0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

500V高压MOSFET集成与低功耗PWM控制

yusky888 来源:yusky888 作者:yusky888 2025-02-21 15:42 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

基本信息

生产公司:深圳市微电半导体有限公司。

封装形式:型号为 WD5208A/B,采用 SOP-8 封装,无卤、编带盘装,4000 颗 / 卷。

电气参数

输入电压:AC 35V-350V,DC 45V-500V。

输出电流:200mA-700mA。

VDD 供电电压:30V,VDD_ON 开启电压 7.5V,VDD_OFF 欠压保护电压 7.0V。

反馈部分:VFB_REF 基准电压 1.97V-2.03V,VFB_OVP 输出过压保护阈值 2.4V。

电流检测输入部分:VIPK 峰值电流阈值 0.50V-0.60V。

开关频率:40kHz-60kHz。

其他特性

过热保护:TSD 过热保护阈值 150°C。

异常过流保护:CS 电压高于 0.9V 时,内部功率 MOSFET 即刻关断。

驱动电路:优化系统 EMI 性能。

WD5208 的应用领域包括消费类小家电控制模块、智能插座、工业控制通信设备、医疗设备、汽车电子智能家居、电动车仪表盘、智能 WIFI 插座、个人护理电器等。

审核编辑 黄宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    151

    文章

    10834

    浏览量

    235081
  • PWM
    PWM
    +关注

    关注

    116

    文章

    5894

    浏览量

    226713
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深度解析MAX629:28V低功耗高压DC - DC转换器

    ,一款28V低功耗高压的升压或反相DC - DC转换器。 文件下载: MAX629.pdf 一、产品概述 MAX629是一款功能强大的低功耗DC - DC转换器,其内部
    的头像 发表于 03-19 11:30 359次阅读

    车规级低边MOSFET控制器SiLM6481,灵活构建高压高效开关电源

    在工业与汽车电源系统中,设计者常面临输入电压范围宽、负载动态变化及EMI要求严格等多重挑战。为提供更具灵活性的电源解决方案,SiLM6481低边N沟道MOSFET控制器。该芯片支持3V至60V
    发表于 01-08 08:17

    500v超级电容储能技术的优缺点

    500V超级电容储能技术具备高功率密度、长循环寿命和宽温范围,但仍需克服技术挑战,推动其应用。
    的头像 发表于 01-06 09:22 597次阅读
    <b class='flag-5'>500v</b>超级电容储能技术的优缺点

    惠海低功耗40-60V转24V1.2A电焊机降压恒压芯片案子H6207L

    惠海低功耗40-60V转24V1.2A电焊机降压恒压芯片案子H6207L 电源方案选它准没错!惠海 H6207L 太香了 做高压降压电源的朋友,是不是总在找一款成熟、能打、性价比高的
    发表于 12-25 09:51

    选型手册:MOT20N50A N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT20N50A是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、优异的dv/dt能力及500V耐压,适用于高效开关电源、半桥式电子镇
    的头像 发表于 11-24 14:45 485次阅读
    选型手册:MOT20N50A N 沟道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT20N50HF N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT20N50HF是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、优异的dv/dt能力及500V耐压,适用于高效开关电源、半桥式电子
    的头像 发表于 11-19 11:15 557次阅读
    选型手册:MOT20N50HF N 沟道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT13N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT13N50F是一款面向500V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高开关速度、100%雪崩测试验证及500V耐压,适用于高效开关电源、电子镇流器、
    的头像 发表于 11-19 10:24 573次阅读
    选型手册:MOT13N50F N 沟道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT9N50F N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT9N50F是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、
    的头像 发表于 11-07 10:23 602次阅读
    选型手册:MOT9N50F N 沟道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    选型手册:MOT5N50BD N 沟道功率 MOSFET 晶体管

    仁懋电子(MOT)推出的MOT5N50BD是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器
    的头像 发表于 11-06 16:05 632次阅读
    选型手册:MOT5N50BD N 沟道功率 <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶体管

    KP32512SGA 输出12V非隔离PWM控制功率开关芯片

    空载情况下的待机功耗。KP3251X集成有完备的带自恢复功能的保护功能 :VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护和VDD过压保护等。 KP32512SGA主要特点 集成
    发表于 10-22 15:20

    高耐压内置MOS降压恒压芯片 H6266A 100V转12V 120V转5V 150V转3.3V 仪表ic 高性能低功耗

    /150V高压电源,稳定输出3.3V/5V/12V低压,满足汽车电子、工业仪表等严苛供电需求。 高效能
    发表于 08-11 17:24

    PC3105低功耗电流模式PWM控制器中文手册

    PC3105是一款高速、低功耗、电流模式PWM控制器,只需搭配极少的外围器件即可构成离线式、固定频率DC-DC转换器。该芯片内部集成了软启动和前沿消隐功能,输出信号的最大占空比接近50
    发表于 06-25 15:32 0次下载

    ADCMP354YKSZ-REEL7内置0.6 V基准电压源、开漏高电平有效输出比较器 高集成低功耗比较器解决方案

    产品概述 ADCMP354YKSZ-REEL7 集成0.6V基准电压源的比较器 ,采用4引脚SC70封装(尺寸仅2.2mm×1.35mm),专为空间受限和低功耗场景优化。其核心创新在于 高压
    发表于 06-20 08:51

    18V500mA电陶炉电源方案FT8443BD2(设计报告)

    MA 176~264Vac :18V 600MA 应用:小家电辅助电源 FT8443BD2_18V500mA电源方案有什么特点? 高效率,低静态功耗,低纹波 效率: 78%@230Vac 静态
    发表于 06-17 11:15

    Ci24R02—高度集成低功耗SOC芯片

    Ci24R02是一款高度集成低功耗SOC芯片,具有低功耗、Low Pin Count、宽电压工作范围,集成了 13/14/15/16位精度的ADC、LVD、UART、SPI、I2C、
    发表于 06-01 18:41