瞄准1.6T光模块，ST推新一代硅光技术

电子发烧友网综合报道 最近意法半导体（ST）推出了新一代专有硅光技术和新一代BiCMOS技术，这两项技术的整合形成一个独特的300毫米（12英寸）硅工艺平台，产品定位光互连市场，ST表示这两项技术目前都处于产品转化阶段，计划将在ST位于法国克罗尔 300 毫米晶圆厂投产。

硅光技术是一种基于硅材料和硅基衬底（如SiGe/Si、SOI等）的光电集成技术，通过互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺制造光子器件和光电器件，将光信号与电信号集成在同一芯片上。其核心是利用激光束代替传统电子信号进行数据传输，兼具光通信的高带宽、低能耗特性与硅基半导体的成熟制造优势。

硅光技术通过CMOS工艺实现光器件与电子元件的单芯片集成，大幅缩小尺寸并降低制造成本，尤其适合大规模生产。同时光信号传输速率远超传统铜互连，且能耗更低，适用于数据中心、高速计算等场景。

ST表示，随着 AI 计算需求的指数级增长，计算、内存、电源以及这些资源的互连都面临着性能和能效的挑战。ST新推出的硅光技术和新一代BiCMOS技术可以帮助云计算服务商和光模块厂商克服这些挑战。计划从2025年下半年开始，800Gb/s和 1.6Tb/s 光模块将逐步提升产量。

在AI数据中心中，为了提高计算效率，光互连技术十分关键，AI驱动的数据爆炸迫使数据中心采用光互连技术，其通过光信号传输替代传统电连接，显著提升吞吐量并降低延迟，满足AI模型训练和推理对实时数据处理的需求。

在AI大模型训练中，光模块需求激增，光互连通过高速、稳定的链路保障分布式计算的高效性，成为智算中心构建万卡集群的核心技术。光互连的低功耗特性同样对AI数据中心至关重要，相比铜缆，光信号传输减少能量损耗，且支持更高密度的集成，助力绿色数据中心建设。

BiCMOS是一种将双极型晶体管（BJT）与CMOS集成在同一芯片上的混合半导体工艺技术。其核心特点是结合了双极型器件的高速性能和CMOS器件的低功耗特性，通过工艺优化实现两者的协同互补。因此，在光互连应用中，BiCMOS支持模拟与数字信号的混合处理，满足光通信对模拟精度（如光调制器控制）和数字逻辑（如协议处理）的双重需求，高集成显著缩小光模块的体积，在降低成本的同时提高可靠性。

意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁 Remi El-Ouazzane,表示：“人工智能需求正在加快高速通信技术在数据中心生态系统中的普及应用，现在正是ST推出新的高能效硅光技术以及新一代BiCMOS技术的好时机，因为这两项技术能够让客户设计新一代光互连产品，为云计算服务运营商提供800Gbps/1.6Tbps的光互连解决方案。这两项技术是客户光模块开发战略中的两个关键器件，拟在ST的欧洲300 毫米晶圆厂制造，并作为独立的厂家为客户大批量供货。今天的公告标志着我们PIC产品系列的第一步，得益于与整个价值链中关键合作伙伴的紧密合作，我们的目标是成为数据中心和AI集群市场中硅光子和BiCMOS晶圆的头部供应商，无论是现在的可插拔光模块，还是未来的光I/O连接。”