LM61460 是一款高性能 DC-DC 同步降压转换器。借助集成的高压侧和低压侧 MOSFET,可在 3.0 V 至 36 V 的宽输入范围内提供高达 6 A 的输出电流;可承受 42 V 电压,简化输入浪涌保护设计。LM61460 实现从 dropout 的软恢复,消除了输出的过冲。
*附件:lm61460.pdf
LM61460 专为实现最低 EMI 而设计。该器件集成了可调节的 SW 节点上升时间、具有低开关节点振铃的低 EMI VQFN-HR 封装,以及易于使用的优化引脚排列。开关频率可以在 200 kHz 和 2.2 MHz 之间设置或同步,以避免噪声敏感频段。此外,可以选择频率以提高低工作频率下的效率,或在高工作频率下选择更小的解决方案尺寸。
自动模式可在轻负载下运行时实现频率折返,允许仅 7 μA(典型值)的空载电流消耗和高轻负载效率。PWM 和 PFM 模式之间的无缝转换,以及极低的 MOSFET 导通电阻和外部偏置输入,确保了整个负载范围内的出色效率。
电气特性规定在 –40°C 至 +150°C 的结温范围内。
特性
- 功能安全
- 针对超低 EMI 要求进行了优化
- Hotrod™ 封装和并行输入路径最大限度地减少了开关节点振铃
- 可调 SW 节点上升时间
- 专为可靠和坚固的应用而设计
- 支持 42V 瞬变
- ±1% 总输出调节精度
- V
外可在 1 V 至 95% V 范围内调节在 - 0.4V 压差,4A 负载(典型值)
- 保护功能:热关断、输入欠压锁定、逐周期电流限制、打嗝短路保护
- 所有负载下的高效功率转换
- 13.5V 时空载电流为 7μA
在、3.3 伏外 - 1mA、13.5V 时 PFM 效率为 83%
在、5 V外 - 低 MOSFET 导通电阻
- R
DS_ON_HS= 41 mΩ(典型值) - R
DS_ON_LS= 21 mΩ(典型值)
- R
- 用于提高效率的外部偏置选项
- 13.5V 时空载电流为 7μA
- 适用于可扩展的电源
参数
方框图
1. 产品概述
2. 主要特性
- 功能安全:支持功能安全系统设计
- 低EMI设计:采用HotRod™封装、平行输入路径、可调SW节点上升时间等降低EMI
- 高效率:支持轻载模式下的PFM操作,提高整体效率
- 保护功能:包括过热保护、输入欠压锁定、逐周期电流限制、打嗝短路保护等
- 外部偏置选项:提高效率
- 引脚兼容性:与LM61440-Q1和LM61440兼容,便于扩展
3. 封装与尺寸
- 封装类型:VQFN-HR(14)封装,4.00mm × 3.50mm体积
4. 功能框图
- 关键引脚包括BIAS、BOOT、EN/SYNC、FB、VCC、SW、VIN等
- 内部结构包括控制逻辑、软启动电路、过压/欠压保护、热关断保护、PGOOD输出等
5. 关键功能描述
- EN/SYNC引脚:用于使能控制和输入欠压锁定(UVLO),支持同步外部时钟
- PGOOD输出:指示输出电压状态,提高系统可靠性
- 可调SW节点上升时间:通过外部电阻调整,优化EMI性能
- 软启动与恢复:采用软启动技术防止输出过冲,自动从掉电中恢复
- 过流保护:具有逐周期电流限制和打嗝保护模式,保护设备免受损坏
6. 应用与实现
- 典型应用电路:提供详细的应用电路图和设计步骤,包括输入输出电容选择、电感选择、自举电容选择等
- 布局指南:强调低寄生电感设计,输入输出电容和电感应靠近IC放置,减少噪声干扰
- 性能曲线:提供效率、负载和线性调整率、频率下降等关键性能曲线
7. 性能指标
- 电气特性:包括供电电流、关断电流、使能阈值、输出电压精度、负载调整率、效率等
- 热特性:提供热关断阈值和热滞后信息
- 系统特性:包括效率、输出电压精度、软启动时间、过流保护阈值等关键系统性能指标
8. 支持资源
此总结全面涵盖了LM61460的主要特性和应用信息,适用于需要高性能、低EMI和高效率的电源管理应用场景。
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