KRi考夫曼离子源适用于各类真空设备

上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源适用于各类真空设备, 实现离子清洗 PC, 离子刻蚀 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光 IBF 等工艺.

在真空环境下, 通过使用美国 KRi 考夫曼离子源, 制造从微米到亚纳米范围的关键尺寸的结构, KRi 离子源具有原子级控制的材料和表面特征.

1. 应用于 Thermal 热蒸镀设备, e-beam 电子束蒸发设备, 实现离子束辅助沉积工艺 IBAD

KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束. 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 实现辅助镀膜 IBAD.

KRi 考夫曼离子源无需加热衬底, 对温度敏感材料进行低温处理, 简化反应沉积.

2. 应用于溅射和蒸发工艺中, 表面预清洁 PC

美国 KRi 考夫曼离子源作用: MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等. 了解详情 13918837267

3. 离子束溅射沉积单层和多层结构 IBSD 或 直接沉积薄的, 硬的, 功能性的涂层 DD

美国 KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, 通常安装两个离子源(主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源).

使用 KRi 离子源提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备.

4. 应用于离子束刻蚀机 IBE, 各类材料的离子束刻蚀

美国 KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用射频离子源 RFICP 系列实现干式, 物理, 纳米级蚀刻, 可以刻蚀任何固体材料, 包括金属, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半导体, 绝缘体, 超导体等.

气体通入离子源的放电室中, 电离产生均匀的等离子体, IBE 离子束刻蚀系统由离子源的栅极将正离子引出并加速, 然后由中和器进行中和. 利用引出的带有一定动能的离子束流撞击样品表面, 通过物理溅射将材料除去, 进而获得刻蚀图形. 这一过程属于纯物理过程. 了解详情 13918837267

5. 离子束抛光工艺 IBF

美国 KRi 考夫曼离子源作用: 推荐使用考夫曼离子源 KDC 系列, 离子束抛光加工 Ion Beam Figuring, IBF 已逐渐成为光学零件表面超精加工常用的最后一道工艺, 离子源是离子束抛光机的核心部件.

KRi 考夫曼离子源通过控制离子的强度及浓度, 使抛光刻蚀速率更快更准确, 抛光后的基材上获得更平坦, 均匀性更高的薄膜表面.

1978 年 Dr.Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源,霍尔离子源和射频离子源.

美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项成果. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域