64层第二代3D NAND存储产品及解决方案

全新64层第二代3D NAND存储产品，这三种产品均支持高速通用闪存存储(UFS) 2.1标准。全新美光移动3D NAND产品提供256GB、128GB和64GB三种容量选择。

该全新移动解决方案基于美光业界领先的三级单元(TLC) 3D NAND技术，可帮助智能手机制造商通过人工智能(AI)、虚拟现实和面部识别等新一代移动功能来增强用户体验。AI在旗舰级手机中的出现推动了对能更快速高效地访问数据的更先进的存储解决方案的需求。分析机构Gartner预测，到2022年，80%的智能手机将具有AI功能，这会增加在本地处理和存储更多数据的需求。1

此外，由于智能手机已然成为摄影和多媒体共享的首选设备，存储容量需求将继续显著增加，目前旗舰级手机的容量最高为256GB，预计到2021年容量将增长到1TB。全新美光64层TLC 3D NAND存储解决方案利用针对移动设备进行了优化的架构满足了这些需求，在更小的空间内提供更多容量的同时，提供一致的高性能和低延迟。

“我们都希望智能手机提供大胆的新功能，而存储对此起到了日益关键的作用。”美光科技移动产品事业部市场副总裁Gino Skulick表示，“美光科技独家提供移动DRAM和3D NAND，并且我们的尖端设计将继续实现最先进的智能手机所需要的性能。”

64层TLC 3D NAND：助力移动领域的未来发展

该移动3D NAND产品将更多的存储单元集中到更小的芯片区域内，并利用美光阵列下的CMOS (CuA)设计，提供一流的芯片区域。美光独有的方法将所有闪存层置于逻辑阵列之上，最大限度地利用智能手机设计中的空间。

美光第二代TLC3D NAND移动技术具有多项竞争优势，包括以下新功能：

• 美光针对移动设备进行了优化的架构提供一致的高性能和低延迟，能够增强用户体验，同时通过使用高效的峰值功率管理系统将功耗降至最低。

• 全新美光64层TLC 3D NAND产品比上一代TLC 3D NAND快50%。

• 美光64层3D NAND技术比上一代TLC 3D NAND的存储密度高一倍，封装尺却未变。

• UFS 2.1 G3-2L接口规范为移动应用提供极具吸引力的性能，并且带宽比e.MMC 5.1高出多达200%，同时还提供同步读写功能。这为提供在捕获高分辨率照片的突发数据或将4K视频记录到存储时所需的数据访问速度奠定了基础。

• 该新产品基于32GB芯片，尺寸为59.341mm2——是业界市场上最小的32GB TLC 3D NAND芯片。2

1Gartner市场见解：支持AI的智能手机产生新商机的10个使用案例。（gartner.com/newsroom/id/3842564）

2资料来源：美光科技。基于美光B16A 32GB TLC 3D NAND芯片的内部测量结果与具有竞争力的32GB TLC 3D NAND芯片的对比。