时业界最薄的0.65mm厚度。

为了实现业界最快的10.7Gbps速度，必须确保高速数据传输输入输出电路的性能。 此外，它还利用了降低内部运行电压的设计技术，实现高速运行的同时保持低功耗。

为了实现超薄的厚度，三星将两个芯片结合为一个单元，形成四个单元的内聚系统，并通过更改保护半导体电路的电路保护材料——EMC（环氧树脂模塑料）来进行优化。 最后，背面打磨技术的开发至关重要，该技术通过抛光晶圆背面来保持操作特性和可靠性，同时减少晶圆厚度。

市场上除了像HBM这种不计功耗、要求最高性能的产品外，对像LPDDR这种在低功耗下也能达到一定性能水平的产品的需求也日益增长。 对于替代现有DDR模块的LP模块产品（LPCAMM、SOCAMM等）来说也是如此。对于海量AI数据的并行处理，提高数据传输速度至关重要，而这会导致耗电量的爆炸式增长。LPDDR5X能够在消耗相对较低的功耗的同时实现高性能，是一种能够应对计算趋势变化的、极具吸引力的解决方案。