概述
LTC5552是一款高性能、微波双平衡无源混频器,可用于上变频或下变频。该器件与LTC5553相似,但是具有一个宽带、差分DC至6GHz IF端口。LTC5552推荐用于IF频率范围扩展至500MHz以下的应用。对于IF频率始终高于500MHz的应用,建议采用LTC5553,因为这款器件内置了一个集成式IF巴伦。
混频器和集成式RF巴伦经过优化,可覆盖3GHz至20GHz RF频率范围。集成LO放大器专门针对1GHz至20GHz频率范围进行了优化,仅需0dBm驱动电平。
此器件通过小型封装提供高IIP3和P1dB、低LO泄漏和高集成度。
数据表:框图*附件:LTC5552具宽带DC至6GHz IF的3GHz至20GHz微波混频器技术手册.pdf
应用
特性
- 集成的 LO 缓冲器:0dBm LO 驱动
- 50Ω 宽带匹配 RF 和 LO 端口
- 宽的 IF 带宽:DC 至 6GHz
- 上变频或下变频
- 高 IIP3:
- 在 10GHz 为 +22.5dBm
- 在 17GHz 为 +18.3dBm
- +14.6dBm 输入 P1dB (在 10GHz)
- 8dB 转换损耗 (在 10GHz)
- 3.3V / 132mA 电源
- 针对时分双工 (TDD) 操作的快速接通 / 关断
- 3mm x 2mm、12 引脚 QFN 封装
引脚配置
引脚功能
- GND(引脚1、3、4、6、8、10、12,外露焊盘引脚13) :接地引脚。这些引脚必须焊接到电路板上的射频接地层。封装的外露焊盘金属层既能提供接地的电气连接,又能与印刷电路板实现良好的热接触。
- IF⁺、IF⁻(引脚2、3) :中频的差分端子。这些引脚可用于差分中频信号传输;若需要单端中频端口,也可连接到外部巴伦。根据外部巴伦的带宽,中频端口的使用范围可以从直流到6GHz,前提是IF⁺和IF⁻引脚上的直流电压为0V 。
- RF(引脚5) :射频端口的单端端子。该引脚内部连接到射频变压器的初级侧,而变压器与地之间的直流电阻较低。必须使用一个串联隔直电容,以防止直流电压损坏集成变压器(如果存在直流电压的话)。射频端口的阻抗在1GHz至20GHz频率范围内匹配到50Ω,当LO由0 ± 6dBm的信号源驱动时,带宽可达3GHz 。
- EN(引脚7) :使能引脚。当施加到该引脚上的电压大于1.2V时,混频器被启用;当电压小于0.3V时,混频器被禁用。典型的输入电流小于30pA。该引脚内部有一个376kΩ的下拉电阻。
- VCC(引脚9) :电源引脚。该引脚必须外接一个稳定的3.3V电源,并且在靠近该引脚处放置一个旁路电容。器件启用时的典型电流消耗为132mA。
- LO(引脚11) :本地振荡器(LO)输入。必须使用一个串联隔直电容。该引脚的典型直流电压为1.6V。
框图
应用信息
简介
LTC5552 由高线性度双平衡混频器核心、本振(LO)缓冲放大器以及偏置 / 使能电路组成。有关各引脚功能的描述,请参见 “功能框图” 部分。射频(RF)和本振(LO)端口为 50Ω 单端输入。中频(IF)为差分输出。若需要单端中频信号,则需要外部巴伦。

LTC5552 可用作下变频器,此时射频作为输入,中频作为输出。它也可用作上变频器,此时中频作为输入,射频作为输出。本振可采用低侧注入或高侧注入。评估电路布局分别如图 1 和图 2 所示。
射频变压器的初级侧直流电阻约为 2.5Ω。如果射频源存在直流电压,则需要一个隔直电容。射频变压器的次级绕组内部连接到混频器核心。射频端口内部在 3GHz 至 20GHz 频率范围内进行宽带匹配。在距离射频引脚 1.4mm 处放置一个 0.15pF 的并联电容,可用于改善 13GHz 至 15GHz 频率范围内的射频端口匹配,本振功率范围为 - 6dBm 至 6dBm。测得的射频输入回波损耗如图 4 所示,对应的是低侧本振注入情况下,中频频率为 900MHz、2GHz 和 4GHz 时的情况。
射频输入阻抗和输入反射系数随射频频率的变化情况列于表1。该数据的参考平面为集成电路的引脚5,且无外部匹配,本振在12GHz频率下驱动。
本振输入
混频器的本振输入如图5所示,由单端转差分转换电路和高速限幅差分放大器组成。本振放大器针对1GHz至20GHz的本振频率范围进行了优化。超出或低于此频率范围的本振频率也可使用,但性能可能会下降。
本振输入的直流电压约为1.6V,需要一个隔直电容(C1)。
本振在1GHz至20GHz范围内实现50Ω匹配。对于扩展的本振工作频率范围,可能需要外部匹配组件。为确保在极宽的带宽内实现最佳的本振阻抗匹配,本振输入处不使用静电放电(ESD)保护器件。因此,本振是混频器中对ESD应力最敏感的引脚。如图6所示为本振输入回波损耗的测量值,标称本振输入电平为0dBm,不过限幅放大器在±6dBm的输入功率范围内都能提供出色的性能。
本振输入阻抗和输入反射系数随频率的变化情况如表2所示。

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