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为什么芯片制造常用P型硅

中科院半导体所 来源:Tom聊芯片智造 2025-05-16 14:58 次阅读
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文章来源:Tom聊芯片智造

原文作者:Tom

本文主要讲述为什么芯片制造常用P型硅。

从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET,p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅?

什么是P型硅与N型硅?

在本征硅中,导电能力很差;向其中掺入五价元素(如磷 P、砷 As、锑 Sb)后,会多出一个“自由电子”;这些自由电子能自由移动 → 形成电子导电为主的半导体,称为N型硅。

掺杂三价元素(如硼 B),由于硼原子比硅少一个价电子 → 会在晶格中形成“空穴”;这些空穴可以自由移动,成为多数载流子,用于构建NMOS器件。

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采用P型硅的历史和实用原因?

1, NMOS器件早期主导

在70~80年代,早期数字电路多采用NMOS-only 逻辑电路。

NMOS结构速度快、易于制作,直接构建在P型衬底上即可,不需要额外的阱(well)结构;

所以:P型衬底就是天然支持NMOS器件的基底。

2,CMOS技术延续了P型晶圆结构

CMOS技术出现后,要同时集成 NMOS 和 PMOS:

NMOS:仍建在 P型 substrate 上(与之前NMOS流程兼容)

PMOS:在 P型 substrate 上构建 N-well 来容纳PMOS

这意味着只需增加一个掺杂步骤,就能在已有的P型衬底上完成CMOS制造。

3,工艺兼容与良率控制

使用P型衬底更易控制 latch-up问题;

电子作为少子(在P型中),扩散距离短,寄生效应易抑制;

衬底接地设计、阱隔离结构也围绕P型硅工艺进行优化。

4,衬底电位固定(简化偏置)

P型衬底直接接地(GND)即可,作为统一参考电位;若为N型衬底,衬底要接VDD,会因负载变化引入电位波动,造成PMOS VT偏移和噪声问题。

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原文标题:为什么芯片制造常用P型硅?

文章出处:【微信号:bdtdsj,微信公众号:中科院半导体所】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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