TPS650860 器件是一款专为多核设计的单芯片电源管理 IC 处理器、FPGA 和其他片上系统 (SoC)。TPS650860 提供 5.6 V 的输入范围 至 21 V,应用范围广泛。该器件非常适合 NVDC 和非 NVDC 使用 2S、3S 或 4S 锂离子电池组的电源架构。请参阅应用程序部分 5V 输入电源。D-CAP2 和 DCS-Control 高频 稳压器使用小型电感器和电容器来实现小尺寸解决方案。The D-CAP2 和 DCS-Control 拓扑具有出色的瞬态响应性能,非常适合 具有快速负载切换的处理器内核和系统内存轨。一 我^2^C 接口允许通过嵌入式控制器进行简单控制 (EC) 或通过 SoC 进行。PMIC 采用 8mm × 8mm 单排 VQFN 封装,带导热垫,具有良好的散热效果和易用性 的板路由。
*附件:tps65086.pdf
特性
- 宽 V
在范围:5.6V 至 21 V - 三个具有 DCAP2™ 拓扑结构的可变输出电压同步降压控制器
- 使用具有可选电流限制的
外部 FET 的可扩展输出电流 - 我^2^C DVS 控制范围为 0.41 V 至 1.67 V(步长为 10 mV)或 1 V 至 3.575 V(步长为 25 mV)
- 使用具有可选电流限制的
- 三个具有 DCS 控制拓扑结构的可变输出电压同步降压转换器
- V
在范围:4.5 V 至 5.5 V - 高达 3 A 的输出电流
- 我^2^C DVS 控制范围为 0.41 V 至 1.67 V(步长为 10 mV)或 0.425 V 至 3.575 V(步长为 25 mV)
- V
- 三个具有可调输出电压的 LDO 稳压器
- LDOA1:我^2^C 级可选输出电压:1.35 V 至 3.3 V,输出电流高达 200 mA
- LDOA2 和 LDOA3:I^2^C 级可选输出电压范围为 0.7 V 至 1.5 V,输出电流高达 600 mA
- 用于 DDR 存储器终端的 VTT LDO
- 三个负载开关,带转换速率控制
- 高达 300 mA 的输出电流,压
降小于标称输入电压的 1.5% - R
DSON 系列< 96 mΩ(输入电压为 1.8 V)
- 高达 300 mA 的输出电流,压
- 5V 固定输出电压 LDO (LDO5)
- 通过工厂OTP 编程实现内置灵活性和可配置性
- 6 个 GPI 引脚可配置,以启用(CTL1 至 CTL6)
或睡眠模式进入(CTL3 和 CTL6) 任何选定
电源轨 - 4 个 GPO 引脚可配置为为任何
选定电源轨供电 - 漏极开路中断输出引脚
- 6 个 GPI 引脚可配置,以启用(CTL1 至 CTL6)
- 我^2^C 接口支持:
- 标准模式 (100 kHz)
- 快速模式 (400 kHz)
- 快速模式 Plus (1 MHz)
参数
方框图
1. 产品概述
- 功能:TPS65086是一款单芯片电源管理IC(PMIC),专为多核处理器、FPGA和其他系统级芯片(SoC)设计。
- 输入电压范围:宽输入电压范围,从5.6V到21V。
- 输出能力:三个负载开关,三个同步降压转换器,以及三个低压差线性稳压器(LDO)。
2. 主要特性
- 可编程多轨输出:支持多达六个可编程输出电压轨,包括三个降压控制器和三个LDO。
- 动态电压调节:支持DVS(动态电压调节),实现更高效的电源管理。
- 灵活的配置:通过I2C接口进行灵活配置和控制。
- 热监测和保护:具有热监测和热保护功能,确保芯片在过热时能够自动关闭。
- 电源良好(PGOOD)指示:提供电源良好信号,用于指示各输出轨的电源状态。
3. 应用领域
4. 功能块
- 降压控制器(BUCK1-6) :提供高效、可编程的输出电压,支持DVS和PWM/PFM模式切换。
- 低压差线性稳压器(LDOA1-A3) :提供稳定的输出电压,适用于对噪声敏感的电路。
- 负载开关(SWA1, SWB1, SWB2) :用于控制外部电路的电源,具有过流保护和自动放电功能。
- VTT LDO:专为DDR内存终止设计,支持源和沉电流模式。
5. 电气特性
- 转换效率:高达90%以上,具体取决于输入电压、输出电压和负载条件。
- 输出电压精度:±1%至±2%,具体取决于配置和负载条件。
- 负载瞬态响应:快速负载瞬态响应,确保系统稳定性。
- 静态电流:低静态电流,减少系统功耗。
6. 热管理
- 热阻:提供了从结到环境、结到外壳以及结到板的热阻参数。
- 温度保护:具有热警告和热关断功能,防止芯片过热损坏。
7. I2C接口
- 通信协议:支持标准模式(100kHz)、快速模式(400kHz)和高速模式(1MHz)。
- 可配置性:通过I2C接口可以配置和控制PMIC的所有功能,包括输出电压、使能/禁用轨、电源良好映射等。
8. 布局与设计指南
- 输入/输出电容:推荐使用低ESR的陶瓷电容,以减小电压纹波和提高稳定性。
- 电感选择:根据应用需求选择合适的电感值,以平衡纹波电流、效率和瞬态响应。
- 热设计:通过多层PCB设计和热焊盘连接,提高热耗散能力。
- 敏感信号布线:控制信号和反馈信号应远离高噪声信号,以减小干扰。
9. 封装与订购信息
- 封装类型:VQFN(64引脚),8mm x 8mm,具有热焊盘。
- 订购选项:提供了不同数量和环保选项的订购信息。
10. 文档与支持
- 设计指南:提供了详细的设计指南和应用说明,帮助用户快速上手。
- 社区资源:用户可以访问TI的E2E在线社区获取更多技术支持和设计帮助。
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