聚焦离子束FIB在失效分析技术中的应用-剖面制样

FIB技术：纳米级加工与分析的利器

在现代科技的微观世界中，材料的精确加工和分析是推动创新的关键。聚焦离子束（FIB）技术正是在这样的需求下应运而生，它提供了一种在纳米尺度上对材料进行精细操作的能力，成为微电子和纳米技术领域中不可或缺的工具。

微米级缺陷样品截面制备

FIB技术的原理

FIB技术的核心在于使用镓（Ga）或铟（In）等材料作为离子源，通过静电透镜系统将这些元素离子化并聚焦成细小的离子束。这一束可以非常精确地扫描样品表面，进行微米甚至纳米级别的加工。离子束的能量和精确度使其能够进行复杂的微纳加工，包括切割、蚀刻、沉积和透射电镜（TEM）样品制备等。

FIB技术的应用方式

FIB技术的应用非常广泛，它可以通过调整束流强度来适应不同的应用需求。在低束流条件下，FIB可以作为扫描离子显微镜使用，提供高分辨率的表面成像。而在高束流条件下，FIB则能够进行高效的材料去除或沉积，用于芯片电路的修改和制作局部剖切面，这对于半导体行业的芯片制造和修复至关重要。

FIB加工过程

FIB加工过程涉及精确控制离子束的能量和强度，以及辅助气体的种类和流量。通过离子束与材料的相互作用，可以实现材料的去除或沉积。在加工过程中，首先使用大束流条件快速去除大量材料，形成阶梯剖面。随后，通过适中的离子束流进行精细加工，清理表面。最后，使用小束流对剖面进行抛光，并通过FIB的最小束流进行扫描，利用二次电子或二次离子成像技术来分析剖面中的缺陷。

FIB分析应用

FIB剖面制样技术在元器件失效分析、生产线工艺异常分析、集成电路（IC）工艺监控等领域发挥着重要作用。在分析电路设计错误、制作缺陷、低成品率原因以及改进电路制造过程控制时，FIB技术可以在可疑的器件位置制作剖面，以便观察和分析缺陷。这种技术的应用大大提高了故障分析的效率和准确性。

FIB技术的特点

FIB技术的特点在于其高精度和多功能性。它能够利用高强度聚焦离子束对材料进行纳米加工，并配合扫描电镜（SEM）等高倍数电子显微镜实时观察，成为纳米级分析、制造的主要方法。FIB技术的应用不仅限于半导体行业，还扩展到了材料科学、生物医学、纳米技术等多个领域。

FIB应用领域

FIB技术在多个领域的应用不断扩展。在IC生产工艺、产品表面缺陷分析、薄膜结构观察和透射电镜样品制备等方面，均提供专业的FIB服务，确保客户在各个环节都能获得精准的测试与分析结果。

1. IC生产工艺：FIB在IC生产工艺中可以修正微区电路蚀刻错误，实现电路修改，精度可达5nm。

2. 产品表面缺陷分析：FIB可以准确定位切割，制备缺陷位置截面样品，观察缺陷与基材的界面情况。

PCB电路断裂位置，利用离子成像观察铜箔金相

3. 薄膜结构观察：FIB可以切割制样，观察薄膜的结构、与基材的结合程度。

4. 透射电镜样品制备：FIB可以制备出厚度约100nm的超薄样品，用于透射电镜分析。

结论

聚焦离子束（FIB）技术是一种强大的纳米级加工与分析工具，它在微电子和纳米技术领域中发挥着重要作用。Dual Beam FIB-SEM业务，包括透射电镜(TEM)样品制备，材料微观截面截取与观察、样品微观刻蚀与沉积以及材料三维成像及分析等，进一步扩展了FIB技术的应用范围。通过FIB技术，研究人员和工程师能够深入理解材料的微观结构和缺陷，从而优化设计和制造过程，提高产品的性能和可靠性。随着技术的不断进步，FIB技术在纳米加工和分析领域的应用将更加广泛和深入，为科技创新提供强有力的支持。