中国崛起！中国首个自主研发的 DRAM芯片有望于2018年底在合肥诞生

据消息，在近日于合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”中，长鑫存储技术有限公司董事长、睿力集成电路有限公司首席执行官王宁国介绍了合肥长鑫存储器项目的 5 年规划：2018 年 1 月一厂厂房建设完成，并开始设备安装；2018 年底量产 8Gb DDR4 工程样品；2019 年 3 季度量产 8Gb LPDDR4；2019 年底实现产能 2 万片/月；2020 年开始规划二厂建设；2021 年完成 17 纳米技术研发。王宁国表示，希望 2018 年底第一个中国自主研发的 DRAM 芯片能够在合肥诞生。

长鑫睿力起源于“506项目”。“506项目”起源于2016年5月6日兆易创新朱一明董事长和合肥市及经开区主要领导研讨合肥的存储器项目发展战略，因而得名。“506”项目包含合肥长鑫、长鑫存储、睿力集成三个运营主体。项目的目标为自主发展主流 DRAM 存储器 IDM。

中国 DRAM 存储器的发展离不开“天时地利人和”

王宁国表示，存储器尤其是 DRAM 存储器是非常难的技术，项目的成功离不开“天时地利人和”，首先在“天时”方面：存储器的应用非常多样化，从最早的台式电脑、个人电脑、智能手机、平板电脑、大数据，再到将来的人工智能应用都离不开存储器，而 DRAM 更是无所不在。因为这个原因，DRAM 的市场蓬勃发展，去年 2017 年已经达到 700 亿美元，今年有可能突破 1000 亿美元，中国在这个市场消耗的量至少占1/2到1/3，也就是将近 300 亿-500 亿美元，但是我们现在自主生产的 DRAM 芯片为零。

除此之外，由于技术转换比较困难，DRAM 提升的速度也逐步放缓，九十年代的时候，存储密度每 3 年增加 4 倍，而现在是每 4 年增加 1.5-2 倍。技术更新速度的降低，事实上对后进者来说是好事，有机会实现弯道超车，因此技术的推迟对我们是有意义的。

其次在“地利”方面，王宁国表示，合肥是一个非常有趣的地方。一个大规模的芯片制造企业，如果没有完整的产业链（设备、配件、维修、材料、和服务）的话，这个企业是不可能有效的生产低成本、高质量的芯片，因此合肥变成了一个几何的中心。

同时，王宁国呼吁更多的设备、配件和材料公司下决心在合肥落地生根，只要跟合肥的产业合作，那么一定会快速发展，只有在合肥建立起完整的产业链，中国集成电路产业才能壮大起来，否则没有办法成长。

最后在“人和”方面，王宁国表示，睿力集成于 2016 7 月 13 日成立，当时只有 1 个人，经过 21 个月 630 天之后，目前员工已达到 1539 人，相当于每一天有 2.5 个人报道，在不到两年的时间里这是一个非常快的成长。目前公司员工中，***同胞有 447 位，中国大陆员工有 1013 人，占比达三分之二，而安徽省员工又占大陆员工的三分之二。

长鑫睿力专注于自主研发，已与北方华创签约

据王宁国介绍，实际上长鑫睿力的研发工作已经有 1 年半的时间，在元件方面，自主开发了元件模组规格；在设计方面，设计了新的修补线路（E-Fuse），产生自有专利；在光罩方面，自主开发了光学邻近效应修正（OPC）；在制造方面，有 450 位平均 15 年 DRAM 工作经验的工程师做制程最佳化以快速提升良率，并自主开发最有效率的 IT 系统（大数据分析）；在测试方面，跟几家公司合作自主开发了测试程式（low cost RDBI wafer flow），帮助他们制造最廉价的测试设备，降低成本。

值得一提的是，长鑫睿力自主开发的光学邻近效应修正（OPC）项目由公司 7 位资深工程师和 12 位 ASML 资深工程师，经过 3 个月的时间一起工作完成的。

同时，长鑫睿力还自主研发了智能制造系统，能够实现良率、产能和质量的提升，目前有 70 多位员工服务于该系统。此外，长鑫睿力已经跟中科大签订协议，将与 15 位中科大学生一起合作，将智能制造系统做的更好。

截止 2017 年底，长鑫睿力已申请 354 件专利，2018 年计划申请 1155 件，因此截止 2018 年底，预计申请专利总数将达 1509 件。

最后，王宁国透露，长鑫睿力已经与北方华创签约，未来还会与更多的国内设备和材料厂商签约合作。希望用长鑫睿力 DRAM IDM 平台大力扶持国产半导体设备与材料的研发和产业化进程。