浮思特 | CMOS技术原理与应用：从晶体管结构到反相器设计

MOSFET在数字电路中的常见形式是互补MOS(CMOS)电路。CMOS技术将n沟道和p沟道MOSFET成对集成在同一芯片上，成为数字集成电路的主导技术，相比单独使用NMOS和PMOS晶体管具有诸多优势。

发展互补MOSFET(CMOS)技术的主要动机是实现数字电路逻辑门的高速运行与低功耗。CMOS技术支持构建多种高性能模拟和数字电路，其工作原理与BJT逻辑器件类似，但通过电压而非电流触发——CMOS栅极不存在电流输入。

1970年代CMOS技术仅应用于电子表等特定消费领域。但到1980年代，凭借低功耗、高噪声容限、更宽的工作温度/电压范围、电路简化、抗电迁移、高可靠性及版图设计便捷等优势，VLSI技术开始转向CMOS。80年代VLSI的发展使单芯片集成度达到数百万晶体管。目前CMOS已成为VLSI数字和混合信号设计的主流技术，相比晶体管-晶体管逻辑(TTL)，CMOS速度更快、更适应低电源电压工作且功耗更低。

下文将阐述n型与p型互补晶体管对如何构成CMOS模块基础。

反相器介绍

反相器是实现信号反转的逻辑元件。数字电路中，二进制算术和开关函数的数学运算最佳采用0(低电平)和1(高电平)表示。当逻辑电平定义为0V(地)和V伏时，反相器使0V输入产生V伏输出，反之亦然。

除文字描述外，真值表可系统呈现所有可能输入组合及其对应输出。表1即为反相器真值表。

表1

NMOS反相器

常规用法以栅极为输入、漏极为输出，源极与衬底接地。图1显示增强型n沟道MOS(NMOS)在输入接地时的符号与连接。正电压+V通过负载电阻(RL)为漏极供电形成偏置。负载电阻产生Id∙RL压降(Id为漏极电流)，衬底、源极和栅极均接地。

图1

输入接地时，栅电容电压为零(逻辑0)，电容保持放电状态，晶体管无导电沟道形成，呈现高阻开路特性，漏源电流Id极低。因负载电阻压降可忽略，输出为正电压+V(逻辑1)。故输入逻辑0时晶体管截止，输出近似电源电压(逻辑1)。

当栅极施加正电压时，电子被吸引至栅极氧化层。当电荷积累足够时，硅表面转变为n型材料，形成连接n型源漏区的低阻n沟道，使漏极电流Id从漏极流向源极。栅极正电压使晶体管开启(阈值电压VT)，表现为闭合开关。此时n沟道电阻远小于负载电阻，输出近似接地(逻辑0)。

图2

综上，输入逻辑0时输出近V伏(逻辑1)，输入逻辑1时输出接地(逻辑0)，实现反相功能。"增强型"得名于晶体管常态开路、导通需激活的特性。需注意：栅极连接电容使直流输入始终开路，仅电容充放电时存在输入电流。

NMOS反相器的缺陷在于晶体管导通时存在电源到地的持续电流，这在复杂电路中会导致显著功耗增加。

PMOS反相器

PMOS晶体管以互补方式工作，其反相器连接与NMOS相反。图3展示输入接+V(逻辑1)时PMOS反相器的符号与连接，衬底和源极接+V，负载电阻接地。

图3

+V输入(Vgs=0V)不充电栅电容，晶体管保持截止，其高阻使输出接地(逻辑0)。接地输入(Vgs=-V)使栅电容充电，电容另一侧的正电荷将n型硅表面转为p型材料，形成源漏间低阻p沟道，晶体管开启，Id从源极流向漏极。此时导通电阻远小于负载电阻，输出近+V(逻辑1)。与NMOS相同，输入逻辑0输出逻辑1，反之亦然。

图4

CMOS剖面结构

CMOS制造于兼具电气参考和机械支撑的衬底上。剖面图沿晶体管中部切割晶圆呈现侧视图。图5为CMOS栅极的简易剖面，NMOS和PMOS集成在同一芯片：p沟道器件右侧形成p沟道，n沟道器件左侧形成n沟道。

图5

此结构中，PMOS直接制作于n型衬底(体区)，NMOS制作于p型区域(p阱)。阱是低掺杂深扩散区，既作为器件衬底又提供隔离。也可采用p型衬底配合n阱工艺。n型体区与p阱的连接方式未具体说明。

CMOS反相器

CMOS反相器结构简洁(图6)，将功耗降至最低。它由增强型NMOS和PMOS串联构成，各晶体管互为对方的负载电阻。栅极并联为输入端，漏极连接处为输出端。PMOS(Q1)衬底和源极接+V，NMOS(Q2)对应端接地。

图6

输入+V(逻辑1)时，Q2的Vgs=+V导通(漏源电阻极小)，Q1的Vgs=0V截止(漏源电阻极大)，根据分压规则输出近0V(逻辑0)(图7)。输入接地时，Q2截止，Q1的Vgs=-V导通，此时Q1低阻、Q2高阻，输出近+V(逻辑1)(图8)。NMOS作为下拉管将输出拉至地，PMOS作为上拉管将输出拉至+V。

图7

图8

CMOS反相器功耗

CMOS电路直流输入电流可忽略。因截止晶体管将漏电流限制为泄漏值，两种状态的功耗均极低，仅输入切换时出现显著功耗。虽然CMOS平均功耗低，但其值取决于电路活动性：静态电路功耗极小，此特性使CMOS总体比TTL更高效;但高频状态切换时功耗可能接近TTL水平。

CMOS反相器直流电压传输特性

直流电压传输特性(VTC)可量化反相器工作状态，即输出电压(Vo)随输入电压(Vi)的变化曲线。CMOS反相器的VTC近乎理想，图9展示Q1/Q2匹配时的VTC曲线。

图9

匹配晶体管使VTC对称且上下拉电流驱动能力相等。CMOS反相器的重要特性是高输出电压摆幅。如图9所示，根据Q1/Q2工作模式，VTC分为五段：

Q2截止

Q2饱和/Q1线性

Q1/Q2均饱和

Q1饱和/Q2线性

Q1截止

该曲线将逻辑0/1定义为电压范围，且输入/输出的逻辑电平阈值不同。关键参数包括输入高低电平Vih/Vil、输出高低电平Voh/Vol及阈值电压VT。Vih/Vil对应VTC斜率dVo/dVi=-1的点：Vi>Vil时增益增加进入转换区;Vi

数字设计追求窄转换区，而模拟设计则关注该区域。

CMOS技术回顾

互补MOS(CMOS)在数字电路中无处不在，成为复杂数字IC的首选技术。"互补"指同一芯片上配对的增强型NMOS和PMOS：导通晶体管漏源电阻极低，截止时极高。

CMOS反相器采用串联的NMOS和PMOS，PMOS接+V，NMOS接地。输入逻辑0时NMOS截止/PMOS导通，输出上拉至逻辑1;输入逻辑1时NMOS导通/PMOS截止，输出下拉至逻辑0。与其他FET器件相同，CMOS输入栅极绝缘，故输入电流极小。CMOS仅在状态切换时产生显著功耗，这一无静态功耗的特性使其自诞生起就大获成功。