高性能N沟道MOSFET是开关、放大和驱动领域的最优选择

N沟道MOSFET通过控制栅源电压来控制源漏间电子通路的导通与截止。当栅源电压高于阈值电压时，栅极下方会形成N型导电沟道，源极电子在电场作用下流向漏极，实现电流导通，且改变栅源电压可调节沟道宽窄和漏极电流。

增强型N沟道MOSFET在VGS = 0时截止，VGS大于阈值电压（Vth）时才会出现导电沟道；耗尽型N沟道MOSFET在VGS = 0时就存在导电沟道，施加反向电压（VGS < 0）会使沟道变窄，VGS达到某负值时沟道消失，器件截止。增强型可以理解为常闭，需要有外来的电压将它打开，耗尽型可以理解为常开，需要有外来的电压将它关闭。

产品特性

合科泰半导体推出的N沟道MOSFET管HKTD50N03性能卓越，兼具超低导通电阻、高电流承载能力和优异的散热性能等优势。它具备高效功率转换和快速开关能力，特别适用于低功率DC-DC转换器、负载开关以及表面贴装设备等应用。其电学特性表现优异，包括直流反向电压30V、正向电流50A@25℃、正向涌浪电流112A、反向电流1μA@25℃以及正向电压1.0V至3.0V。

HKTD50N03产品采用TO-252封装，这是一种表面贴装（SMD）形式。TO-252封装的产品具有紧凑的尺寸、优异的散热性能和高可靠性，适合于在高密度电路板和自动化生产线中使用。N沟道MOSFET具有非常好的电学性能，如超低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于电源管理、负载开关和DC-DC转换器等产品。

产品应用

HKTD50N03型号N沟道MOSFET的具有很好的功率处理能力和高效开关性能，应用特别地广泛在低功率DC-DC转换器、负载开关、电源管理系统、电机驱动以及消费电子产品等产品上，均可见到它的身影。

HKTD50N03产品具有很好的特性，它可以和电容、电阻、电感、二极管以及控制器IC等元器件进行合理的连接，构成高效、稳定的电路，可以实现功率转换、负载控制、信号放大、开关控制以及能量管理等多种功能。