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快恢复二极管的基本特性、选型方法及实际应用

苏州固锝电子 来源:苏州固锝电子 2025-02-19 16:24 次阅读

快恢复二极管(Fast Recovery Diode,FRD)是一种具有快速反向恢复特性的半导体器件,广泛应用于高频开关电源逆变器电机驱动和其他需要快速开关的电路中。

本指南旨在帮助工程师了解FRD的特性、选型方法及其在实际应用中的注意事项。

FRD的基本特性

01 反向恢复时间(trr)

定义: 从正向导通切换到反向阻断时,存储的少数载流子被清除所需的时间。

重要性: trr 越短,FRD的开关速度越快,适用于高频应用。

02 反向恢复峰值电流(Irr)

定义: 反向恢复过程中反向电流的最大值。

重要性: Irr越大,反向恢复损耗越高,需根据电路需求选择合适的FRD。

03 反向恢复电荷(Qrr)

定义: 反向恢复过程中流动的总电荷量。

重要性: Qrr 是计算反向恢复损耗的重要参数,影响电路的效率和热设计。

04 正向压降(VF)

定义: FRD在正向导通时的电压降。

重要性: VF越小,导通损耗越低,适用于高效率电路。

FRD的选型方法

01确定工作电压:选择FRD时,其最大反向电压(VR)应高于电路中的最大反向电压,通常留有20%-30%的裕量。

02 确定工作电流:FRD的额定正向电流(IF)应高于电路中的最大正向电流,通常留有20%-30%的裕量。

03 选择反向恢复时间:根据电路的开关频率选择适当的trr,高频应用应选择trr较短的FRD。

04 考虑热设计:根据FRD的功耗, 热阻以及工作温度计算结温,确保其在安全工作温度范围内。

实际应用

01损耗计算

FRD应用中,除开正向导通损耗,反向恢复损耗也非常重要。二极管整体损耗主要由这两者共同决定。在应用中需要根据实际情况,来评估FRD的Trr选择是否合适。

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理想反向恢复波形中,反向恢复产生的损耗

Psw-off≈Vrp*Irrm*Trr*fsw/2

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在实际反向恢复中,Vrp接近于Vr,反向恢复产生的损耗

Psw-off≈Vr*Irrm*Trr*fsw/2

不管何种波形,针对高频应用,需要评估器件整体功耗是否超标,是否有热失控风险。

器件整体功耗:

PD=Pon+Poff+Psw-on+Psw-off

(其中Poff因为漏电流小,Psw-on因为时间短,正向压降小,两者的功耗几乎可以忽略,Psw-off需要计算高温下的数值,温度越高Trr越大,Psw-off也会越大)

根据热阻计算对应温升:DT=PD*Rthjc

根据器件实际工作温度,计算器件结温:Tj=Tc+DT

确保器件结温Tj不超过Tjmax,并有一定余量。

如下两颗FRD具有相同的电流电压规格,Trr差异较小,但是反向恢复损耗却相差较大,在高温条件下,差距会进一步放大, 由此带来的功耗差异也不能忽略。

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按照5A/200V,频率65KHz应用计算反向恢复损耗: 样品A的反向恢复损耗:Psw-off=0.77W 样品B的反向恢复损耗:Psw-off=0.12W

02软恢复和硬恢复

恢复电流恢复太突然时,它会产生更多的噪音. 因此,trr不仅要小,而且需要较缓的恢复。下面数字1和3在规格中可能看起来具有相同的trr,但损耗和噪音都大不相同。此外,2号在查看规格时看起来非常好,但它会产生很大的噪音。

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苏 州 固 锝

成立于1990年的苏州固锝,是一家技术领先的中国功率半导体器件制造商,拥有完整的“晶圆-封测”IDM供应链体系,于2006年深交所上市(002079)。最新财年2023年销售额达40.87亿人民币,较2022年增长了25.1%。

作为国内最大的整流二极管厂家之一,苏州固锝不断完善功率产品系列(Diodes、MOSFET、SiC、IGBT等)、开发独特的IC封装技术以及对品质的长期坚守,赢得了广大客户的信赖;依靠其位于中国长三角和马来西亚居林Kulim的5家生产基地,为全球客户提供优质的产品服务。

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原文标题:指南 || 快恢复二极管(FRD)应用指南

文章出处:【微信号:gh_022f368654db,微信公众号:苏州固锝电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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