UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应用进行了优化。特别注意最小化通过比较器和逻辑电路的传播延迟,同时最大化误差放大器的带宽和转换速率。该控制器设计用于电流模式或电压模式系统,具有输入电压前馈功能。
保护电路包括一个具有 1V 阈值的电流限制比较器、一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,该引脚将兼作最大占空比钳位。该逻辑完全锁存,以提供无抖动作,并禁止在输出端出现多个脉冲。具有 800 mV 滞后的欠压锁定部分可确保低启动电流。在欠压锁定期间,输出为高阻抗。
*附件:UC1825B-SP V 类抗辐射高速 PWM 控制器数据表.pdf
该器件具有图腾柱输出,旨在从电容负载(如功率 MOSFET 的栅极)拉出和吸收高峰值电流。on-state 设计为高级别。
特性
- 符合 QML-V 标准,贴片 5962-8768106
- 5962R8768106VYC:
- 抗辐射保证 (RHA) 高达 100 克拉德 (Si) 总电离剂量 (TID)^(1)^
- 与电压或电流模式拓扑兼容
- 实际作开关频率达 1 MHz
- 50ns 传播延迟到输出
- 大电流双图腾柱输出(峰值 2A)
- 宽带宽误差放大器
- 具有双脉冲抑制的完全锁存逻辑
- 逐脉冲电流限制
- 软启动/最大占空比控制
- 带滞后的欠压锁定
- 低启动电流 (1.1 mA)
参数
方框图
1. 主要特性
- 抗辐射能力:设计为辐射硬化版本,适合航天等辐射环境应用。
- 高速PWM控制:适用于高频开关模式电源应用,优化传播延迟和误差放大器带宽。
- 宽带宽误差放大器:增益带宽积高达10.5 MHz,提高系统响应速度。
- 多种保护功能:包括电流限制、软启动、欠压锁定(UVLO)和过热关断。
- 高电流图腾柱输出:每个输出可提供高达2A的峰值电流,适用于驱动功率MOSFET。
- 同步功能:支持外部时钟同步,实现精确的时序控制。
2. 应用领域
3. 功能描述
- 电流模式控制:支持电流模式控制,提高系统稳定性和响应速度。
- 软启动功能:通过外部电容器实现软启动,避免启动时的电流冲击。
- UVLO功能:在输入电压低于设定阈值时,自动关闭输出,保护电路。
- 过热关断:当结温超过设定阈值时,自动关闭输出,防止过热损坏。
4. 封装与尺寸
- 封装类型:陶瓷扁平封装(CFP),尺寸为10.16 mm x 7.10 mm。
- 温度等级:工作温度范围为-55°C至125°C。
5. 电气特性
- 供电电压范围:10 V至30 V。
- 输出电流能力:每个图腾柱输出可连续提供高达100 mA的电流。
- 误差放大器特性:开环增益高达95 dB,共模抑制比(CMRR)高达95 dB。
- 振荡器特性:初始频率准确度高达±10%,可通过外部电阻和电容调整频率。
6. 热特性
- 提供热阻等热信息,有助于热设计和散热处理。
7. 典型应用电路
数据表中提供了推挽拓扑、半桥和全桥等典型应用电路图,详细说明了组件选择和布局指南。
8. 设计资源与工具
- 应用笔记:提供详细的设计指导和应用案例。
- 布局指南:提供PCB布局和接地平面的设计建议,以降低电磁干扰(EMI)。
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