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LM5116系列 6-100V 宽 Vin、电流模式同步降压控制器数据手册

科技绿洲 2025-04-02 13:55 次阅读
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LM5116 是一款同步降压控制器,适用于采用高压或变化较大的输入电源供电的降压稳压器应用。该控制方法基于使用仿真电流斜坡的 current mode control。电流模式控制提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和易于环路补偿。使用仿真控制斜坡可降低脉宽调制电路的噪声敏感性,从而能够可靠地控制高输入电压应用中所需的非常小的占空比。
*附件:LM5116 宽范围同步降压控制器数据表.pdf

工作频率可在 50 kHz 至 1 MHz 范围内编程。LM5116 具有自适应死区时间控制功能,可驱动外部高侧和低侧 NMOS 电源开关。用户可选的二极管仿真模式支持不连续模式作,以提高轻负载条件下的效率。低静态电流关断会禁用控制器,并消耗不到 10 μA 的总输入电流。

其他功能包括高压偏置稳压器、自动切换到外部偏置以提高效率、热关断、频率同步、逐周期电流限制和可调线路欠压锁定。该器件采用功率增强型 HTSSOP-20 封装,具有外露芯片安装焊盘,有助于散热。

特性

  • 提供新的、类似的产品:
    • LM5148 具有超低 IQ 和 DRSS 的 80V 同步降压控制器
    • LM5149 具有超低 IQ 和 AEF 的 80V 同步降压控制器
  • 仿真峰值电流模式
  • 高达 100 V 的宽工作范围
  • 低 I Q 关断 (< 10 μA)
  • 驱动标准或逻辑电平 MOSFET
  • 稳健的 3.5A 峰值栅极驱动
  • 自由运行或同步运行,最高可达 1 MHz
  • 可选的二极管仿真模式
  • 1.215 V 至 80 V 的可编程输出
  • 精密 1.5% 电压基准
  • 可编程电流限制
  • 可编程软启动
  • 可编程线路欠压锁定
  • 自动切换到外部偏置电源
  • HTSSOP-20 外露焊盘
  • 热关断

参数
image.png

方框图
image.png

1. 产品概述

  • 产品名称‌:LM5116 宽范围同步降压控制器
  • 类型‌:同步降压控制器
  • 特点‌:适用于高电压或宽范围输入供电的降压应用,具有宽工作范围(高达100V)、低静态电流关断、可编程输出等功能。

2. 主要特性

  • 宽工作范围‌:输入电压高达100V
  • 低静态电流关断‌:小于10µA
  • 可编程输出‌:输出电压范围1.215V至80V
  • 精确电压参考‌:1.5%精度
  • 可编程电流限制
  • 可编程软启动
  • 热关断保护
  • 同步或自由运行模式
  • 可选二极管仿真模式

3. 引脚功能

  • VIN‌:输入电压
  • VCC‌:芯片供电电压
  • VCCX‌:可选外部VCC供电
  • HB‌:高侧驱动器供电
  • HO‌:高侧MOSFET栅极驱动输出
  • LO‌:低侧MOSFET栅极驱动输出
  • PGND‌:功率地
  • AGND‌:模拟
  • COMP‌:误差放大器输出
  • FB‌:反馈输入
  • CS‌:电流感应输入
  • CSG‌:电流感应地
  • DEMB‌:低侧MOSFET源极电压监测
  • EN‌:使能输入
  • UVLO‌:欠压锁定输入
  • SS‌:软启动输入
  • RAMP‌:斜坡控制信号输入
  • RT/SYNC‌:振荡器定时电阻/同步输入

4. 电气特性

  • 工作频率‌:可编程,50kHz至1MHz
  • VCC工作电流‌:VCCX=0V时,VIN=48V时57mA,VIN=100V时5.98mA
  • 软启动电流源‌:8µA至14µA
  • 误差放大器‌:DC增益80dB,单位增益带宽3MHz
  • 电流限制阈值‌:可编程,CSG-CS=0V时94mV至126mV

5. 功能描述

  • 电流模式控制‌:使用模拟电流斜坡,减少噪声敏感性
  • 自适应死区时间控制‌:确保高低侧MOSFET不会同时导通
  • 软启动功能‌:逐渐增加输出电压,减少启动应力
  • 二极管仿真模式‌:在轻载条件下提高效率
  • 热关断‌:防止芯片过热损坏
  • 同步或自由运行‌:根据应用需求选择工作模式

6. 应用领域

  • 汽车信息娱乐系统
  • 工业DC-DC电机驱动器
  • 汽车USB适配器
  • 电信服务器

7. 设计指南

  • 输入电容‌:选择合适的输入电容以限制VIN引脚的纹波电压
  • 输出电感‌:根据负载电流和纹波电流要求选择合适的电感值
  • 电流感应电阻‌:设置电流限制阈值
  • 斜坡电容‌:根据电感值和电流感应放大器增益选择合适的电容值
  • 软启动电容‌:设置软启动时间

8. 布局考虑

  • 关键路径最小化‌:保持输入电容、MOSFET和电流感应电阻的路径最短
  • 地平面处理‌:为PGND和AGND提供单独的地平面,减少噪声干扰
  • 热管理‌:确保芯片和MOSFET有良好的散热路径
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