UCC27425-Q1 具有反相/同相输入的汽车类 4A/4A 双通道栅极驱动器数据手册

UCC2742x-Q1 系列器件是高速双通道 MOSFET 驱动器，能够向容性负载提供较大的峰值电流。提供两种标准逻辑选项：双反相和双同相驱动器。它们采用标准 8 引脚 SOIC （D） 封装。热增强型 8 引脚 PowerPAD 封装 MSOP 封装 （DGN） 大大降低了热阻，从而提高了长期可靠性。
*附件：ucc27425-q1.pdf

这些驱动器采用一种本质上将击穿电流降至最低的设计，在 MOSFET 开关转换期间，在米勒高原区域最需要的地方提供 4A 电流。独特的双极和 MOSFET 混合并联输出级还允许在低电源电压下实现高效的电流源和吸收。

UCC2742x-Q1 提供使能 （ENBL） 功能，以更好地控制驱动程序应用的运行。ENBA 和 ENBB 在引脚 1 和 8 上实现，而这些引脚以前在行业标准引脚分配中未使用。它们在内部被上拉至 V DD 以实现高电平有效逻辑，并且可以保持开路以进行标准作。

特性

• 适用于汽车应用
• 符合 AEC-Q100 标准，结果如下：
  • 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 器件 HBM ESD 分类 2 级
  • 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 行业标准引脚排列
• 为每个驱动程序启用功能
• ±4 A 的大电流驱动能力
• 独特的双极和 CMOS True Drive 输出级在 MOSFET 米勒阈值下提供高电流
• 输入不受电源电压的影响，与 TTL 和 CMOS 兼容
• 1.8nF 负载时，上升时间为 20ns（典型值），下降时间为 15ns（典型值）
• 典型传播延迟时间为 25 ns（输入下降时）和 35 ns（输入上升时）
• 4V 至 15V 电源电压
• 双输出可并联以获得更高的驱动电流
• 采用耐热性能增强型 MSOP PowerPAD™ 封装
• 额定温度范围为 –40°C 至 +125°C

参数

方框图

一、产品概述

1. 基本信息

• ‌产品名称‌：UCC5-Q
• ‌功能‌：双通道4A高速低端MOSFET驱动器，带使能功能
• ‌应用领域‌：开关模式电源、DC-DC转换器、电机控制器、线路驱动器、Class-D开关放大器等

2. 主要特点

• ‌AEC-Q认证‌：适用于汽车应用
• ‌双通道设计‌：一个通道为反相（inverting），另一个通道为非反相（non-inverting）
• ‌高峰值电流‌：每个通道能提供±A的峰值驱动电流
• ‌TrueDrive输出架构‌：采用双极性和MOSFET晶体管并行结构，提供高效的电流驱动
• ‌TTL和CMOS兼容输入‌：输入逻辑独立于电源电压
• ‌使能功能‌：每个通道具有独立的使能输入（ENBA和ENBB）
• ‌热增强型封装‌：提供MSOP PowerPAD封装，降低热阻，提高散热性能

二、引脚配置与功能

1. 引脚配置

• ‌ENBA‌（引脚）：通道A的使能输入
• ‌INA‌（引脚2）：通道A的输入信号
• ‌GND‌（引脚）：公共地
• ‌INB‌（引脚）：通道B的输入信号
• ‌OUTB‌（引脚）：通道B的驱动输出
• ‌OUTA‌（引脚）：通道A的驱动输出
• ‌ENBB‌（引脚）：通道B的使能输入
• ‌VDD‌（引脚6）：电源电压输入

2. 功能描述

• ‌ENBA/ENBB‌：控制对应通道的使能状态，内部上拉至VDD，高电平启用，低电平禁用
• ‌INA/INB‌：输入信号，具有逻辑兼容的阈值和迟滞
• ‌OUTA/OUTB‌：驱动输出，能够提供高达4A的峰值驱动电流至MOSFET栅极

三、电气特性

1. 静态工作电流

• 不同条件下的静态工作电流范围为数百微安至数毫安

2. 输入和输出特性

• ‌输入阈值电压‌：VIH为1.6V至.V，VIL为.V至1.5V
• ‌输出电流‌：每个通道能提供±4A的峰值驱动电流
• ‌输出电阻‌：高电平输出电阻为.Ω至2.5Ω，低电平输出电阻为0.7Ω至.Ω

3. 开关特性

• ‌上升时间‌：典型值为ns，最大值为ns
• ‌下降时间‌：典型值为ns，最大值为ns
• ‌传播延迟时间‌：输入上升时为ns至ns，输入下降时为5ns至0ns

四、应用与实现

1. 应用信息

• 适用于需要高速度、高电流驱动的应用场景，特别是在MOSFET开关转换期间提供高效的电流驱动

2. 典型应用

• 提供了在驱动两个独立MOSFET时的典型应用电路图

3. 设计要求

• 在选择栅极驱动器时，需考虑输入到输出配置、输入阈值类型、电源电压、峰值源电流和沉电流、使能功能、传播延迟、功率耗散和封装类型等设计参数

五、布局与热考虑

1. 布局指南

• 推荐将驱动器尽可能靠近功率MOSFET，以最小化寄生电感和噪声
• 使用低ESR的旁路电容来减少高频噪声
• 优化电流环路路径，以最小化环路电感

2. 热考虑

• 强调了热设计的重要性，特别是对于高功率应用
• 提供了不同封装选项的热阻和功率耗散评级，推荐使用MSOP PowerPAD封装以提高散热性能

六、封装与订购信息

1. 封装选项

• ‌ SOIC-(D) ‌：标准小外形集成电路封装
• ‌ MSOP-PowerPAD(DGN) ‌：热增强型微型小外形功率焊盘封装

2. 订购信息

• 提供了不同封装选项的订购信息，包括状态、材料类型、封装尺寸、载带和卷盘信息、RoHS状态等